Si(111)衬底上离子束溅射沉积法生长β-FeSi_2薄膜的研究

采用离子束溅射Fe靶的方法在500～800℃的Si(111)衬底上制备出不同种类的铁硅化合物。当衬底温度为700℃时得到厚度为500nm的单相的β-FeSi_2薄膜,高分辨透射电镜证实该β-FeSi_2薄膜为局部外延,薄膜和Si衬底之间界面明显,没有中间层。