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基于平面工艺硅探测器的β伏打微核能电池
1
作者
张凯
何高魁
+3 位作者
黄小健
刘洋
孟欣
郝晓勇
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第11期1218-1222,共5页
简要叙述了利用平面工艺硅探测器和放射性同位素构成的β伏打微核能电池的原理,比较了不同灵敏面积硅探测器对β伏打微核能电池开路电压的影响。实验证明,单个β伏打微核能电池的开路电压可达到0.15 V~0.3 V,采用串、并联方式可以获得...
简要叙述了利用平面工艺硅探测器和放射性同位素构成的β伏打微核能电池的原理,比较了不同灵敏面积硅探测器对β伏打微核能电池开路电压的影响。实验证明,单个β伏打微核能电池的开路电压可达到0.15 V~0.3 V,采用串、并联方式可以获得较大的输出功率。
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关键词
β伏打微核能电池
平面工艺
硅探测器
下载PDF
职称材料
题名
基于平面工艺硅探测器的β伏打微核能电池
1
作者
张凯
何高魁
黄小健
刘洋
孟欣
郝晓勇
机构
中国原子能科学研究院
出处
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第11期1218-1222,共5页
文摘
简要叙述了利用平面工艺硅探测器和放射性同位素构成的β伏打微核能电池的原理,比较了不同灵敏面积硅探测器对β伏打微核能电池开路电压的影响。实验证明,单个β伏打微核能电池的开路电压可达到0.15 V~0.3 V,采用串、并联方式可以获得较大的输出功率。
关键词
β伏打微核能电池
平面工艺
硅探测器
Keywords
beta voltaic micro-nuclear battery
planar technology
silicon detector
分类号
TL814 [核科学技术—核技术及应用]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于平面工艺硅探测器的β伏打微核能电池
张凯
何高魁
黄小健
刘洋
孟欣
郝晓勇
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011
0
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