低阻α-Ta栅电极材料的制备与研究

研究了溅射Ｔａ膜的电学和结构特性与Ｎ２气分压的关系，并确定了电学性能稳定的低阻α－Ｔａ薄膜（电阻率３４μΩ·ｃｍ）的制备工艺条件。

Ta/Cr复合涂层的磁控溅射沉积与性能优化

目的在Ta涂层与基体之间引入Cr缓冲层,研究不同Cr缓冲层厚度(447~1503 nm)对涂层物相结构、微观形貌、力学性能、结合性能及摩擦磨损性能的影响,以提高Ta涂层与不锈钢基体间结合力,提升Ta/Cr复合涂层的性能。方法采用磁控溅射技术,在PCrNi1MoA合金钢基体上引入Cr缓冲层,构筑Ta/Cr复合涂层。采用X射线衍射仪分析Ta涂层的物相结构,采用扫描电子显微镜观察Ta/Cr复合涂层表面和截面的形貌特征,测量其厚度,观察截面致密度。利用纳米压痕仪测试Ta/Cr复合涂层的力学性能,利用洛氏硬度计和划痕仪测试涂层与基体的结合情况,并利用摩擦磨损仪对材料的耐磨性能进行测试。结果缓冲层厚度在447~1283 nm时,可以得到单一物相的α-Ta涂层;缓冲层厚度为1283 nm时,Ta涂层具有优异的力学性能,硬度达到11.42 GPa,弹性模量为179 GPa,且界面结合力超过30 N,并且表现出优异的摩擦磨损特性,摩擦因数仅0.3~0.4,磨损率低至0.011×10^(-6) mm^(3)/(N·m)。结论Cr缓冲层厚度的变化显著影响Ta/Cr复合涂层的物相结构、晶粒尺寸及表面形貌,进而影响基体与Ta涂层间的结合力以及涂层的力学性能,引入一定厚度的Cr缓冲层有利于制备优异力学和摩擦磨损性能的α-Ta涂层,且与基体结合性能良好。

ERα基因TA重复序列多态性与月经过少中医证候相关性研究

目的探讨雌激素受体α(ERa)基因TA(胸腺嘧啶thymine,腺嘌吟adenine)重复序列多态性在不明原因月经过少人群中的分布情况及其与中医证候的相关性。方法采用测序方法检测TA重复序列的重复次数,比较月经过少组及正常人群的TA重复序列多态性的分布差异及其在不同中医证候间的分布差异。结果 1TA重复序列与原因不明月经过少存在相关性,实验组TA 19等位基因频率(22.73%)高于对照组(4.55%),差异有显著性(P=0.007);2TA 19等位基因型针对月经过少不同证候的构成比:肾虚型<血瘀型<血虚型,经卡方检验无统计学差异(χ2=5.137,P=0.077),肾虚型与血虚型经卡方检验有统计学意义(χ2=4.574,P=0.032,OR值=0.283)。结论ERa基因多态性TA重复序列与不明原因月经过少存在相关性,TA 19等位基因可能是其易感因素,但其与中医证候的相关性无统计学意义。