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氟化非晶碳薄膜结构与热稳定性研究
被引量:
1
1
作者
蒋昱
吴振宇
+2 位作者
苏祥林
汪家友
杨银堂
《电子器件》
EI
CAS
2006年第2期304-307,共4页
在室温下以C4F8和CH4为前驱气体,用电子回旋共振化学气相沉积(ECR-CVD)的方法生长了氟化非晶碳(α-C:F)薄膜。通过傅立叶变化红外光谱分析(FTIR)和X射线光电子能谱分析(XPS)对薄膜的化学结构和成键情况进行了研究。CFx(x=2~...
在室温下以C4F8和CH4为前驱气体,用电子回旋共振化学气相沉积(ECR-CVD)的方法生长了氟化非晶碳(α-C:F)薄膜。通过傅立叶变化红外光谱分析(FTIR)和X射线光电子能谱分析(XPS)对薄膜的化学结构和成键情况进行了研究。CFx(x=2~3)以及位于DC交联结构末端用于构成CxFy大分子结构的C-C键的热稳定性较差,在N2气氛下退火后,会以气态形式进行分解,导致α-C:F薄膜膜厚的减小。随着源气体流量比R=[C4F8]/([C4F8]+[CH4])的减小.α-C:F薄膜中C-CFx交联结构逐渐增多,CFx(x=2~3)基团及构成CxFy大分子结构的C-C键逐渐减少,薄膜的热稳定性得到著提高。α-C:F薄膜在退火后,由于取向极化的增大和电子极化的减小,以及薄膜密度的增加使得α-C:F薄膜的介电常数有所增加。
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关键词
氟化非晶碳
低K材料
热稳定性
电子回旋共振化学沉积
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职称材料
题名
氟化非晶碳薄膜结构与热稳定性研究
被引量:
1
1
作者
蒋昱
吴振宇
苏祥林
汪家友
杨银堂
机构
西安电子科技大学微电子研究所
出处
《电子器件》
EI
CAS
2006年第2期304-307,共4页
基金
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室资助项目(51433020205DZ010101)
文摘
在室温下以C4F8和CH4为前驱气体,用电子回旋共振化学气相沉积(ECR-CVD)的方法生长了氟化非晶碳(α-C:F)薄膜。通过傅立叶变化红外光谱分析(FTIR)和X射线光电子能谱分析(XPS)对薄膜的化学结构和成键情况进行了研究。CFx(x=2~3)以及位于DC交联结构末端用于构成CxFy大分子结构的C-C键的热稳定性较差,在N2气氛下退火后,会以气态形式进行分解,导致α-C:F薄膜膜厚的减小。随着源气体流量比R=[C4F8]/([C4F8]+[CH4])的减小.α-C:F薄膜中C-CFx交联结构逐渐增多,CFx(x=2~3)基团及构成CxFy大分子结构的C-C键逐渐减少,薄膜的热稳定性得到著提高。α-C:F薄膜在退火后,由于取向极化的增大和电子极化的减小,以及薄膜密度的增加使得α-C:F薄膜的介电常数有所增加。
关键词
氟化非晶碳
低K材料
热稳定性
电子回旋共振化学沉积
Keywords
α-c:f
low-K
thermal stability
ECR
-c
VD
分类号
O484.4 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氟化非晶碳薄膜结构与热稳定性研究
蒋昱
吴振宇
苏祥林
汪家友
杨银堂
《电子器件》
EI
CAS
2006
1
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职称材料
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