α-C∶F薄膜的键合结构与电子极化研究

利用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积技术 ,通过改变微波输入功率的方法 ,沉积了具有不同结构特征的氟化非晶碳 (α C∶F)薄膜。随着微波功率从 14 0W升高到 5 6 0W ,薄膜的光频介电常数从 2 .2 6降至 1.6 8,红外光谱 (FTIR)分析表明薄膜的键结构由以CF基团为主变化到CF与CF2 基团共存。由于CF2 基团的极化比CF基团弱 ,薄膜中CF2

氟化非晶碳薄膜的低频介电性质分析

研究了电子回旋共振等离子体技术沉积的氟化非晶碳(a C∶F)薄膜的低频(102～106Hz)介电性质。发现a C∶F薄膜的低频介电色散随源气体CHF3/C6H6的比例、微波入射功率而改变。结合薄膜键结构的红外分析,发现薄膜中CC相对含量的增大是导致低频介电色散增强的原因,而C—F相对含量的增大则使低频介电色散减弱。

氟化非晶碳薄膜的光学带隙分析

研究了CHF3 C6 H6 沉积的氟化非晶碳 (α C∶F)薄膜的光学带隙 .发现α C∶F薄膜光学带隙的大小取决于薄膜中C—F ,CC的相对含量 .这是由于CC形成的窄带隙π键和C—F形成的宽带隙σ键含量的相对变化 ,改变了带边态密度分布的结果 .在微波功率为 1 4 0— 70 0W、沉积气压为 0 1— 1 0Pa、源气体CHF3 ∶C6 H6 流量比为 1∶1— 1 0∶1条件下沉积的α C∶F薄膜 ,光学带隙在 1 76— 3