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基于平面工艺硅探测器的β伏打微核能电池
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作者 张凯 何高魁 +3 位作者 黄小健 刘洋 孟欣 郝晓勇 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第11期1218-1222,共5页
简要叙述了利用平面工艺硅探测器和放射性同位素构成的β伏打微核能电池的原理,比较了不同灵敏面积硅探测器对β伏打微核能电池开路电压的影响。实验证明,单个β伏打微核能电池的开路电压可达到0.15 V~0.3 V,采用串、并联方式可以获得... 简要叙述了利用平面工艺硅探测器和放射性同位素构成的β伏打微核能电池的原理,比较了不同灵敏面积硅探测器对β伏打微核能电池开路电压的影响。实验证明,单个β伏打微核能电池的开路电压可达到0.15 V~0.3 V,采用串、并联方式可以获得较大的输出功率。 展开更多
关键词 β伏打微核能电池 平面工艺 硅探测器
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