高温相偏硼酸钡(α-BaB_2O_4)晶体的缺陷行为分析

运用同步辐射X射线白光形貌研究了α BaB2 O4 晶体内部的完整性 ,并分析了α BaB2 O4 晶体的缺陷行为及缺陷形成原因。在 (0 0 1)面发现生长扇界和亚晶界 ,而在 (10 0 )面和 (12 0 )面分别观察到了位错、位错簇以及针状包裹体。使用双晶衍射实验发现在 (0 0 1)面有生长条纹 ,这些生长条纹呈环形 ,该条纹与熔体中温度波动而导致的生长速率波动有关。运用白光形貌拍摄到高清晰的劳埃斑 。

新型紫外双折射晶体高温相偏硼酸钡 (α-BaB_2O_4)的人工合成

简要报道了新型双折射晶体高温相偏硼酸钡α－ＢａＢ２Ｏ４晶体在国内外属首次的人工合成，与天然方解石、钒酸钇作了比较，测试了５３２ｎｍ的折射率α－ＢａＢ２Ｏ４晶体是一种理想的紫外双折射晶体。

高温相偏硼酸钡（α—BaB2O4）晶体的缺陷行为分析

运用同步辐射X射线白光形貌研究了α-BaB2O4晶体内部的完整性并分析了α-BaB2O4晶体的缺陷行为及缺陷形成原因。在(001)面发现了生长扇界和亚晶界，而在(100)面和(120)面分别观察到了位错、位错组以及针状包裹体。运用白光形貌拍摄到高清晰的旁埃斑。

γ射线辐照诱导Bi:α-BaB_2O_4单晶近红外宽带发光的研究

用提拉法技术生长出了掺Bi的α-BaB2O4单晶并经过γ射线辐照.测定了样品在室温下的吸收光谱、发射光谱及荧光衰减曲线.在808nm波长光的激发下,经γ射线辐照后的α-BaB2O4单晶中发现了中心波长为1139nm、半高宽为113nm的近红外宽带发光现象.讨论了辐照条件和退火处理对Bi离子发光的影响.对于其发光机理进行了初步的探讨.

电子束辐照诱导Bi：α-BaB_2O_4单晶近红外宽带发光的研究

用提拉法技术生长出了Bi:α-BaB2O4单晶,并进行电子束辐照.测定了电子束辐照前后的吸收谱和荧光发射谱.在808nm波长激光二极管的激发下,电子束辐照后的Bi:α-BaB2O4单晶中观测到了中心波长在1135nm附近、半高宽为52nm左右的近红外宽带发光现象.近红外宽带发光的发光中心是Bi+离子.电子束射线起到了将Bi3+和Bi2+还原至一价态的作用.本文通过对比发现,在不同的辐照剂量处理后的过程中发光中心Bi+离子的产生机理是不相同的,并对其物理化学过程进行了初步的探讨.

高温相偏硼酸钡单晶的下降法生长

采用坩埚下降法生长出了新型双折射晶体高温相偏硼酸钡α-BaB2O4单晶,尺寸为φ25mm×100mm,在He-Ne激光照射下无散射颗粒和生长条纹,在可见光区用复式宝石折射仪粗略测得该晶体的双折射率△n=0.13,在200～900nm光区的透过率>80％.简要介绍了晶体生长的一些基本参数.