磷脂酰肌醇-3-激酶(PI3K)δ抑制剂Idelalisib中间体(S)-2-(1-氨基丙基)-5-氟-3-苯基-4(3H)-喹唑啉酮盐酸盐的合成及晶体结构表征

以(S)-2-(叔丁氧羰基氨基)丁酸和2-氨基-6-氟苯甲酸为起始原料,经环合,然后与苯胺反应,再在盐酸的作用下,脱Boc、成盐酸盐,即得(S)-2-(1-氨基丙基)-5-氟-3-苯基-4(3H)-喹唑啉酮盐酸盐。目标产物经核磁共振氢谱(^(1)H NMR)、碳谱(^(13)C NMR)、质谱(MS)、红外光谱(IR)进行了表征,再经挥发得到了本品的单晶,并通过X单晶衍射分析表征了其结构。

Gd_(2)O_(2)S:Tb^(3+)荧光粉的晶体形貌改善研究

研究人员利用高温固相法,通过添加多种助熔剂合成了Gd_(2)O_(2)S:Tb^(3+)荧光粉,并提出了一种新的后处理工艺。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和荧光光谱(PL)对荧光粉产物进行物相、形貌及发光性能的表征。结果表明,经过后处理的Gd_(2)O_(2)S:Tb^(3+)荧光粉晶体形貌饱满,粒度均匀度高,D50=10μm,PL谱呈现Tb3+的特征发射峰,最强峰为547 nm的绿色发射峰,并且具有高亮度。

高压下β-BaCu_2S_2电子结构和光学性质的第一性原理研究

本文采用密度泛函理论方法对β-BaCu_2S_2的电子结构和光学性质进行了理论计算和分析.优化后的晶格常数与实验值符合良好.通过能带分析表明该晶体是一种直接带隙半导体,得出的带隙值为0.562 e V,与其他理论计算方法得出的结果接近.对介电函数的计算表明β-BaCu_2S_2是一种各向异性材料,随着压强的增大,介电函数虚部向高能区域移动,且峰值变高.计算所得静折射率的平方近似于静介电常数,与理论公式符合良好.随着压强的增加,晶体的光学常数如吸收系数、反射率、折射率和能量损失函数曲线均向光子能量增大的方向移动.研究表明加压是改变β-BaCu_2S_2晶体电子结构、调制光学性质的有效手段.

鼓形有机锡氧杂环羧酸簇合物[PhCH_2Sn(O)(O_2CC_4H_3S)]_6·2CH_2Cl_2 和 [PhCH_2Sn(O)(O_2CC_3H_2NO)]_6·2CH_2Cl_2的合成和晶体结构

利用三苄基氧化锡与 2 -噻吩甲酸和 2 -唑甲酸反应 ,合成了六聚体苄基锡氧 2 -噻吩甲酸酯 (1 )和六聚体苄基锡氧 2 -唑甲酸酯 (2 )鼓形簇合物 .通过元素分析、红外光谱和 X射线单晶衍射对其结构进行了表征 .测试结果表明 :化合物 1属三斜晶系 ,空间群 P1 ,a=1 . 2 76 0 (3) nm,b=1 .30 5 6 (3) nm,c=1 .334 3(3) nm,α=1 0 5 .6 5 (3)°,β=96 .2 7(3)°,γ=97.2 0 (3)°,Z=1 ,V=2 .0 997(7) nm3 ,Dc=1 .80 9g/ cm3 ,μ=2 .0 97mm- 1 ,F(0 0 0 ) =1 1 1 6 ,R=0 .0 6 5 1 ,w R=0 .1 2 92 .化合物 2属三斜晶系 ,空间群 P1 ,a=1 .2 2 4 0 (4 ) nm,b=1 .36 73(4 ) nm,c=1 .374 4(4 ) nm,α=1 0 7.76 0 (4 )°,β=98.0 6 9(5 )°,γ=91 .4 80(5 )°,Z=2 ,V=2 .1 6 31 (1 2 ) nm3 ,Dc=3.373g/ cm3 ,μ=3.799mm- 1 ,F (0 0 0 ) =2 1 36 ,R=0 .0 382 ,w R=0 .0 79.它们均为鼓形簇状结构 ,锡原子呈畸变的八面体构型 .化合物 1通过分子间 S… S近距离作用 ,形成一维链状结构 .

K掺杂β-BaCu_2S_2电子结构和光学性质的第一性原理研究

为探究K掺杂对β-BaCu_2S_2晶体电子结构和光学性质的影响,采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波理论方法,对不同K掺杂比例β-BaCu_2S_2的电子结构和光学性质进行理论计算和分析.计算结果表明:β-BaCu_2S_2是一种直接带隙半导体,带隙值为0.566 e V.由其能带结构可知,随着K掺杂比例的增加,β-BaCu_2S_2晶体的带隙变窄,导电性增强.此外,随着K掺杂物质的量比例的增加,晶体静态介电常数明显变大,说明此时有电子从价带跃迁到导带.K掺杂可以明显改变晶体的光学性质,随着K掺杂物质的量比例的增加,晶体吸收系数的吸收边发生红移.研究结果说明K掺杂可以改变晶体的电子结构,调制晶体的光学性质,这为β-BaCu_2S_2光电材料的实际应用提供了一定的理论指导.

吗啉二硫代氨基甲酸铁(Ⅲ)配合物Fe(S_2CNC_4H_8O)_3的合成、表征及晶体结构

合成了标题化合物Fe(S_2CNC_4H_8O)_3,得到黑色柱状晶体。晶体属三斜晶系,空间群为P-1,晶胞参数a=0.9300(2)nm,b=1.0490(2)nm,c=1.3710(3)nm,a=100.60(3)°,β=95.4O(3)°,γ=106.60(3)°,V=1.2445(4)nm^3,M_r=542.58,Z=2.中心Fe原子分别与来自三个吗啉二硫代氨基甲酸的六个硫原子配位形成八面体构型,由于四元螯合环的环张力,导致该八面体严重变形,六个Fe-S键的键长范围在0.2423(5)～0.2458(2)nm。热分析表明标题化合物在791.80℃完全分解。

使用CNDO/S型近似方法计算NaNO_2晶体的倍频系数

本文使用CNDO/S型近似方法,计算(NO_2)^(-1)的单电子分子轨道,然后按基团理论的通用计算程序计算NaNO_2晶体的倍频系数,计算值和实验值符合得较好,计算结果明确指出:NaNO_2晶体倍频系数各向异性的原因来自基团的共轭π轨道,另外,本文的计算表明,有可能对非线性光学新材料探索提供计算机的预测。 本文还就非线性光学效应的双能级模型作了讨论,并指出了它的局限性。

中红外激光晶体Dy:PbGa2S4的生长与器件制备

镝掺杂硫镓铅(Dy∶PbGa2S4,Dy∶PGS)晶体是一种性能优良、具有潜在应用价值的中红外激光介质材料。为推动该晶体的实用化研究,迫切需要制备出大尺寸高品质Dy∶PGS单晶。本研究采用自制的双温区管式炉成功合成Dy∶PbGa2S4多晶,单次合成量达到230 g;首次采用竖直梯度冷凝法制备该晶体并成功生长出大尺寸高质量Dy∶PbGa2S4单晶,尺寸达到Φ27 mm×100 mm;通过切割和抛光等处理工艺,成功加工出Dy∶PbGa2S4晶体器件,为下一步的激光应用研究打下了坚实基础。

ZnO掺杂对Gd_2O_2S∶Tb晶体结构及发光性能的影响

采用共沉淀法制备前驱体,通过固相反应制备了Gd2O2S∶Tb荧光粉。结果表明,采用氧化锌的掺杂,提高了荧光体的发光性能。选择合适的Zn2+浓度,可以通过控制焙烧条件,控制其粒径分布,使晶型趋于完整;通过对XRD和光谱的分析,可以清楚看出ZnO的添加,并未产生新相,而是使晶胞变小,使Gd3+与Tb3+以及Tb3+之间更容易发生能量传递,增强Tb3+离子的自敏化作用,加强5D4—7Fj发射,猝灭5D3—7Fj的发射,在提高发光亮度的同时,提高了荧光粉的色纯度。

配位聚合物[Cd(S_2CO-n-C_4H_9)_2]_n的合成和晶体结构

报道了正丁基黄原酸钠与硝酸镉形成的二维网状聚合物 [Cd(S2 CO -n -C4H9) 2 ]n 的合成与结构。该配合物属单斜晶系 ,空间群P2 (1) /c,晶胞参数 :a =2 .5 6 4 9(4)nm ,b=0 .5 810 (7)nm ,c=1.1348(41)nm ,β=10 1.70 1(2 ) 0 ,V =1.6 5 6 6 (4)nm3 ,Z =4 ,Dc =1.6 4 7mg/m3 ,F(0 0 0 ) =82 4 ,R1=0 .0 711,wR2 =0 .175 5。

Sb_2S_3晶体的水热合成及表征

在水热条件下制备了Sb2S3晶体,用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)分别对Sb2S3晶体的物相及形貌进行了表征分析。实验结果表明,硫源、反应温度、反应时间会影响样品的形貌和粒径。

艾代拉里斯中间体(S)-2-(1-氨基丙基)-5-氟-3-苯基-4(3H)-喹唑啉酮三氟乙酸盐的合成及晶体结构表征

以2-氨基-6-氟苯甲酸和L-2-(叔丁氧羰基氨基)丁酸为起始原料,经环合反应,得到(S)-(1-(5-氟-4-氧代-4H-苯并[d][1,3]- 嗪-2-基)-丙基)氨基甲酸叔丁酯;再与苯胺发生胺酯交换反应,得到(S)-(1-(5-氟-4-氧代-苯基-3,4-二氢喹唑啉-2-基)-丙基)氨基甲酸叔丁酯;最后在三氟乙酸的作用下,脱Boc保护基、成三氟乙酸盐,即得标题化合物。其结构通过红外光谱、核磁共振氢谱、X-单晶衍射分析进行表征。

[Et_4N]_2[Fe_2S_2(Sph)_4]的晶体结构

[Et_4N]_3[Fe_1S_2(Sph)_4]的合成与晶体结构已有报道,本文给出从金刚烷铁硫簇Fe_4(Sph)_(10)作为起始裂解原料,合成得到[Et_4N]_2[Fe_2S_2(Sph)_4]的单斜晶相的结构。从反应后的乙腈溶液得到片状黑色晶体,选取0.3×0.3×0.

双三苯膦铁硫原子簇配合物(μ-i-C3H7S)(μ-PhCH2S)-Fe2(CO)4(PPh3)2的合成及晶体结构

通过(μ-i-C3H7S)(μ-PhCH2S)Fe2(CO)6和三苯膦在甲苯中回流反应6h,制得了三苯膦双取代配合物(μ-i-C3H7S)(μ-PhCH2S)Fe2(CO)4(PPh3)2(1),并用X射线衍射技术测得其单晶结构.晶体属三斜晶系.

掺杂比对Hg_(1-x)Cd_xGa_2S_4晶体频率转换的影响

在相位匹配和可接受掺杂比理论的基础上,针对Cd掺杂的不同相Hg1-xCdxGa2S4晶体,研究了掺杂比对频率转换的影响.依据相应的Sellmeier方程得到了倍频和Nd3+∶YAG与Ho3+∶YLF激光器泵浦光学参量振荡的相位匹配调谐曲线,并给出了不同掺杂下的可接受掺杂比.结果表明:掺杂晶体可实现1～5μm范围内非临界相位匹配的倍频和1～13μm的参量光产生;随着掺杂比的增大,可接受掺杂比近似线性减小,并随着波长改变展现出不同变化趋势.

Eu^(3+):Ln_2O_2S(Ln=Lu,Y,Gd,La)晶体的角重迭晶场参数计算

本文使用角重迭模型(AOM)在考虑其全部四个参数e_σ、e_π、e_δ和e_φ的基础上,对Eu^(3+):Ln_2O_2S(Ln=Lu,Y,Gd,La)晶体的角量迭晶场参数进行了计算。结果表明,与σ、π反键有关的参数e_σ、e_x的数值相对较大,特别是e_σ值在这四个参数中为最大,而e_δ和e_α值则较小,在近似计算中可以忽略。这四种稀土硫氧化物的成键本领(或能力)按由大到小排列,其次序为Lu>Y>Gd>La。

[Cu(C_8H_4F_3O_2S)_2(C_(12)H_8N_2)]·C_3H_(6)O的合成及其晶体结构

标题配合物 [Cu(C8H4 F3O2 S) 2 (C12 H8N2 ) ]·C3H6 O属于三斜晶系 ,空间群为P1,并测得如下晶胞参数a =10 .5 77(3) ,b =15 .72 2 (4) ,c =10 .133(2 ) ,α =94 .5 3(2 ) ,β =10 0 .81(2 ) ,γ =96 .18(2 )° ,V =16 37.0 3 3,Z =2 ,Mr =74 4.18,Dx =1.5 1× 10 6 g·m- 3,F(0 0 0 ) =5 2 6 ,μ =8 2 4cm- 1,最终偏差因子为R =0 .0 83,Rw=0 .0 74。Cu(II)与 2个 4 ,4 ,4 三氟 1 (2 噻吩基 )丁二酮 1,3中的四个氧原子和菲咯啉中的两个氮原子 ,组成了一个畸变的八面体构型。

中远红外非线性光学晶体AgGaGenQ2(n+1)(Q=S、Se)研究进展

AgGaGenQ2(n+1)(Q=S、Se)晶体是性能优异的中红外高功率非线性光学材料,在红外跟踪、制导、激光反卫星和激光医学等领域有重大应用前景。本文综合评述了AgGaGenQ2(n+1)(Q=S、Se)晶体的发展历程和研究进展,总结了本实验室已报道,以及最新研究进展,包括采用改进的两温区气相输运温度振荡法合成出单相多晶材料,在四温区立式炉中用改进的Bridgman法生长出AgGaGenQ2(n+1)(Q=S、Se)系列单晶体,晶体尺寸最大可达∅45mm×90mm。AgGaGenS2(n+1)晶体退火后在1μm附近透过率为65%~70%,AgGaGeS4晶体1μm吸收系数约为0.01cm^-1。600K时热膨胀仪测试AgGaGeS4晶体的热膨胀系数分别为αa=1.39×10^-5K^-1,αb=6.87×10^-6K^-1,αc=1.44×10^-5K^-1。AgGaGeS4表面损伤阈值为103MW·cm^-2,是文献报道值50MW·cm^-2的2倍,体损伤阈值为132MW·cm^-2。

(2S,4R)-2-(溴甲基)-2-(2,4-二氯苯基)-1,3-二氧环戊环-4-甲基苯甲酸酯的合成及晶体结构

合成了标题化合物并测定了其晶体结构。该化合物的化学式为C18H15O4BrCl2, Mr = 446.12。晶体为正交晶系, P212121空间群, 晶胞参数为: a = 7.1540(7), b = 23.367(1), c = 11.161(2) , V = 1865.7(3) 3, Z = 4, Dc = 1.588 g/cm3, F(000) = 896, (MoK? = 2.515 cm-1, R = 0.037, wR = 0.074, Flack系数为0.14(1)。晶体结构显示, 化合物中有2个手性碳原子, 为(2S,4R)构型, 整个分子呈沿b轴排列的波浪形的链状结构。

140℃高温下SiO_(2)晶态对硅酸三钙水化产物的影响

目前,在G级油井水泥中加入SiO_(2)是降低其水化产物在温度高于110℃下力学性能衰退的主要手段。然而,SiO_(2)晶体形态不同,导致水泥水化产物不同,耐高温性能也不同。为了探究SiO_(2)晶体形态对水泥水化产物的影响,笔者以油井水泥的主要成分硅酸三钙(C_(3)S)为研究对象,采用核磁共振、X射线衍射、热重分析和扫描电镜以及能谱等手段分析了晶体SiO_(2)(石英砂)和非晶体SiO_(2)(微硅)对C_(3)S水化产物的影响。结果表明:SiO_(2)通过填充孔隙以及转化水化产物,能有效防止C_(3)S水化产物在高温下强度衰退,以及孔隙度和渗透率的增加。微硅比石英砂更活跃,能迅速与Ca(OH)_(2)发生火山灰反应生成次生水化硅酸钙。此外,SiO_(2)还能将高钙硅比的水化硅酸钙(针硅钙石(Ca_(2)SiO_(3)(OH)_(2))、羟硅钙石(Ca_(6)Si_(2)O_(7)(OH)_(6))和重硅钙石(Ca_(5)(SiO_(4))_(2)(OH)_(2)))转化为低钙硅比的水化硅酸钙(雪硅钙石(Ca_(5)Si_(6)O_(16)(OH)_(2)·4H_(2)O)、白钙沸石(Ca_(4)Si_(6)O_(15)(OH)_(2)·3H_(2)O)、水硅钙石(CaSi_(2)O_(5)·2H_(2)O)和新硅钙石(Ca_(3)Si_(6)O_(12)(OH)_(6)·5H_(2)O))。