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Al替代对β-Ga_2O_3∶Cr^(3+)结构与发光性能影响 被引量:2
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作者 王显盛 万敏华 +3 位作者 王银海 赵慧 胡正发 李海玲 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期2921-2925,共5页
高温固相法制备了(Ga1-x Alx)2O3∶Cr3+(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4,0.5)系列荧光粉。X射线衍射分析表明Al 3+含量增加后,物相依然保持β-Ga2O3的相。此外随着Al离子含量的逐渐增加,高衍射角峰位向右移动表明Al离子进入了β-Ga2O3晶格中。激... 高温固相法制备了(Ga1-x Alx)2O3∶Cr3+(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4,0.5)系列荧光粉。X射线衍射分析表明Al 3+含量增加后,物相依然保持β-Ga2O3的相。此外随着Al离子含量的逐渐增加,高衍射角峰位向右移动表明Al离子进入了β-Ga2O3晶格中。激发光谱中258,300,410和550nm左右的峰位分别对应基质Ga2O3的带与带的吸收跃迁、电荷迁移带跃迁、Cr3+的4 A2→4 T1以及4 A2→4 T2跃迁。随着Al离子掺杂量的增加,激发光谱峰位都呈现出不同程度的蓝移现象,这分别是由于基质的带隙能量、Cr3+与配体之间的电负性以及晶场强度增大所导致的。在发射光谱中,随着Al 3+替代Ga3+,Cr3+的发光由宽带发射变为窄带发射,这是由于Al 3+的掺入改变了Cr3+周围的晶场,从而Cr3+的红光发射由原来的4 T2→4 A2变为2 E→4 A2跃迁发射。Al离子掺杂改善了样品的长余辉发光特性,并且Al离子含量达到0.5时显示出较长时间的肉眼可见的近红外余辉发射。热释发光曲线显示材料中具有合适的陷阱能级,这也是材料产生长余辉发光的原因。 展开更多
关键词 β-gazOa Cr件 长余辉 近红外
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Structural and optical properties of Zn-doped β-Ga_2O_3 films 被引量:1
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作者 岳伟 闫金良 +1 位作者 吴江燕 张丽英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2012年第7期20-23,共4页
Intrinsic fi-Ga203 and Zn-doped β-Ga203 films were prepared using RF magnetron sputtering. The effects of the Zn doping and thermal annealing on the structural and optical properties are investigated. In compar- ison... Intrinsic fi-Ga203 and Zn-doped β-Ga203 films were prepared using RF magnetron sputtering. The effects of the Zn doping and thermal annealing on the structural and optical properties are investigated. In compar- ison with the intrinsic β-Ga203 films, the microstructure, optical transmittance, optical absorption, optical energy gap, and photoluminescence ofZn-doped β-Ga203 films change significantly. The post-annealed β-Ga203 films are polycrystalline. After Zn doping, the crystallization deteriorates, the optical band gap shrinks, the transmittance decreases and the UV, blue, and green emission bands are enhanced. 展开更多
关键词 transparent conductive oxides Zn-doped β-ga203 optical transmittance optical band gap photolu-minescence
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