一种碳化硅纳米线的合成方法

采用纳米二氧化硅（SiO2）作为硅源，以蔗糖（C12H22O11）炭化做碳源并包裹纳米二氧化硅颗粒，在高温真空炉中合成出尺寸均匀直径在15～30nm、长度在微米级的β型碳化硅（SiC）纳米线。运用X射线衍射技术、透射电子显微测量等对碳化硅纳米线进行了检测表征。对合成工艺进行优化，研究结果表明：采用这种方法合成SiC纳米线的最佳温度范围在1300-1340℃，反应时间为20-40min。

无压烧结Al_2O_3/SiC纳米复相陶瓷的研究

将粒径为 3 0～ 3 5nm的 β -SiC粉 ,加入亚微米尺寸的α-Al2 O3粉料中 ,通过无压烧结工艺 ,制备出了Al2 O3/SiC纳米复相陶瓷 .烧结体相对密度达到 98.82 % ,抗弯强度和断裂韧性分别达到 489MPa和 6.67MPa·m1 / 2 .SEM分析发现 :纳米SiC颗粒镶嵌于氧化铝晶界 ,形成了由Al2 O3-SiC -Al2 O3晶粒间搭桥联结的界面与SiC -Al2 O3之间牢固结合的相界组成的复合界面 ,改善了晶界结构 ,极大地提高强度和韧性 .同时发现纳米强化相中O2 含量对烧结体密度和组织结构有重要影响 .用Si/C/N非晶复合粉作为强化相也进行了对比实验 .

煤矸石制β-SiC调节α-SiC的导电性能研究

用煤研石低温合成制取的β－ＳｉＣ微粉来调节α－ＳｉＣ的非线性导电性能，取得了良好效果。讨论了β－ＳｉＣ的导电机理和粒度、含量对α－ＳｉＣ非线性导电性能的影响。指出了有可能用β－ＳｉＣ代替α－ＳｉＣ作防晕材料，从而使材料成本大大降低。