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低温燃烧合成制备γ-LiAlO_2粉体的热力学计算 被引量:1
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作者 刘艳凤 邱俊明 +1 位作者 杨细平 邱祖民 《南昌大学学报(工科版)》 CAS 2009年第2期108-112,共5页
绝热燃烧温度是燃烧合成中的一个重要热力学参数,它可以判断反应能否自我维持,还能判断产物的相结构。以硝酸锂与硝酸铝和尿素为反应物(n(LiNO3):n(Al(NO3)3):n(CO(NH2)2)=1:1:10/3),采用状态函数法,对其低温燃烧合成过程进行了计算,得... 绝热燃烧温度是燃烧合成中的一个重要热力学参数,它可以判断反应能否自我维持,还能判断产物的相结构。以硝酸锂与硝酸铝和尿素为反应物(n(LiNO3):n(Al(NO3)3):n(CO(NH2)2)=1:1:10/3),采用状态函数法,对其低温燃烧合成过程进行了计算,得出:绝热燃烧温度为1 845.35 K,最终产物为LiAlO2的稳定相粉体γ-LiAlO2。 展开更多
关键词 低温燃烧合成 γ—lialo2 热力学 试差法
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γ-LiAlO_2:Tb^(3+)绿色荧光粉制备及其发光性能 被引量:5
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作者 杨定明 王擎龙 +3 位作者 吉红新 谢礼梅 胡文远 吴月浩 《四川大学学报(工程科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期173-176,共4页
采用柠檬酸溶胶-凝胶法合成了γ-LiAlO2:Tb3+绿色荧光粉,研究了材料的激发和发射光谱。γ-LiAlO2:Tb3+材料呈多峰发射,发射峰位于489、542、584和620 nm,分别对应于Tb3+的5D4→7FJ,J=6,5,4,3跃迁发射,主峰位于542 nm。监测542 nm发射峰... 采用柠檬酸溶胶-凝胶法合成了γ-LiAlO2:Tb3+绿色荧光粉,研究了材料的激发和发射光谱。γ-LiAlO2:Tb3+材料呈多峰发射,发射峰位于489、542、584和620 nm,分别对应于Tb3+的5D4→7FJ,J=6,5,4,3跃迁发射,主峰位于542 nm。监测542 nm发射峰,荧光体的最大激发峰位于238 nm,属于宽带激发。研究了Tb3+掺杂浓度及电荷补偿剂Li+对γ-LiAlO2:Tb3+材料发射强度的影响。结果表明:调节激活剂浓度、添加电荷补偿剂(Li+)均可以在很大程度上提高材料的发射强度。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 绿色荧光粉 γ-lialo2:Tb3+ 电荷补偿
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c面白宝石衬底表面形貌对气相传输平衡法制备的γ-LiAlO_2层质量的影响(英文)
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作者 彭观良 李抒智 +7 位作者 庄漪 邹军 王银珍 刘世良 周国清 周圣明 徐军 干福熹 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期833-837,共5页
采用气相传输平衡(VTE)技术,在(0001)面白宝石衬底表面上成功地制备出单相-γL iA lO2层。研究了白宝石衬底表面形貌对-γL iA lO2层质量的影响,发现白宝石衬底的表面粗糙度和退火处理是两个影响-γL iA lO2层质量的重要因素。要制备高... 采用气相传输平衡(VTE)技术,在(0001)面白宝石衬底表面上成功地制备出单相-γL iA lO2层。研究了白宝石衬底表面形貌对-γL iA lO2层质量的影响,发现白宝石衬底的表面粗糙度和退火处理是两个影响-γL iA lO2层质量的重要因素。要制备高质量的-γL iA lO2层,适度的表面粗糙度是恰当的。对白宝石衬底进行退火处理,-γL iA lO2层的择优取向变差。并对其中可能的机理进行了探讨。 展开更多
关键词 白宝石 γ-lialo2 气相传输平衡 GAN 衬底
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溶胶-凝胶燃烧合成法制备γ-LiAlO_2
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作者 杨细平 邱祖民 +1 位作者 刘艳凤 邱俊明 《材料导报(纳米与新材料专辑)》 EI CAS 2008年第3期213-215,共3页
研究了以硝酸锂、硝酸铝和尿素为原料,用溶胶-凝胶燃烧合成法制备γ-LiAlO_2粉体的工艺。采用热重分析(TG-DTA)、X射线衍射(XRD)、红外光谱(IR)、扫描电镜(SEM)对反应前驱体、反应过程、燃烧产物进行了表征测试。分析了原料配比、溶胶... 研究了以硝酸锂、硝酸铝和尿素为原料,用溶胶-凝胶燃烧合成法制备γ-LiAlO_2粉体的工艺。采用热重分析(TG-DTA)、X射线衍射(XRD)、红外光谱(IR)、扫描电镜(SEM)对反应前驱体、反应过程、燃烧产物进行了表征测试。分析了原料配比、溶胶前驱体pH值对反应产物特性的影响,并初步探讨了反应的历程。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶 燃烧合成 γ-lialo2 配比 PH值
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Growth and Characterization of High-quality LiAlO2 Single Crystal 被引量:2
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作者 Taohua HUANG Shengming ZHOU +4 位作者 Hao TENG Hui LIN Jun ZOU Jianhua ZHOU Jun WANG 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2008年第2期145-148,共4页
γ-LiAlO2 single crystal is a promising substrate for GaN heteroepitaxy. In this paper, we present the growth of large-sized LiAlO2 crystal by modified Czochralski method. The crystal quality was characterized by high... γ-LiAlO2 single crystal is a promising substrate for GaN heteroepitaxy. In this paper, we present the growth of large-sized LiAlO2 crystal by modified Czochralski method. The crystal quality was characterized by high-resolution X-ray diffraction and chemical etching. The results show that the as-grown crystal has perfect quality with the full width at half maximum (FWHM) of 17.7-22.6 arcsec and etch pits density of (0.3- 2.2)×10^4 cm^-2 throughout the crystal boule. The bottom of the crystal boule shows the best quality. The optical transmission spectra from UV to IR exhibits that the crystal is transparent from 0.2 to 5.5μm and becomes completely absorbing around 6.7μm wavelength, The optical absorption edge in near UV region is about 191 nm. 展开更多
关键词 γ-lialo2 crystal Czochralski method Chemical etching Transmission spectra
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Luminescence Characterization and Synthesis of γ-LiAlO_2:Eu^(3+) by Gel Combustion 被引量:2
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作者 吉红新 杨定明 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2011年第3期434-438,共5页
γ-LiAlO2:Eu3+(Eu3+:LAO) phosphor was obtained by gel combustion method using LiNO3,Al(NO3)3·9H2O,Eu(NO3)3·6H2O and citric acid as raw materials.The structure,morphology and luminescence were chara... γ-LiAlO2:Eu3+(Eu3+:LAO) phosphor was obtained by gel combustion method using LiNO3,Al(NO3)3·9H2O,Eu(NO3)3·6H2O and citric acid as raw materials.The structure,morphology and luminescence were characterized by means of X-ray diffraction (XRD),scanning electron microscopy (SEM),photoluminescence (PL).The results demonstrated that the phosphor was pure-phase of flaky tetragonal crystal system with a mean size of around 1 μm.The strongest excitation peak was at 254 nm,belonging to the broadband excitation and the maximum emission peak was at 613 nm,corresponding to the 5D0→7F2 transition of Eu3+.Luminous intensity is closely related to the calcination temperature and doping concentration of Eu3+. 展开更多
关键词 red phosphor γ-lialo2 Eu3+ gel combustion method rare earths
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γ-LiAlO_2 Single Crystal Grown by Czochralski Technique and Modified by Vapor Transport Equilibration (VTE) Technique
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作者 Jun ZOU Lianhan ZHANG +1 位作者 Jun XU Shengming ZHOU 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第4期491-494,共4页
Large-sized (~2 inch, 50.8 mm) γ-LiAlO2 single crystal has been grown by conventional Czochralski (Cz) method, but the crystal has a milky, dendriform center. The samples taken from transparent and milky parts w... Large-sized (~2 inch, 50.8 mm) γ-LiAlO2 single crystal has been grown by conventional Czochralski (Cz) method, but the crystal has a milky, dendriform center. The samples taken from transparent and milky parts were ground and examined by X-ray diffraction. All diffraction peaks could be indexed in γ-LiAlO2. The crystal quality was characterized by X-ray rocking curve. The full-width at half-maximum (FWHM) values are 116.9 and 132.0 arcsec for transparent and milky parts, respectively. The vapor transport equilibrium (VTE) technique was introduced to modify the crystal quality. After 1000℃/48 h, 1100℃/48 h, 1200℃/48 h VTE processes, the FWHM values dropped to 44.2 and 55.2 arcsec for transparent and milky part, respectively. The optical transmission of transparent part was greatly enhanced from 85% to 90%, and transmission of milky part from 75% to 80% in the range of 190~1900 nm at room temperature. When the VTE temperature was raised to 1300℃, the sample cracked and FWHM values of transparent and milky parts were increased to 55.2 and 80.9 arcsec, respectively. By combining Cz technique with VTE technique, large-sized and high quality γ-LiAlO2 crystal can be obtained. 展开更多
关键词 γ-lialo2 crystal Vapor transport equilibration (VTE) technique Czochralski technique
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Structural, Morphological and Optical Properties of ZnO Thin Films Grown on γ-LiA1O_2 Substrate by Pulsed Laser Deposition
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作者 Jun ZOU Shengming ZHOU +3 位作者 Xia ZHANG Fenglian SU Xiaomin LI Jun XU 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2005年第4期549-551,共3页
ZnO thin films were deposited on the substrates of (100) γ-LiAlO2 at 400,550 and 700℃ using pulsed laser deposition (PLD) with the fixed oxygen pressure of 20 Pa, respectively. When the substrate temperature is ... ZnO thin films were deposited on the substrates of (100) γ-LiAlO2 at 400,550 and 700℃ using pulsed laser deposition (PLD) with the fixed oxygen pressure of 20 Pa, respectively. When the substrate temperature is 400℃, the grain size of the film is less than 1μm observed by Leitz microscope and measured by X-ray diffraction (XRD). As the substrate temperature increases to 550℃, highly-preferred c-orientation and high-quality ZnO film can be attained.While the substrate temperature rises to 700℃, more defects appears on the surface of film and the ZnO films become polycrystalline again possibly because more Li of the substrate diffused into the ZnO film at high substrate temperature. The photoluminescence (PL) spectra of ZnO films at room temperature show the blue emission peaks centered at 430 nm. We suggest that the blue emission corresponds to the electron transition from the level of interstitial Zn to the valence band. Meanwhile, the films grown on γ-LiAl02 (LAO) exhibit green emission centered at 540 nm, which seemed to be ascribed to excess zinc and/or oxygen vacancy in the ZnO films caused by diffusion of Li from the substrates into the films during the deposition. 展开更多
关键词 γ-lialo2 ZnO Photo luminescence (PL) spectra Thin film
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γ-LiAlO_2晶体生长、改性和热学性质研究 被引量:5
9
作者 邹军 张连翰 +3 位作者 周圣明 徐军 韩平 张荣 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期4269-4272,共4页
采用快速提拉法生长出了透明、完整的γLiAlO2晶体,但是晶体的高熔点和易挥发性限制了γLiAlO2晶体质量.采用气相传输平衡法(vaportransportequilibrationtechnique,VTE)工艺对晶体改性,半高宽(FWHM)值从116.9arcsec降至44.2arcsec,继... 采用快速提拉法生长出了透明、完整的γLiAlO2晶体,但是晶体的高熔点和易挥发性限制了γLiAlO2晶体质量.采用气相传输平衡法(vaportransportequilibrationtechnique,VTE)工艺对晶体改性,半高宽(FWHM)值从116.9arcsec降至44.2arcsec,继续升高VTE处理温度至1300℃,FWHM值反而升高至55.2arcsec.快速提拉法生长出来晶体,[100]方向和[001]方向的热膨胀系数分别为17.2398×10-6K,10.7664×10-6K.经过三步VTE处理后[100]和[001]方向热膨胀系数降至16.6539×10-6K和10.1784×10-6K. 展开更多
关键词 γ-lialo2 晶体生长 快速提拉法 高熔点 热学性质 气相传输平衡法 热膨胀系数
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氚固体增殖剂偏铝酸锂多孔陶瓷研究 被引量:8
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作者 傅依备 赵君科 +1 位作者 罗阳明 王和义 《高技术通讯》 CAS CSCD 1996年第1期50-53,共4页
采用喷雾干燥-热分解法制得了平均粒径0.1μm的γ-LiAlO2超细粉,该粉末经冷压烧结成型工艺制得密度80%(T.D)、孔径分布为0.08~0.4μm的γ-LiAlO2多孔陶瓷芯块,已成功地用于我国第一条产氚演示回... 采用喷雾干燥-热分解法制得了平均粒径0.1μm的γ-LiAlO2超细粉,该粉末经冷压烧结成型工艺制得密度80%(T.D)、孔径分布为0.08~0.4μm的γ-LiAlO2多孔陶瓷芯块,已成功地用于我国第一条产氚演示回路上。 展开更多
关键词 喷雾干燥 热分解 多孔陶瓷
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非极性GaN薄膜及其衬底材料 被引量:5
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作者 周健华 周圣明 +5 位作者 邹军 黄涛华 徐军 谢自力 韩平 张荣 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期765-771,共7页
本文分析了在不同衬底上生长无极性GaN薄膜的情况,这些衬底主要包括-γL iA lO2、r面蓝宝石等。通常在蓝宝石上制备的GaN外延膜是沿c轴生长的,而c轴是GaN的极性轴,导致GaN基器件有源层量子阱中出现很强的内建电场,发光效率会因此降低,... 本文分析了在不同衬底上生长无极性GaN薄膜的情况,这些衬底主要包括-γL iA lO2、r面蓝宝石等。通常在蓝宝石上制备的GaN外延膜是沿c轴生长的,而c轴是GaN的极性轴,导致GaN基器件有源层量子阱中出现很强的内建电场,发光效率会因此降低,发展非极性面外延,有望克服这一物理现象,使发光效率提高。 展开更多
关键词 r面蓝宝石 γ-lialo2 α面GaN m面GaN
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γ-LiAlO_2衬底上生长GaN的研究进展 被引量:2
12
作者 黄涛华 邹军 +3 位作者 周健华 王军 张连翰 周圣明 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2006年第12期36-41,共6页
γ-LiAlO2与GaN的晶格失配很小,易于分离,在其(100)面上能生长出无极性的GaN,是一种很有希望的GaN衬底材料。结合γ-LiAlO2的基本性质,详细介绍了γ-LiAlO2衬底上用各种方法生长GaN的研究进展。
关键词 GAN薄膜 γ-lialo2 非极性发光二极管
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铕激活的铝酸锂发光性能研究 被引量:1
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作者 杨雪峰 宁桂玲 林源 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05A期1775-1777,共3页
利用溶胶凝胶法合成了一种新颖的红色发光粉γ-LiAlO2:Eu3+.通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对发光粉颗粒结构和形貌进行分析,结果表明900℃时得到单相的γ-LiAlO2,晶体结晶度高,粉体颗粒均匀松散,粒径在2μm左右.发光光谱表... 利用溶胶凝胶法合成了一种新颖的红色发光粉γ-LiAlO2:Eu3+.通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对发光粉颗粒结构和形貌进行分析,结果表明900℃时得到单相的γ-LiAlO2,晶体结晶度高,粉体颗粒均匀松散,粒径在2μm左右.发光光谱表明溶胶凝胶法制备的γ-LiAlO2:Eu3+磷光体产生强烈的Eu3+特征发光,增加Eu的掺杂比例和提高烧结温度有助于提高磷光体发光性能. 展开更多
关键词 铝酸锂 铕发光 溶胶凝胶法
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γ-LiAlO2上a面ZnO薄膜的光谱特性研究
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作者 周健华 周圣明 +6 位作者 黄涛华 林辉 李抒智 邹军 王军 韩平 张荣 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期430-433,共4页
利用激光脉冲沉积(PLD)技术在(302)γ-LiAlO2衬底上成功生长了非极性的a面(1120)ZnO薄膜,光致发光谱(PL)带边发射峰半峰宽仅为115meV.研究了非极性ZnO薄膜光谱特性的面内各向异性,发现随着入射光偏振方向改变,在偏振透射光谱上,吸收边... 利用激光脉冲沉积(PLD)技术在(302)γ-LiAlO2衬底上成功生长了非极性的a面(1120)ZnO薄膜,光致发光谱(PL)带边发射峰半峰宽仅为115meV.研究了非极性ZnO薄膜光谱特性的面内各向异性,发现随着入射光偏振方向改变,在偏振透射光谱上,吸收边移动了20meV,这与A、B激子和C激子的能量差一致;而在拉曼光谱上,激发光偏振方向的改变导致E2模式的强度发生明显改变. 展开更多
关键词 非极性ZnO γ-lialo2 PLD
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H_3BO_3对γ-LiAlO_2:Tb^(3+)荧光粉的发光性能的影响
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作者 左明扬 杨定明 《武汉理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期53-57,共5页
利用柠檬酸溶胶凝胶法合成了绿色发光材料γ-LiAlO2:Tb3+。用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及荧光光谱(PL)等测试手段,研究了助熔剂H3BO3对γ-LiAlO2:Tb3+的物相、形貌和发光性能的影响。结果表明,样品仍为四方晶系,在238nm... 利用柠檬酸溶胶凝胶法合成了绿色发光材料γ-LiAlO2:Tb3+。用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及荧光光谱(PL)等测试手段,研究了助熔剂H3BO3对γ-LiAlO2:Tb3+的物相、形貌和发光性能的影响。结果表明,样品仍为四方晶系,在238nm的紫外激发下,跃迁发射峰位于489nm,542nm,548nm,584nm和620nm,分别对应于Tb3+的5 D4→7F6,5 D4→7F5,5 D4→7F4和5 D4→7F3的能级跃迁。硼酸的加入,有利于样品荧光和形貌的改善,其最佳掺杂摩尔浓度为1.5%。 展开更多
关键词 硼酸 γ-lialo2 助熔剂 发光性能
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Study on growth and properties of novel γ-LiAlO_2 substrate 被引量:1
16
作者 ZOU Jun1,2, ZHOU Shengming1, XU Jun1 & ZHANG Rong3 1. Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201800, China 2. Graduate School of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100039, China 3. Laboratory of Solid State Microstructures and Department of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, China 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2006年第2期188-193,共6页
Transparent γ-LiAlO2 single crystal has been grown by Temperature Gradient technique. The surface of the wafer annealed in O2-atmosphere at 1100°C for 70 h became opaque and Li-poor phase (LiAl5O8); while, that ... Transparent γ-LiAlO2 single crystal has been grown by Temperature Gradient technique. The surface of the wafer annealed in O2-atmosphere at 1100°C for 70 h became opaque and Li-poor phase (LiAl5O8); while, that annealed in Li-rich atmosphere kept transparent and smooth. The full-width at half maximum value dropped to 30 arcsecs when the wafer was annealed in Li-rich atmosphere. That annealed in O2-atmosphere increased to 78 arcsec. Compared with absorption spectra, we can conclude that the 196 nm absorption peak was caused by Li vacancies and the 736 nm peak was caused by O vacancies. 展开更多
关键词 γ-lialo2 crystal SCANNING ELECTRON micrograph (SEM) ABSORPTION spectra.
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The growth of γ-LiAlO_2 layer with a highly-preferred orientation on (0001) sapphire 被引量:1
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作者 LI Shuzhi YANG Weiqiao ZHOU Shengming XU Jun 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2005年第1期116-120,共5页
Using vapor transport equilibration (VTE) technique we succeeded in the fabrication of single-phase γ-LiAlO2 layer on (0001) sapphire substrate. X-ray diffraction indicated that the as-fabricated layer was highly tex... Using vapor transport equilibration (VTE) technique we succeeded in the fabrication of single-phase γ-LiAlO2 layer on (0001) sapphire substrate. X-ray diffraction indicated that the as-fabricated layer was highly textured with [100] orientation at proper VTE treatment temperature range from 1050°C to 1100°C. The main factors affecting the quality of the γ-LiAlO2 layer were investigated by SEM and transmission spectra. These results reveal the possibility of fabricating γ-LiAlO2 (100)// sapphire (0001) composite substrate for GaN-based epitaxial film by VTE. 展开更多
关键词 γ-lialo2 composite substrate vapor TRANSPORT equilibration.
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Analysis of the anisotropy in an m-plane GaN film via HVPE on a γ-LiAlO_2 substrate
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作者 田密 修向前 +5 位作者 张荣 华雪梅 刘战辉 韩平 谢自力 郑有炓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期13-15,共3页
A 0.09 mm m-plane GaN film is deposited via hydride vapor phase epitaxy (HVPE) on a γ-LiAlO2 substrate. To research the anisotropy between directions with different angles with the c-axis in the m plane, photolumin... A 0.09 mm m-plane GaN film is deposited via hydride vapor phase epitaxy (HVPE) on a γ-LiAlO2 substrate. To research the anisotropy between directions with different angles with the c-axis in the m plane, photoluminescence (PL) measurements were carried out. The results show that the electronic transition was influenced by the electric field along the c-axis, which results in an obvious anisotropy, but the influence was weakened by the hexagonal symmetry along the c-axis. 展开更多
关键词 γ-lialo2 GAN HVPE ANISOTROPY PL spectra
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气相传输平衡法在(11-20)面蓝宝石上制备γ铝酸锂膜
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作者 刘世良 周圣明 +2 位作者 李抒智 王银珍 徐军 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期773-776,共4页
为了寻找可能替代蓝宝石作为氮化镓外延的新型衬底,通过48 h的气相传输平衡,分别在1000℃、1030℃、1050℃、1070℃和1100℃制备了一层单相多晶的γ铝酸锂膜。X射线衍射和扫描电镜分别用于表征膜的物相、取向和表面形貌。结果显示,γ铝... 为了寻找可能替代蓝宝石作为氮化镓外延的新型衬底,通过48 h的气相传输平衡,分别在1000℃、1030℃、1050℃、1070℃和1100℃制备了一层单相多晶的γ铝酸锂膜。X射线衍射和扫描电镜分别用于表征膜的物相、取向和表面形貌。结果显示,γ铝酸锂择优取向的好坏取决于气相平衡传输温度,在1050℃制备的γ铝酸锂具有高度的[100]择优取向;在γ铝酸锂(001)面上的双轴拉应力可能有助于[100]择优取向的形成;γ铝酸锂晶粒表面裂纹的方向一致性与其择优取向紧密相关。上述结果表明在合适的工艺条件下,气相传输平衡法制备的γ铝酸锂/蓝宝石可能成为一种很有前景且适合(1-100)面氮化镓生长的复合衬底。 展开更多
关键词 薄膜光学 复合衬底 气相传输平衡 γ铝酸锂
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