Ga在SiO_2-Si复合结构中的热分布研究

用 H2 和 Ga_2O_3的高温反应形成元素 Ga 的恒定表面源,通过 SiO_2-Si 复合结构实现了 Ga 在 Si 中的高均匀性掺杂;利用二次离子质谱分析(SIMS)、扩展电阻(SRP)、四探针测试等方法,对 P 型杂质 Ga 在 SiO_2薄膜、SiO_2-Si 两固相接触的内界面、近 Si 表面的热分布进行分析;揭示出开管方式扩散 Ga 的实质是由 SiO_2薄膜对 Ga 原子的快速输运及其在 SiO_2-Si 内界面分凝效应两者统一的必然结果;并对该过程 Ga 杂质浓度分布机理进行了分析和讨论。

Al_2O_3-Si材料埋炭加热过程中性能和显微结构的变化

以电熔刚玉(骨料和细粉)和Si粉(加入质量分数为5%或8%)为原料,以纸浆废液为结合剂,压制成Al2O3-Si样坯,在1000～1600℃埋炭加热后,检测其物相组成、显微结构和性能的变化。结果表明:(1)1100℃以前物相和结构没有变化;(2)1200℃烧后,Si开始与CO反应生成晶须状SiC,且晶须相互交叉连锁,材料开始烧结,其高温抗折强度和抗热震性明显提高;(3)1300～1400℃烧后,SiC晶须生成量明显增加,且发育长大,形成交叉连锁的网络结构填充在刚玉骨架中,材料烧结良好,具有更高的高温强度和更好的抗热震性,而且1400℃烧后试样中还出现少量O’-SiAlON晶体;(4)1500～1600℃烧后,SiC晶体发育长大,呈枝杈状和弯曲状,SiC生成量略有增加,试样的高温强度和抗热震性变化不明显,表明在此温度范围材料烧结基本完成。

煅烧气氛对Al_2O_3-Si材料组成、结构和性能的影响

以电熔白刚玉、α-Al2O3微粉和Si粉为主要原料,以酚醛树脂为结合剂,制备Al2O3-Si复合材料试样。研究了煅烧气氛对1 500℃烧后试样性能、组成和显微结构的影响。结果表明:1)在氧化气氛和弱氧化气氛中煅烧后,试样表面生成含莫来石的玻璃膜,保护了试样内部的单质Si;由于单质Si的液相助烧结作用,试样的致密度和常温强度较高,但其高温抗折强度和抗热震性较低。2)在弱还原气氛和还原气氛中煅烧后,试样中的单质Si完全与Al2O3和通过气孔进入的CO、N2反应,生成晶须状SiC、粒状Si2N2O(或絮状O’-SiAlON),试样的致密度和常温强度减小,高温强度和抗热震性提高。3)在氮气气氛中煅烧后,Si完全反应生成短柱状β-SiAlON和晶须状SiC,试样的高温强度和抗热震性明显提高。

Al_2O_3-Si_2O短纤维结构与长径比分析

利用TEM、XRD及偏光技术研究了国产Al2O3 Si2O短纤维的结构。结果表明,纤维具有分层结构;纤维外表面是由具有莫来石的织构所组成,织构轴为[101],纤维心部是细小的莫来石多晶结构;长径比的平均值是7.32。

烧结温度对真空热压烧结法制备Cr40-Si60合金的微观结构、电学特性及力学性能的影响

利用真空热压烧结法制备Cr40-Si60合金,以XRD、排水法、金相显微镜、硬度计、万能试验机以及SEM等方式探讨了烧结温度对其微观结构、电学特性及力学性能的影响。结果表明:热压烧结温度为1250℃时所得合金样品具有最大的烧结密度与电导率,分别约为4.08 g/cm^(3)与1.23×10^(4)S/m;但综合电学特性与力学性能两方面考虑,热压烧结温度为1200℃时所得Cr40-Si60合金具有较适当的电导率(1.17×10^(4)S/m)和机械强度(硬度为76.2 HR30N、横向断裂强度为64.57 MPa)。

Al_2O_3-SiO_2-TiO_2-ZrO_2复合膜及其微观结构

研究采用Sol-gel法研制了一种新型的Al2O3-SiO2-TiO2-ZrO2复合陶瓷膜。复合膜由γ-Al2O3,TiO2,ZrO2和Al2SiO5等多相组成,改变体系组成各相含量时膜的主晶相也随之变化,从而影响到膜的微观结构。利用原子力显微镜(AFM)分析法重点研究了膜的表面性质及其形貌,并探讨了修饰物添加剂对膜的形貌和性能的影响。

在不同热氧化条件下SiO_2-Si结构的电子辐射效应研究

利用２ＭＶ电子静电加速器，研究了热氧化工艺与ＳｉＯ２Ｓｉ结构的电子辐射效应和辐射损伤机制．结果表明，高能电子辐照ＳｉＯ２Ｓｉ结构引起的ＭＯＳ电容平带电压漂移ΔＶｆｂ与ＳｉＯ２膜厚ｄ２ｏｘ成正比．由Ｐ型硅为衬底或掺氯氧化的ＳｉＯ２Ｓｉ结构对电子辐射较敏感；而由磷处理或干Ｎ２热退火的ＳｉＯ２Ｓｉ结构能有效地降低对电子辐射的敏感性．

铁路货车技术管理信息系统(HMIS)段级系统建设及改进

介绍了铁路货车技术管理信息系统 (HMIS)的总体逻辑结构、模块结构、内部信息流程、工艺流程以及软、硬件技术要求及特点 ,实现了铁道部HMIS建设的总体要求 。

包头西车辆段轮轴厂HMIS系统设计方案探究

针对包头西车辆段轮轴厂HMIS系统存在的问题,提出HMIS必要性和建设目标,研究了轮轴厂HMIS系统与外部的软件及硬件接口,完成了轮轴厂HMIS系统网络结构及车轮厂信息布点方案的设计。

可组态的独立HMI中数据结构初步探讨

通过对可组态的独立HMI技术的探讨和研究,在软件基础层面上提出一种能够支持可组态要求的底层数据结构。对该数据结构进行了详细说明,并对该数据结构在事件发生时的行为进行描述。

本征α－Si∶H MIS结构电导机制

利用本征α－Ｓｉ：Ｈ薄膜材料制成了Ａｌ－Ｓｉ（１－ｘ）Ｎｘ－ａ－Ｓｉ：Ｈ金属－绝缘体－半导体结构，用高精度差分电容谱仪在５０℃和暗背景条件下测量了这种结构的变频电容谱及变频电导谱。讨论了该ＭＩＳ结构中可能存在的电导机制，计算了禁带态能谱并根据修正后的实验结果得到了其俘获电子的时间常数及截面。

原位增韧β-Si_3N_4/α-Sialon复相陶瓷

通过XRD,SEM和力学性能测试研究了β-Si3N4/α-Sialon复相陶瓷热压烧结的致密化、相组成、力学性能和微观结构.结果表明,β-Si3N4/α-Sialon复相陶瓷综合了β-Si3N4和α-Sia-lon的力学性能,可通过改变起始粉末的组成,可以调整相组成及裁剪材料的力学性能.由于加人具有大的长径比的物相β-Si3N4,提高了材料的强度和韧性.

化学复合镀(Ni-W-P)-Si_3N_4工艺研究

采用化学复合镀方法,制备了(Ni-W-P)-Si3N4复合镀层;研究了镀液组成及工艺参数对镀层成分和沉积速率的影响;采用X-射线衍射分析了复合镀层表面相结构,并对复合镀层的耐蚀性及耐磨性进行了测试分析。试验结果表明:Si3N4纳米颗粒的加入影响了镀层的沉积速率,提高了沉积层的耐磨性;(Ni-W-P)-Si3N4复合沉积层仍具有与Ni-W-P沉积层相近的优异性能。

Al_2TiO_5-Si_3N_4复合材料制备工艺研究

以Al2TiO5粉(自制)和α-Si3N4粉为原料,制备Al2TiO5-Si3N4复合材料。研究了Si3N4加入量(质量分数,分别为0、5%、10%、15%、20%和25%)、烧成气氛(氮气气氛和空气气氛)、烧成温度(1450、1500、1550℃)、保温时间(2、3、4h)对Al2TiO5-Si3N4复合材料性能的影响。研究结果表明,制备Al2TiO5-Si3N4复合材料较佳的工艺条件为:加入15%的α-Si3N4粉,在氮气气氛中于1550℃保温2h烧成。

基于HMI的配电柜监控系统的设计

0引言 机房设备中不论服务器等主设备还是油机、UPS、精密空调等能源设备都已实现智能化,其监控系统可谓面面俱到,但作为直接给机房心脏服务器提供动力的末端配电设备,大多没有做必要的监控。基于HMI的配电柜监控系统的设计,以HMI为核心,通过RS485总线的模块化结构,对末端配电柜：包括的列头柜、精密配电柜、

可钢化TiO_2-Si_3N_4-CrN_x-Ag-NiCrO_x-ZnO-Si_3N_4玻璃涂层的制备和性能表征

采用磁控溅射法制备了可钢化TiO_2-Si_3N_4-CrN_x-Ag-NiCrO_x-ZnO-Si_3N_4复合玻璃涂层(TSCANZSLow-E玻璃),并对其微观结构和物理性能进行了测试。AFM分析发现,薄膜表面光滑平整,粗糙度R_a为0.323nm;XPS探测到膜层表面存在TiO_2和Si_3N_4;四探针面电阻测试仪测定薄膜方阻R_s为8.81Ω/□,比辐射率值为0.108;光学性能分析显示可见光透过率达81%,在2500nm处的中远红外区反射率达80%;剥落实验证明薄膜与玻璃基底之间具有良好的附着性;钢化测试结果符合国标要求。

SHS法合成低游离硅亚微米级β-Si_3N_4研究

本文采用SHS工艺对低游离硅(Sif<1% )亚微米级β-Si3N4 的制备进行了研究,在研究中采用细硅粉团粒作为原料,试验结果表明:用团粒为原料合成的β-Si3N4 粒度为0 71μm时,其游离硅含量为0 6 5 % ,而采用常规的硅粉为原料时,当β-Si3N4 粒度为0 6 9μm时,游离硅的含量高达1 98%。

鸭河电厂HMI系统升级浅析

HMI系统主要包括EDS工程师站和两套互为冗余的POS操作员站。当发现它不能满足生产需要时 ,选择星型网络结构替代原来的总线型 ,并升级了部分硬件设备和软件系统。文中比较、分析了HMI升级前后两种系统结构的优劣性 ,并介绍了升级工作的实现过程及注意事项。

如何摆脱传统HMI的制约

网上流传着IT被逼疯的故事——频繁变更的需求、架构的调整,甚至推倒重来,IT世界的工程师真的是一个很辛苦的职业。那么自动化行业就没有这样的事情吗？例如——User-Friendly大家都认为IT的程序结构复杂,自动化行业主要是顺序逻辑控制,结构肯定没有那么复杂——如果你这么想,大概说的是20年前的可编程“逻辑”控制器的年代,现在的机器哪里只有逻辑那么简单,运动控制、总线、HMI、

掺稀土元素(Y,La)的γ-Si_3N_4的电子结构和光学性质

采用基于密度泛函的平面赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA),计算了未掺杂和掺杂稀土(Y,La)的γ-Si3N4中N-Y(La)键的布居值和它们的键长、掺杂后能带结构和态密度.发现掺杂后的带隙要减小,并且可能形成新的半导体,这将为找到新的半导体提供一个方向.还进一步研究了掺杂稀土(Y,La)后的光学性质,掺杂后有更高的静态介电常数,可以作为新的介电材料和好的折射材料,这对于一定的光学元件有潜在的应用前景.