一步水热法制备无水硫酸钙晶须

以生石膏为原料,六水氯化镁为形貌控制剂,采用水热法一步合成了无水硫酸钙晶须。借助SEM、TEM、XRD和XPS等测试手段考察了水热条件对无水硫酸钙晶须的影响,研究了无水硫酸钙晶须的生长过程。结果表明:镁/钙摩尔比n（Mg Cl2·6H2O）/n（Ca SO4·2H2O）=2.5,反应温度180℃,反应时间2 h,可生长出长度为2040μm,直径0.52μm的无水硫酸钙晶须。无水硫酸钙晶须生长过程为:片状Ca SO4·2H2O-纤维状Ca SO4·0.5H2O-纤维状Ca SO4。

六水合氯化铁及七水合硫酸亚铁的导热系数的测量研究

用热敏电阻作加热元件和测温元件 ,采用比较法首次测定了适合用作相变储能材料的六水合氯化铁、七水合硫酸亚铁在 10～ 80℃的导热系数 ,其实验导热系数的不准确度依次为 :± 2 .4 8%和± 2 .31% .同时 ,还报道了实验中观测到的六水合氯化铁、七水合硫酸亚铁的熔点依次为 35℃和 6 5℃ ,这些测量值在 1～

用于滤波器的圆柱形硫酸镍晶体的定向生长

为了提高硫酸镍晶体的生长效率和晶体制做滤波器元件的效率 ,我们发现一种生长圆柱形硫酸镍晶体α -NSH(α -NiSO4 ·6H2 O)的新方法。用溶液降温法生长出直径 30～ 4 0mm ,长 4 0mm的圆柱形大单晶 ,晶体 (0 0 1)方向的生长速度控制在 1～ 1.5mm/d。该法生长的圆柱形晶体在紫外波段有优良的光学性能 ,定向生长与一般的传统方法相比较 ,除了提高晶体生长效率 6倍外 ,在制做滤光器元件的效率、时间和成本都有显著的优点。

α型六水合硫酸镍结晶过程粒度控制工艺研究

采用固液平衡法测定了31.5~53.0℃分析纯α型六水合硫酸镍在水中的溶解度,并利用固液平衡经验方程拟合出对应温度下的溶解度方程。采用目测法测定了分析纯α型六水合硫酸镍在31.5~53.0℃的介稳区宽度,为结晶工艺条件优化提供了依据。系统考察了降温速率、晶种粒度、晶种添加量以及溶液初始p H对α型六水合硫酸镍结晶粒度的影响,初步确定了优化的结晶工艺条件。

半干法镁基脱硫产物的水浸处理

目前镁基脱硫产物的处理主要集中在湿法镁基脱硫产物,在半干法镁基脱硫产物的处理利用方面少有报道。为了解决这一问题,本文采用了水浸泡的方法对半干法镁基脱硫产物进行处理,研究浸泡次数、浸泡温度和浸泡时间对脱硫产物的影响,通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线荧光光谱仪(XRF)对产物进行分析。结果表明:水浸后的脱硫产物分为水溶液、固体块状物和沉渣三部分。溶液中的溶质主要是硫酸镁和氯化镁,第一次浸泡硫酸镁和氯化镁的浸出量达8.85%,远高于第二次浸泡的2.33%,浸泡温度为70℃时得到的硫酸镁和氯化镁比室温和50℃多0.14%~3%,浸泡3天后溶液密度几乎不再变化;固体块状物主要成分为氢氧化镁和少量的硫酸盐和氯化物;沉渣主要成分是氢氧化镁。水浸处理可以完成脱硫产物的再利用。

硫酸铝铵-氯化氢反应制备六水氯化铝过程中晶体形貌的研究

以十二水合硫酸铝铵为原料,采用氯化氢通气结晶法制备了六水氯化铝晶体,考察了通气速率、通气时间、反应温度、铝离子初始浓度对六水氯化铝晶体形貌的影响。结果表明,50 m L硫酸铝铵酸溶液中,当通气速率为60 mL/min、通气时间为2 h、反应温度为30℃、铝离子初始质量浓度为20 g/L时,可以得到形貌比较规整的棱柱形六水氯化铝晶体。该研究为提取、制备高品质六水氯化铝晶体提供了技术参考。

元明粉母液生产一水硫酸镁的工艺研究

以元明粉母液和六水氯化镁为原料,根据Na+,Mg2+//C l-,SO42-.H2O四元相图,生产一水硫酸镁和氯化钠,确定了最佳工艺条件:配料时元明粉母液过量10%;反应温度为55℃;蒸发温度为100℃;蒸发溶液终点密度为1.326 g/cm3。在小试验基础上进行了放大实验,结果表明:产品一水硫酸镁达到Q/YHJ-03-022-2004一水硫酸镁优等品指标;产品氯化钠达到GB 5462—1992工业盐指标。此工艺使影响元明粉产品质量的母液及其杂质氯化镁都得到了合理利用,同时也解决了元明粉公司由于每年盐池自然产的硫酸镁产量受到限制,从而使一水硫酸镁产量无法扩大的问题。

城市污水处理厂对COD_(Cr)测定的改进

介绍了污水处理厂化验室用重铬酸钾法同时测定污水处理前和处理后的CODCr浓度时,重铬酸钾溶液的浓度改为0.0500mol/L,硫酸亚铁铵溶液的浓度改为0.02mol/L,不但不会影响测定结果,还能有效地降低化验成本,节约工作时间,同时减少化验室废水对环境造成的二次污染。