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β-Si_3N_4/环氧树脂电子模塑料的导热性能研究 被引量:9
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作者 祝渊 陈克新 +1 位作者 金海波 傅仁利 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1201-1205,共5页
选用β-Si_3N_4粉体代替传统的SiO_2填料与环氧树脂复合,制备新型高导热电子模塑料.初步研究了单独添加β-Si_3N_4及与SiO_2复合添加对复合材料导热性能的影响.结果表明:β-Si_3N_4粉体可以显著提高复合材料的导热性能,当填充率达到50v... 选用β-Si_3N_4粉体代替传统的SiO_2填料与环氧树脂复合,制备新型高导热电子模塑料.初步研究了单独添加β-Si_3N_4及与SiO_2复合添加对复合材料导热性能的影响.结果表明:β-Si_3N_4粉体可以显著提高复合材料的导热性能,当填充率达到50vol%时,β-Si_3N_4填充复合材料热导为SiO_2填充复合材料的约3.8倍.并在实验基础上,探讨了复合材料的热导率计算模型,给出了单一填充和复合填充复合材料的Agari热导率计算模型表达式及相关参数. 展开更多
关键词 β—si3n4 二氧化硅 电子模塑料 热导率
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添加β-Si_3N_4棒晶对氮化硅陶瓷力学性能的影响 被引量:6
2
作者 陈殿营 张宝林 +1 位作者 庄汉锐 李文兰 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期1139-1142,共4页
将由自蔓延燃烧合成法制备的β—Si3N4棒晶加入到α-Si3N4起始原料中,研究了热压烧结氮化硅陶瓷力学性能的变化.随棒晶添加量的增加,材料的韧性提高,抗弯曲强度下降.与不加棒晶相比,加入8wt%的β-Si3N4棒晶可使陶瓷的韧性从4.0MPa·... 将由自蔓延燃烧合成法制备的β—Si3N4棒晶加入到α-Si3N4起始原料中,研究了热压烧结氮化硅陶瓷力学性能的变化.随棒晶添加量的增加,材料的韧性提高,抗弯曲强度下降.与不加棒晶相比,加入8wt%的β-Si3N4棒晶可使陶瓷的韧性从4.0MPa·m1/2提高到6.7MPa·m1/2.断口形貌和压痕裂纹的显微结构观察表明,韧性的提高源于长柱状晶粒的拔出和裂纹的偏转. 展开更多
关键词 β—si3n4棒晶 氮化硅 断裂韧性
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自蔓延高温合成β-Si_3N_4棒晶
3
作者 彭桂花 梁振华 +1 位作者 李庆余 王红强 《广西师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2008年第4期103-106,共4页
以MgSiN2作为生长助剂自蔓延高温合成β-Si3N4棒晶,并对其生长机理进行探讨。结果表明,添加少量MgSiN2可以制备出高长径比β-Si3N4棒晶,而过多的MgSiN2不利于β-Si3N4棒晶生长。自蔓延燃烧过程中,MgSiN2与原料表面的氧化硅形成Mg-Si-O-... 以MgSiN2作为生长助剂自蔓延高温合成β-Si3N4棒晶,并对其生长机理进行探讨。结果表明,添加少量MgSiN2可以制备出高长径比β-Si3N4棒晶,而过多的MgSiN2不利于β-Si3N4棒晶生长。自蔓延燃烧过程中,MgSiN2与原料表面的氧化硅形成Mg-Si-O-N液相,促使β-Si3N4以气-液-固机理快速生长。 展开更多
关键词 自蔓延高温合成 β—si3n4 棒晶 Mgsin2
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h-BN/Si_3N_4陶瓷复合材料的断裂行为及断裂韧性 被引量:7
4
作者 魏大庆 孟庆昌 贾德昌 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期229-232,共4页
以亚微米级α-Si3N4和h-BN粉末为原料,Y2O3-Al2O3为助烧剂,采用热压烧结制备了h-BN/Si3N4陶瓷复合材料.研究3h-BN含量对h-BN/Si3N4陶瓷复合材料断裂韧性及其断裂行为的影响.结果表明:随着h-BN含量增加,柱状β-Si3N4晶粒的直径和长径比... 以亚微米级α-Si3N4和h-BN粉末为原料,Y2O3-Al2O3为助烧剂,采用热压烧结制备了h-BN/Si3N4陶瓷复合材料.研究3h-BN含量对h-BN/Si3N4陶瓷复合材料断裂韧性及其断裂行为的影响.结果表明:随着h-BN含量增加,柱状β-Si3N4晶粒的直径和长径比均下降;未加h-BN时,β-Si3N4陶瓷以沿晶断裂为主,添加体积含量为6%和8%的h-BN后,复合材料出现明显的沿晶和穿晶断裂,而添加10%h-BN的陶瓷复合材料则以沿晶断裂为主.随着h-BN含量增加,h-BN/Si3N4陶瓷复合材料的断裂韧性下降,但由于h-BN颗粒对裂纹扩展的影响,因而其下降程度不大. 展开更多
关键词 h-Bn/si3n4陶瓷复合材料 显微结构 β-si3n4晶粒 断裂行为 断裂韧性
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β-Si_3N_4陶瓷热导率的研究现状 被引量:6
5
作者 范德蔚 张伟儒 刘俊成 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期1105-1109,共5页
β-Si3N4陶瓷具有较高的热导率(200~320 W.m-1.K-1),在高速电路和大功率器件散热及封装材料等领域展现了良好的应用前景,并引起广泛关注。基于氮化硅陶瓷导热机理,本文阐述了影响β-Si3N4陶瓷热导率的因素,并从原料的选取、烧结助剂的... β-Si3N4陶瓷具有较高的热导率(200~320 W.m-1.K-1),在高速电路和大功率器件散热及封装材料等领域展现了良好的应用前景,并引起广泛关注。基于氮化硅陶瓷导热机理,本文阐述了影响β-Si3N4陶瓷热导率的因素,并从原料的选取、烧结助剂的选择、晶种的引入和工艺控制四个方面,介绍了国内外提高其热导率的研究进展。 展开更多
关键词 Β-si3n4 热导率 因素 方法
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高热导β-Si3N4陶瓷的研究进展 被引量:4
6
作者 彭桂花 梁振华 李文兰 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第7期21-24,共4页
从热导率的影响因素、制备方法及力学电学性能3方面归纳了高热导β-Si3N4陶瓷的研究进展,并对高热导β-Si3N4陶瓷存在的问题和今后的研究方向提出了几点看法。
关键词 β-si3 n4陶瓷 热导率 力学性能 电学性能
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β-Si_3N_4含量对Y_2O_3-MgO-α-Si_3N_4陶瓷性能的影响 被引量:2
7
作者 李荐 李淳伟 +5 位作者 周宏明 黄祖琼 刘凡 李艳芬 杨俊 杨亮 《矿冶工程》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期91-93,共3页
利用扫描电子显微分析等手段,研究了棒状β-Si3N4含量对Y2O3-MgO-α-Si3N4陶瓷致密度、力学性能和显微结构的影响,确定了β-Si3N4和α-Si3N4的适宜配比。结果显示:随着β-Si3N4含量的增加,Y2O3-MgO-α-Si3N4陶瓷材料致密度和力学性能均... 利用扫描电子显微分析等手段,研究了棒状β-Si3N4含量对Y2O3-MgO-α-Si3N4陶瓷致密度、力学性能和显微结构的影响,确定了β-Si3N4和α-Si3N4的适宜配比。结果显示:随着β-Si3N4含量的增加,Y2O3-MgO-α-Si3N4陶瓷材料致密度和力学性能均先增加后降低,当β-Si3N4含量达到40%时,陶瓷致密度和力学性能同时达到最大,此时致密度为93%,横向断裂强度为583.4 MPa,断裂韧性为5.42 MPa.m1/2。 展开更多
关键词 陶瓷 Β-si3n4 Y2O3-MgO-α-si3n4 力学性能 显微组织
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β-Si_3N_4晶种的制备、性能与机理研究 被引量:2
8
作者 于方丽 白宇 +3 位作者 杜军 于平平 王俭志 杨建锋 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1595-1601,共7页
本论文通过对β-Si3N4粉末的加入量、烧结助剂的种类及煅烧温度等参数的合理选择及优化,达到对β-Si3N4晶粒尺寸和形貌的有效控制,并探讨分析β-Si3N4晶种的反应机理。以MgO、Y2O3及SiO2为助烧剂,加入一定量的β-Si3N4粉末,通过对原始α... 本论文通过对β-Si3N4粉末的加入量、烧结助剂的种类及煅烧温度等参数的合理选择及优化,达到对β-Si3N4晶粒尺寸和形貌的有效控制,并探讨分析β-Si3N4晶种的反应机理。以MgO、Y2O3及SiO2为助烧剂,加入一定量的β-Si3N4粉末,通过对原始α-Si3N4粉末进行热处理,经去除掉玻璃相等漂洗工艺后,制备出相变充分、具有柱状形貌β-Si3N4晶种。重点研究了β-Si3N4粉末加入量及助烧剂种类对Si3N4相变、晶体形貌及晶粒尺寸分布的影响。研究结果表明:β-Si3N4粉末添加量10 wt%、MgO添加量5 wt%时,在1750℃下热处理1.5 h能得到具有比较理想长径比、缺陷少且晶粒尺寸与长径比分布较均匀β-Si3N4晶种,平均长径比接近于7.0。 展开更多
关键词 烧结助剂 β-氮化硅 晶种
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原位增韧β-Si_3N_4/α-Sialon复相陶瓷 被引量:4
9
作者 武安华 葛昌纯 《北京科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期627-629,共3页
通过XRD,SEM和力学性能测试研究了β-Si3N4/α-Sialon复相陶瓷热压烧结的致密化、相组成、力学性能和微观结构.结果表明,β-Si3N4/α-Sialon复相陶瓷综合了β-Si3N4和α-Sia-lon的力学性能,可通过改变起始粉末的组成,可以调整相组成及... 通过XRD,SEM和力学性能测试研究了β-Si3N4/α-Sialon复相陶瓷热压烧结的致密化、相组成、力学性能和微观结构.结果表明,β-Si3N4/α-Sialon复相陶瓷综合了β-Si3N4和α-Sia-lon的力学性能,可通过改变起始粉末的组成,可以调整相组成及裁剪材料的力学性能.由于加人具有大的长径比的物相β-Si3N4,提高了材料的强度和韧性. 展开更多
关键词 原位增韧 Β-si3n4 Α-siALOn 复相陶瓷 热压烧结 力学性能 微观结构
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β-Si_3N_4涂层抗脱落性及对高效多晶硅性能的影响 被引量:1
10
作者 黄金亮 李永乐 +2 位作者 李飞龙 李丽华 李新利 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第12期3271-3275,共5页
采用喷涂法分别制备以α-Si_3N_4粉和β-Si_3N_4粉为原料的坩埚内壁用氮化硅涂层,进行烧结和多晶硅铸锭,利用扫描电子显微镜分析铸锭前后涂层形貌、X射线衍射分析仪分析铸锭前后涂层物相、少子寿命测试仪检测硅锭少子寿命以及红区长度... 采用喷涂法分别制备以α-Si_3N_4粉和β-Si_3N_4粉为原料的坩埚内壁用氮化硅涂层,进行烧结和多晶硅铸锭,利用扫描电子显微镜分析铸锭前后涂层形貌、X射线衍射分析仪分析铸锭前后涂层物相、少子寿命测试仪检测硅锭少子寿命以及红区长度等。结果表明:与α-Si_3N_4涂层相比,β-Si_3N_4涂层铸锭后高温稳定性强,与石英坩埚结合牢固,几乎无脱落现象。铸锭后α-Si_3N_4涂层颗粒呈类球形、竖直堆垛于坩埚表面,而β-Si_3N_4涂层颗粒呈六方短柱体、平行叠加于坩埚表面,恰好垂直于杂质扩散方向,故更有利于阻挡杂质的扩散。在不显著影响少子寿命的基础上,β-Si_3N_4涂层坩埚铸成的硅锭边缘红区更短、成品率更高。 展开更多
关键词 β-si3n4涂层 相转变 少子寿命 边缘红区 抗脱落性能
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多孔HAp-(β-Ca_3(PO_4)_2)-Si_3N_4生物复合材料的力学性能与微观结构 被引量:2
11
作者 刘爱红 李爱民 孙康宁 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期14-17,共4页
利用有机泡沫浸渍结合无压烧结的方法成功制备了大孔径、高孔隙率,不同氮化硅含量的HAp-(-βCa3(PO4)2)-Si3N4生物复合材料。测定了复合材料的抗压强度、显微硬度和孔隙率等性能。发现复合材料具有一定的抗压强度,其孔隙率较高,均超过45... 利用有机泡沫浸渍结合无压烧结的方法成功制备了大孔径、高孔隙率,不同氮化硅含量的HAp-(-βCa3(PO4)2)-Si3N4生物复合材料。测定了复合材料的抗压强度、显微硬度和孔隙率等性能。发现复合材料具有一定的抗压强度,其孔隙率较高,均超过45%。随着复合材料中氮化硅含量的增加,复合材料的孔隙率呈现出上升的趋势,但其显微硬度和抗压强度则先升高后降低。利用SEM观察了复合材料的断口形貌,发现复合材料中孔径从几十微米到500μm左右,孔隙相互贯通,可满足工程支架材料的要求。 展开更多
关键词 羟基磷灰石(HAp) β-TCP(β-Ca3(PO4)2) 氮化硅(si3n4) 多孔材料
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C掺杂β-Si_3N_4的电子结构和光学性质
12
作者 潘洪哲 《临沂师范学院学报》 2008年第6期30-33,共4页
运用密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA),对替代式C掺杂β-Si3N4的超晶胞电子结构进行了模拟计算,分析了β-Si3N4:C的电子结构和光学性质.对C掺杂前后电子结构的异同以及价键的一些性质进行了对比分析发现,由于C的掺杂,价... 运用密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA),对替代式C掺杂β-Si3N4的超晶胞电子结构进行了模拟计算,分析了β-Si3N4:C的电子结构和光学性质.对C掺杂前后电子结构的异同以及价键的一些性质进行了对比分析发现,由于C的掺杂,价带宽度展宽,导带宽度和禁带宽度均变窄;态密度出现了几个新的峰,平均峰值有所减小.通过对比分析光吸收系数发现,相对于β-Si3N4的光吸收系数,β-Si3N4:C的吸收系数有所降低,并且向长波方向移动,100nm处的吸收峰向长波方向移动约11.8nm. 展开更多
关键词 平面波赝势方法 密度泛函理论 b相氮化硅 C掺杂
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以β-Sialon为过渡层的Si_3N_4-Al_2O_3梯度材料的微波烧结行为及性能 被引量:1
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作者 易文龙 马国斯 +1 位作者 谢襄漓 王林江 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期1481-1487,共7页
在粉末叠层基础上于1550℃,保温30 min的微波烧结条件下,合成了以β-Sialon为过渡层,Si3N4和Al2O3为端元组分的梯度材料。SEM分析显示烧结试样表面气孔少,晶粒之间排列紧密,结构均匀;XRD分析表明由于组分之间的固溶反应,梯度材料中β-Si... 在粉末叠层基础上于1550℃,保温30 min的微波烧结条件下,合成了以β-Sialon为过渡层,Si3N4和Al2O3为端元组分的梯度材料。SEM分析显示烧结试样表面气孔少,晶粒之间排列紧密,结构均匀;XRD分析表明由于组分之间的固溶反应,梯度材料中β-Sialon相的z值在1~3范围内呈现规律性变化。各烧结试样的体积密度在2.9~3.5 g/cm3之间,相对密度在90%~96%之间,热膨胀系数随着成份的变化而呈现出从Al2O3端到Si3N4端呈逐渐下降的趋势。 展开更多
关键词 微波烧结 梯度材料 Β-siALOn si3n4 AL2O3
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腐蚀模板法获取高长径比β-Si3N4晶种的工艺参数研究 被引量:1
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作者 袁帅 郑彧 +2 位作者 李涤寒 童亚琦 张跃 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2020年第2期561-567,共7页
采用腐蚀模板法对氮化硅陶瓷薄板进行熔融碱腐蚀处理获取β-Si3N4晶种。研究了腐蚀介质、时间对晶粒形貌及分散性的影响。优化了超声、磁力搅拌、研磨三种晶粒剥离的方法,确认磁力搅拌的方法是最佳的剥离工艺。通过X射线衍射和扫描电子... 采用腐蚀模板法对氮化硅陶瓷薄板进行熔融碱腐蚀处理获取β-Si3N4晶种。研究了腐蚀介质、时间对晶粒形貌及分散性的影响。优化了超声、磁力搅拌、研磨三种晶粒剥离的方法,确认磁力搅拌的方法是最佳的剥离工艺。通过X射线衍射和扫描电子显微镜对产物进行了微观形貌观察及物相分析,结果显示获得的晶种为高纯度β-Si3N4,粒径范围为2~10μm,最高长径比可达10以上。 展开更多
关键词 腐蚀模板法 β-si3n4晶种 氮化硅流延基板
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SPS法制备β-Si3N4/MoSi2基复合材料的工艺研究
15
作者 朱钢 吴海飞 +3 位作者 陈胜 文小浩 费有静 徐金富 《中国材料科技与设备》 2008年第1期73-75,共3页
本文用放电等离子烧结(SPS)制备了β—si3N4/MoSi2基复合材料,研究了烧结工艺对B—Si3N4/MoSi2基复合材料显微组织与力学性能的影响。结果表明:当烧结温度为1450℃,升温速率为100℃/min,B—Si3N4含量为20%时,β-Si3N4/MoSi... 本文用放电等离子烧结(SPS)制备了β—si3N4/MoSi2基复合材料,研究了烧结工艺对B—Si3N4/MoSi2基复合材料显微组织与力学性能的影响。结果表明:当烧结温度为1450℃,升温速率为100℃/min,B—Si3N4含量为20%时,β-Si3N4/MoSi2基复合材料的组织与性能较优。 展开更多
关键词 MOsi2基复合材料 放电等离子烧结(SPS) B—si3n4 烧结工艺
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热压添加复合助剂的Si_3N_4陶瓷的显微结构与力学性能 被引量:1
16
作者 汪晓霞 施占华 +1 位作者 李熙章 肖旭东 《现代技术陶瓷》 CAS 1994年第3期8-12,共5页
本工作对两种成分的Si_3N_4陶瓷进行了热压烧结。测定了密度、硬度、抗弯强度、断裂韧性等性能指标。在扫描电镜下进行了显微结构及断口观察。研究表明,同时加入几种添加剂(Y_2O_3、MgO、AIN、Al_2O_3等)对形成均匀致密、长径比大,粒径... 本工作对两种成分的Si_3N_4陶瓷进行了热压烧结。测定了密度、硬度、抗弯强度、断裂韧性等性能指标。在扫描电镜下进行了显微结构及断口观察。研究表明,同时加入几种添加剂(Y_2O_3、MgO、AIN、Al_2O_3等)对形成均匀致密、长径比大,粒径小的柱状β-Si_3N_4有利,高的断裂韧性和抗弯强度的获得主要取决于以柱状β晶为基本特征的显微结构。 展开更多
关键词 氮化硅陶瓷 柱状β晶 断裂韧性
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Compression behavior and phase transition of β-Si_3N_4 under high pressure 被引量:1
17
作者 龚红霞 寇自力 +7 位作者 樊聪 梁浩 王齐明 张雷雷 彭放 杨鸣 倪小林 刘景 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第5期400-404,共5页
The compressibility and pressure-induced phase transition of β-Si3N4 were investigated by using an angle dispersive x-ray diffraction technique in a diamond anvil cell at room temperature. Rietveld refinements of the... The compressibility and pressure-induced phase transition of β-Si3N4 were investigated by using an angle dispersive x-ray diffraction technique in a diamond anvil cell at room temperature. Rietveld refinements of the x-ray powder diffraction data verified that the hexagonal structure(with space group P63/m, Z = 2 formulas per unit cell) β-Si3N4 remained stable under high pressure up to 37 GPa. Upon increasing pressure, β-Si3 N4 transformed to δ-Si3N4 at about 41 GPa. The initial β-Si3N4 was recovered as the pressure was released to ambient pressure, implying that the observed pressureinduced phase transformation was reversible. The pressure–volume data of β-Si3N4 was fitted by the third-order Birch–Murnaghan equation of state, which yielded a bulk modulus K0= 273(2) GPa with its pressure derivative K0= 4(fixed)and K0= 278(2) GPa with K 0= 5. Furthermore, the compressibility of the unit cell axes(a and c-axes) for the β-Si3N4 demonstrated an anisotropic property with increasing pressure. 展开更多
关键词 phase transition bulk modulus Β-si3n4 high pressure in situ x-ray diffraction
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SHS法合成低游离硅亚微米级β-Si_3N_4研究 被引量:1
18
作者 张英才 王声宏 +1 位作者 韩文成 孔祥玖 《粉末冶金工业》 CAS 北大核心 2005年第2期1-4,共4页
本文采用SHS工艺对低游离硅(Sif<1% )亚微米级β-Si3N4 的制备进行了研究,在研究中采用细硅粉团粒作为原料,试验结果表明:用团粒为原料合成的β-Si3N4 粒度为0 71μm时,其游离硅含量为0 6 5 % ,而采用常规的硅粉为原料时,当β-Si3... 本文采用SHS工艺对低游离硅(Sif<1% )亚微米级β-Si3N4 的制备进行了研究,在研究中采用细硅粉团粒作为原料,试验结果表明:用团粒为原料合成的β-Si3N4 粒度为0 71μm时,其游离硅含量为0 6 5 % ,而采用常规的硅粉为原料时,当β-Si3N4 粒度为0 6 9μm时,游离硅的含量高达1 98%。 展开更多
关键词 自蔓延高温合成(SHS)或燃烧合成(CS) Β-si3n4 结构陶瓷
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Si,Lu掺杂Ca_(0.8)Zn_(0.2)TiO_3∶Pr^(3+)荧光粉的光学性能改善 被引量:3
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作者 李金银 彭志雄 +4 位作者 余丽萍 周文理 邱忠贤 李承志 廉世勋 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期643-652,共10页
采用高温固相法合成Ca_(0.8)Zn_(0.2)TiO_3∶0.2%Pr^(3+),Si^(4+)和Ca_(0.8)Zn_(0.2)TiO_3∶0.2%Pr^(3+),Si^(4+),Lu^(3+)荧光粉。通过X射线衍射仪、电子顺磁共振光谱仪、显微拉曼光谱仪和荧光光谱仪等表征了该系列荧光粉的物相组成、... 采用高温固相法合成Ca_(0.8)Zn_(0.2)TiO_3∶0.2%Pr^(3+),Si^(4+)和Ca_(0.8)Zn_(0.2)TiO_3∶0.2%Pr^(3+),Si^(4+),Lu^(3+)荧光粉。通过X射线衍射仪、电子顺磁共振光谱仪、显微拉曼光谱仪和荧光光谱仪等表征了该系列荧光粉的物相组成、微观结构和发光性质。结果表明,以β-Si_3N_4为硅源制备的荧光粉具有最佳的光学性能。加入ZnO后,荧光粉由CaTiO_3、Zn_2TiO_4和Ca_2Zn_4Ti_(16)O_(38)三相组成,其中CaTiO_3为主相。电子顺磁共振谱证实了Pr^(4+)存在,Lu^(3+)的添加使[Pr^(4+)Ti^(3+)O_3]^+簇显著增加,电子顺磁共振谱和拉曼光谱均证实Si^(4+)、Lu^(3+)的掺杂使局部TiO_6簇对称性提高,有利于Pr^(3+)发光中心的能量传递。在336nm激发下,荧光粉展示了很强的位于612nm的红光发射(归属于Pr^(3+)的~1D_2→~3H_4跃迁)及理想的红光色坐标(x=0.670,y=0.330)。Si^(4+)和Lu^(3+)的添加显著增强了370nm激发下红光发射,Ca_(0.8)Zn_(0.2)TiO_3∶0.2%Pr^(3+),3.2%Si^(4+)荧光粉的余辉寿命最长。 展开更多
关键词 Ca0.8Zn0.2TiO3∶Pr^3+ Β-si3n4 Lu^3+掺杂 红色长余辉
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B,P掺杂β-Si_3N_4的电子结构和光学性质研究 被引量:4
20
作者 程超群 李刚 +4 位作者 张文栋 李朋伟 胡杰 桑胜波 邓霄 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期303-309,共7页
运用第一性原理方法,计算了B,P两种元素单掺杂和共掺杂的β-Si_3N_4材料的电子结构和光学性质.结果表明:B掺杂体系的稳定性更高,而P掺杂体系的离子性更强;单掺和共掺杂均窄化带隙,且共掺在禁带中引入深能级,使局域态增强;单掺杂体系介... 运用第一性原理方法,计算了B,P两种元素单掺杂和共掺杂的β-Si_3N_4材料的电子结构和光学性质.结果表明:B掺杂体系的稳定性更高,而P掺杂体系的离子性更强;单掺和共掺杂均窄化带隙,且共掺在禁带中引入深能级,使局域态增强;单掺杂体系介电函数虚部、吸收谱和能量损失谱各峰均发生红移、幅值减小,而共掺后介电函数虚部主峰出现蓝移、能量损失峰展宽、高能区电子跃迁大大增强,且控制共掺杂的B,P比例可获得较低的带电缺陷浓度. 展开更多
关键词 β相氮化硅 掺杂 第一性原理 光电性质
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