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添加剂对Si粉直接氮化工艺中α-Si3N4含量的影响 被引量:4
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作者 乐红志 田贵山 李素珍 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期370-375,共6页
通常情况下,Si粉直接氮化法和自蔓延法所制得Si3N4粉体主要以β-Si3N4为主,而为了使Si3N4陶瓷有更好的烧结性能,需要得到高α相含量的Si3N4粉。本研究以Si粉直接氮化法为基础,通过添加NH4Cl、FeCl3来制备高α相含量的Si3N4粉。经XRD和SE... 通常情况下,Si粉直接氮化法和自蔓延法所制得Si3N4粉体主要以β-Si3N4为主,而为了使Si3N4陶瓷有更好的烧结性能,需要得到高α相含量的Si3N4粉。本研究以Si粉直接氮化法为基础,通过添加NH4Cl、FeCl3来制备高α相含量的Si3N4粉。经XRD和SEM检测分析发现,添加适量NH4Cl、FeCl3可大幅提高Si3N4粉体中α-Si3N4的含量,最高可达88.3%,但FeCl3的含量过高时,则可显著降低α-Si3N4的含量。研究还发现添加NH4Cl、FeCl3还可降低Si粉发生氮化反应的起始温度。 展开更多
关键词 添加剂 Si粉直接氮化 α-si3N4
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β-Si_3N_4含量对Y_2O_3-MgO-α-Si_3N_4陶瓷性能的影响 被引量:2
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作者 李荐 李淳伟 +5 位作者 周宏明 黄祖琼 刘凡 李艳芬 杨俊 杨亮 《矿冶工程》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期91-93,共3页
利用扫描电子显微分析等手段,研究了棒状β-Si3N4含量对Y2O3-MgO-α-Si3N4陶瓷致密度、力学性能和显微结构的影响,确定了β-Si3N4和α-Si3N4的适宜配比。结果显示:随着β-Si3N4含量的增加,Y2O3-MgO-α-Si3N4陶瓷材料致密度和力学性能均... 利用扫描电子显微分析等手段,研究了棒状β-Si3N4含量对Y2O3-MgO-α-Si3N4陶瓷致密度、力学性能和显微结构的影响,确定了β-Si3N4和α-Si3N4的适宜配比。结果显示:随着β-Si3N4含量的增加,Y2O3-MgO-α-Si3N4陶瓷材料致密度和力学性能均先增加后降低,当β-Si3N4含量达到40%时,陶瓷致密度和力学性能同时达到最大,此时致密度为93%,横向断裂强度为583.4 MPa,断裂韧性为5.42 MPa.m1/2。 展开更多
关键词 陶瓷 Β-si3N4 Y2O3-MgO-α-si3N4 力学性能 显微组织
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从Si-C-N非晶粉末制备α-Si_3N_4纳米线 被引量:1
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作者 罗民 宋伟明 胡奇林 《宁夏大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2006年第4期341-343,共3页
以溶胶-凝胶法合成了Si-C-N非晶前驱体粉末,在不添加催化剂的条件下,通过高温还原氮化反应制备了α-Si3N。纳米线.用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和扫描电镜(SEM)表征和分析了α-Si3N4纳米线.XRD分析表明,在所得产物中,... 以溶胶-凝胶法合成了Si-C-N非晶前驱体粉末,在不添加催化剂的条件下,通过高温还原氮化反应制备了α-Si3N。纳米线.用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和扫描电镜(SEM)表征和分析了α-Si3N4纳米线.XRD分析表明,在所得产物中,除了未完全反应的非晶SiO2外,主要是α-SisNt,Si2N2O以及少量的β-SiC.TEM和SEM分析显示,合成的α-Si3N4纳米线直径为100~150nm,长几十μm,α-Si3N4纳米线的生长机制是气固(VS)生长机制。 展开更多
关键词 α-si3N4纳米线 溶胶-凝胶 非晶Si-C-N粉末
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α-Si:H快速退火电学性质的研究 被引量:1
4
作者 董会宁 杨文颖 《四川师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1996年第5期83-84,共2页
对α-Si:H材料作快速退火固体晶化工艺处理,Hal效应测试表明:随着退火温度的增加,μH和σ逐渐增加.经800℃,8min退火后,样品电导率激活能0.104eV.
关键词 α-si:H 快速退火 霍尔效应
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α-Si TFT有源矩阵液晶显示器的研制进展
5
作者 孟志国 代永平 +26 位作者 周祯华 张建军 姚仑 谷纯芝 李俊峰 吴春亚 熊绍珍 赵颖 王丽莉 徐温元 袁庆鹏 黄宇 李树山 莫希朝 马京涛 王德申 孙钟林 李庆诚 马锦 耿卫东 李德林 李红玉 赵晶 雷宗保 徐寿颐 张百哲 张伟 《液晶与显示》 CAS CSCD 1996年第4期268-285,共18页
本文全面介绍了我们在α—SiTFT—AMLCD“八五”科技攻关研究中的TFT矩阵模拟与优化设计、性能改善、提高矩阵板一致性与完整性、液晶封屏以及视频显示设计与实现等方面所做的工作。并在南开大学形成的一个集中的TFT—... 本文全面介绍了我们在α—SiTFT—AMLCD“八五”科技攻关研究中的TFT矩阵模拟与优化设计、性能改善、提高矩阵板一致性与完整性、液晶封屏以及视频显示设计与实现等方面所做的工作。并在南开大学形成的一个集中的TFT—LCD研制线上,最终研制出具有视觉感受无缺陷的α—SiTFT—AMLCD视频图象显示器。 展开更多
关键词 α-si TFT-LCD 研制线 完整性 视频显示
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MWECRCVD法高速沉积α-Si:H薄膜的红外光谱研究
6
作者 宋雪梅 宋道颖 +5 位作者 陈蔚忠 芦奇力 冯贞健 鲍旭红 邓金祥 陈光华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期321-324,共4页
应用微波电子回旋共振化学气相沉积 (MWECRCVD)方法 ,在较高速度下沉积了α Si:H薄膜 ,用FTIR红外谱仪研究了α Si:H薄膜的结构特性随H2 /SiH4 、沉积温度和沉积速率变化关系 ,并对 2 0 0 0cm-1附近的特征吸收峰用高斯函数进行了拟合分... 应用微波电子回旋共振化学气相沉积 (MWECRCVD)方法 ,在较高速度下沉积了α Si:H薄膜 ,用FTIR红外谱仪研究了α Si:H薄膜的结构特性随H2 /SiH4 、沉积温度和沉积速率变化关系 ,并对 2 0 0 0cm-1附近的特征吸收峰用高斯函数进行了拟合分析 ,获得了沉积高质量α Si:H薄膜的最佳工艺条件。 展开更多
关键词 MWECR-CVD法 α-si:H薄膜 IR分析 高斯函数拟合
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掺钇α-Si:H膜的光性研究
7
作者 张淑芝 程兴奎 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1991年第4期259-264,共6页
用反射消光式椭圆偏振光谱研究了射频溅射法制备的不同衬底温度和不同掺钇浓度下的α-Si:H(Y)膜在可见光区的光学性质,结果与透射谱一致。由红外吸收谱判断膜中氢含量和存在形式随生长条件和掺钇浓度变化。
关键词 掺钇 α-si:H 薄膜 光学性质
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高温多次N^+注入硅形成晶态α-Si_3N_4研究
8
作者 柳襄怀 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第8期77-79,共3页
在1000℃高温下,经多次N+注入硅形成了晶态α-si_3N_4省去了常规SOI技术中的高温长时间热退火工艺。这对于简化工艺步骤、降低工艺温度和缩短工艺时间有实际意义。
关键词 晶态α-si3N4 高温 注入工艺
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α-Si_3N_4晶须的制备与分析 被引量:7
9
作者 曹阳 齐龙浩 潘伟 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2003年第5期89-91,共3页
采用高频等离子体气相反应法制备的无定型氮化硅超细粉末为原料。通过在 145 0℃氮气气氛下 ,2h的热处理 ,使无定型氮化硅转为α相氮化硅 ,并生长出α -Si3 N4 晶须。试验分析证明所得到的α -Si3 N4 晶须直径为 5 0~ 2 0 0nm ,无明显... 采用高频等离子体气相反应法制备的无定型氮化硅超细粉末为原料。通过在 145 0℃氮气气氛下 ,2h的热处理 ,使无定型氮化硅转为α相氮化硅 ,并生长出α -Si3 N4 晶须。试验分析证明所得到的α -Si3 N4 晶须直径为 5 0~ 2 0 0nm ,无明显缺陷 ,其晶须生长方向为〈0 110〉。 展开更多
关键词 α-si3N4 晶须 制备 分析 等离子体 气相反应 无定型氮化硅
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基于SOI材料α-Si:H TFTs的制作和特性研究(英文) 被引量:2
10
作者 李蕾 温殿忠 +1 位作者 李刚 赵晓锋 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期181-185,共5页
采用RF-PECVD系统在SOI材料上制作α-Si:H TFT,纳米非晶硅薄膜厚度为98nm,沟道长宽比为10μm/40μm。用扫描电子显微镜、X射线衍射和拉曼光谱等检测方法对不同退火温度下的氢化非晶硅薄膜形貌进行了表征。采用CMOS工艺、各向异性腐蚀溶... 采用RF-PECVD系统在SOI材料上制作α-Si:H TFT,纳米非晶硅薄膜厚度为98nm,沟道长宽比为10μm/40μm。用扫描电子显微镜、X射线衍射和拉曼光谱等检测方法对不同退火温度下的氢化非晶硅薄膜形貌进行了表征。采用CMOS工艺、各向异性腐蚀溶液EPW、射频溅射技术和等离子体刻蚀等工艺实现α-Si:H TFT的制作。在给出一般α-Si:H TFT特性分析和实验结果的基础上,又采用建模方式对α-Si:H TFT出现的负阻特性进行研究。提取纳米氢化非晶硅薄膜与栅氧化层界面处能带图的结果表明,在靠近漏端0.5μm范围内,漏压由6V增加到30V时,随漏压的增加,价带能量逐渐下降。研究结果表明,距离漏端0.5μm范围内的压降导致负阻特性产生。 展开更多
关键词 α-si:H TFT 纳米非晶硅薄膜 SOI材料 腐蚀自停止技术 负阻特性
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热丝CVD法沉积超薄α-Si∶H钝化膜 被引量:1
11
作者 田罡煜 王涛 +6 位作者 黄海宾 孙喜莲 高超 岳之浩 袁吉仁 周耐根 周浪 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第5期376-381,386,共7页
采用热丝化学气相沉积法在n型直拉单晶硅圆片表面双面沉积厚度为10 nm的本征非晶硅(α-Si∶H)薄膜。利用光谱型椭偏测试仪和准稳态光电导法研究热丝电流、H_2体积流量和热丝与衬底之间的距离对α-Si∶H薄膜结构和钝化效果的影响。结果表... 采用热丝化学气相沉积法在n型直拉单晶硅圆片表面双面沉积厚度为10 nm的本征非晶硅(α-Si∶H)薄膜。利用光谱型椭偏测试仪和准稳态光电导法研究热丝电流、H_2体积流量和热丝与衬底之间的距离对α-Si∶H薄膜结构和钝化效果的影响。结果表明,热丝电流为21.5~23.5 A时,钝化后硅片的少子寿命随着热丝电流的增加呈现先增加后降低的趋势,热丝电流为23.0 A时,钝化效果最好;H_2体积流量为5~20 cm^3/min时,少子寿命随着H_2体积流量的增加呈现先增加后降低的规律,体积流量为15 cm^3/min时,钝化效果最好;热丝与衬底间距为4~5 cm时,随着间距的增加,薄膜的结构由晶化向非晶化转变,在间距为4.5 cm时硅片的钝化效果达到最优。 展开更多
关键词 热丝化学气相沉积(HWCVD) 介电常数 非晶硅(α-si:H)薄膜 钝化 带有 本征薄层的异质结(HIT)
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碳热还原法合成α-Si_3N_4粉料研究 被引量:1
12
作者 庄又青 王俭 李文超 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 1990年第5期16-19,共4页
本文对α-Si_2N_4粉料合成工艺进行了详细研究。结果表明,氮化温度、氮化时间、起始原料C/SiO_2比及其比表面积均对α-Si_3N_4粉料的性能有显著影响。权衡粉料氮化率及产物得率,C/SiO_2=5时其氮化结果最好。碳粉比表面积对氮化过程有强... 本文对α-Si_2N_4粉料合成工艺进行了详细研究。结果表明,氮化温度、氮化时间、起始原料C/SiO_2比及其比表面积均对α-Si_3N_4粉料的性能有显著影响。权衡粉料氮化率及产物得率,C/SiO_2=5时其氮化结果最好。碳粉比表面积对氮化过程有强烈影响,增大的碳的比表面积可为SiO、N_2的吸附、反应及Si_3N_4的成核提供更多的机会。不用任何催化剂,采用C/SiO_2=5,原料比表面积大的样品在1400℃下氮化24h可获得氮含量达37wt%、氧含量小于4wt%、平均粒径为5.0μm的α-Si_3N_4粉料。 展开更多
关键词 碳热还原法 α-si3N4 氮化硅 粉末
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α-Si/Ni多层膜的制备及光电特性研究
13
作者 王正昌 李燕卿 +2 位作者 张硕 虎志明 吴兴惠 《云南民族大学学报(自然科学版)》 CAS 1998年第1期33-37,共5页
简述用超高真空多靶磁控设备制取α-Si/Ni多层膜,用XPS和Raman谱对新研制的多层膜进行组份分析,结果表明α-Si/Ni多层膜具有周期性成份调制结构.对其光偏振特性及横向光电特性进行了部分测试,结果表明入射线偏... 简述用超高真空多靶磁控设备制取α-Si/Ni多层膜,用XPS和Raman谱对新研制的多层膜进行组份分析,结果表明α-Si/Ni多层膜具有周期性成份调制结构.对其光偏振特性及横向光电特性进行了部分测试,结果表明入射线偏振光经α-Si/Ni多层膜反射后出现旋光现象,按设计的电极进行测试,α-Si/Ni多层膜具有横向光电效应. 展开更多
关键词 α-si/Ni多层膜 RAMAN光谱 XPS能谱 光偏振特性 横向光电效应
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高能球磨-盐辅助氮化低温合成α-Si_3N_4粉体
14
作者 张晶 李红霞 刘国齐 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第5期739-743,共5页
以硅粉为原料,NaCl-NaF复合盐为反应介质和稀释剂,采用高能球磨-盐辅助氮化法制备出α-Si_3N_4粉体。研究了氮化温度、保温时间、盐硅比及复合盐中NaF含量对合成α-Si_3N_4的影响。利用X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)... 以硅粉为原料,NaCl-NaF复合盐为反应介质和稀释剂,采用高能球磨-盐辅助氮化法制备出α-Si_3N_4粉体。研究了氮化温度、保温时间、盐硅比及复合盐中NaF含量对合成α-Si_3N_4的影响。利用X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)对产物的物相组成和显微结构进行了分析表征。结果表明:氮化温度为1 200℃、保温时间为4 h、盐硅比为2∶1、复合盐中NaF含量为10%时,硅粉完全氮化。合成的产物中存在大量的α-Si_3N_4晶须,晶须的直径为40~280 nm,长度为几微米到几十微米;晶须的生长机制为VC机制。 展开更多
关键词 α-si3N4 低温合成 高能球磨 盐辅助氮化 晶须
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α-Si:H多层膜切面电镜观察分析
15
作者 惠恒荣 徐玉辉 唐方奎 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第1期77-80,共4页
本文制备了六种不同结构的 α-Si:H 多层膜结构,对其切面进行了扫描电镜观察分析.结果表明:辉光法生长 α-Si:H 膜过程中存在沉积和刻蚀一对对抗性矛盾,在常规工艺下各层界面不明显存在,在特殊条件下,可能生长出尺度不同的微晶镶嵌在非... 本文制备了六种不同结构的 α-Si:H 多层膜结构,对其切面进行了扫描电镜观察分析.结果表明:辉光法生长 α-Si:H 膜过程中存在沉积和刻蚀一对对抗性矛盾,在常规工艺下各层界面不明显存在,在特殊条件下,可能生长出尺度不同的微晶镶嵌在非晶网络中。 展开更多
关键词 α-si:H 多层膜 扫描电镜
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Ca-Si-Al-O玻璃合成Ca-α-SiAlON:Eu荧光粉及其发光性能研究
16
作者 汤云 何杰 +3 位作者 张雪萍 田朋芳 张思思 薛沛 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第8期1564-1568,共5页
以Ca-Si-Al-O玻璃为主要原料,通过添加Eu_2O_3,采用碳热还原氮化法合成出Ca-α-Si Al ON∶Eu荧光粉体。借助X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计和荧光分光光度计等手段,对合成Ca-α-Si Al ON∶Eu的物相组成、... 以Ca-Si-Al-O玻璃为主要原料,通过添加Eu_2O_3,采用碳热还原氮化法合成出Ca-α-Si Al ON∶Eu荧光粉体。借助X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计和荧光分光光度计等手段,对合成Ca-α-Si Al ON∶Eu的物相组成、显微结构及发光性能进行表征。结果表明:(1)以Ca O,Al_2O_3,Si O_2为原料,合成的Ca-SiAl-O非晶玻璃具有Si O4四面体与Al O4四面体相互连接的架状结构;(2)以Ca-Si-Al-O玻璃为主要原料,通过添加Eu_2O_3,在1450℃碳热还原氮化合成出呈棱柱状形貌的Ca-α-Si Al ON粉体,其中Eu离子在Ca-α-Si Al ON中实现了良好的固溶;(3)合成的Ca-α-Si Al ON∶Eu在紫外-可见光部分具有较强的吸收,在420 nm的激发下,发射光谱的峰值波长为~570 nm,实现了黄绿光发射,归属于Eu^(2+)的4f^65d-4f^7跃迁。 展开更多
关键词 Ca-si-Al-O玻璃 碳热还原氮化法 Ca-α-siAlON:Eu荧光粉 发光性能
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The Influence of Alkaline Earth Elements on Electronic Properties ofα-Si3N4 via DFT Calculation
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作者 张剑文 HUANG Zhifeng +3 位作者 YIN Ziqian LI Meijuan CHEN Fei 沈强 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2020年第5期863-871,共9页
We used density functional theory(DFT)calculations to study the influence of alkali earth metal element(AE)doping on the crystal structure and electronic band structure ofα-Si3N4.The diversity of atomic radii of alka... We used density functional theory(DFT)calculations to study the influence of alkali earth metal element(AE)doping on the crystal structure and electronic band structure ofα-Si3N4.The diversity of atomic radii of alkaline earth metal elements results in structural expansion when they were doped into theα-Si3N4 lattice.Formation energies of the doped structures indicate that dopants prefer to occupy the interstitial site under the nitrogen-deficient environment,while substitute Si under the nitrogen-rich environment,which provides a guide to synthesizingα-Si3N4 with different doping types by controlling nitrogen conditions.For electronic structures,energy levels of the dopants appear in the bottom of the conduction band or the top of the valence band or the forbidden band,which reduces the bandgap ofα-Si3N4. 展开更多
关键词 FIRST-PRINCIPLES density functional theory calculations alkaline earth elements dopedα-si3N4 photoluminescence material crystal structure electronic structure
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Al催化剂辅助直流电弧法合成α-Si_3N_4纳米线
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作者 王秋实 谢永辉 +1 位作者 王维龙 吴宛泽 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期816-821,共6页
采用等离子体辅助直流孤光放电技术,以SiO_2粉和Si粉为反应原料,制备了大量纯度高α-Si_3N_4纳米线。通过X射线衍射(XRD)、能量色散X射线光谱(EDS)、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶红外光谱(FTIR)对α-Si_3N_4纳米线的形貌和组分进行表征... 采用等离子体辅助直流孤光放电技术,以SiO_2粉和Si粉为反应原料,制备了大量纯度高α-Si_3N_4纳米线。通过X射线衍射(XRD)、能量色散X射线光谱(EDS)、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶红外光谱(FTIR)对α-Si_3N_4纳米线的形貌和组分进行表征与分析。TEM和SEM分析显示合成的α-Si_3N_4纳米线直径为30~100 nm,长达几十微米,其生长沿着α-Si_3N_4的[001]方向生长,生长机制气-液-固(VLS)机制所控制。α-Si_3N_4纳米线光致发光光谱(PL)表明其具有一宽的发光带,具有良好的发光性能。 展开更多
关键词 α-si3N4 纳米线 电弧 光致发光
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一种制备α-Si3N4纳米粉的方法
19
《无机盐工业》 CAS 北大核心 2005年第7期62-62,共1页
本发明制备α-Si3N4纳米粉的方法,特征是把硅化镁与氯化铵按物质的量的比1:(4.1~4.5)混合,在密封和450~650℃条件下反应2~12h,所得产物经水洗、分离和干燥,即获得平均颗粒尺寸为15~95nm的α-Si3N4粉。本发明反应和提纯方法... 本发明制备α-Si3N4纳米粉的方法,特征是把硅化镁与氯化铵按物质的量的比1:(4.1~4.5)混合,在密封和450~650℃条件下反应2~12h,所得产物经水洗、分离和干燥,即获得平均颗粒尺寸为15~95nm的α-Si3N4粉。本发明反应和提纯方法简单,产品物相单纯,反应温度低,原料易得,适于工业化生产。 展开更多
关键词 α-si3N4纳米粉 制备方法 硅化镁 氯化铵 反应条件
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α-Si TFT的C-V特性研究
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作者 屈惠明 《光电子技术》 CAS 1994年第2期132-137,共6页
通过对 a-Si TFT 的基本工作特性的分析,提出了一种直观的 a-SiTFT 器件模型。基于此模型,采用一种新的方法对 a-Si TFT 的 C-V 特性进行了全面分析。模拟结果与实际测得 a-Si TFT 的 C-V 特性曲线变化趋势一致。
关键词 TFT模型 C-V特性 TFT-LCD
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