焙烧温度对NiO/δ-Al_2O_3催化剂性能的影响

应用 XRD,TPR,H2 -TPD技术研究焙烧温度对 Ni O/δ-Al2 O3催化剂性能的影响。结果表明 ,随着焙烧温度的增高 ,Ni O与载体 Al2 O3之间相互作用逐渐增强 ,直至最后生成 Ni Al2 O4 尖晶石。同时表明 ,随着焙烧温度的提高 ,催化剂的还原温度明显增高。另外 ,TPR结果还表明 Ni Al2 O4 仅仅是与载体发生强相互作用的那部分 Ni O进一步进入 Al2 O3晶格的结果 ,而游离态的 Ni O不参与形成 Ni Al2 O4 。通过催化剂的甲烷部分氧化制合成气反应性能评价 ,发现低温焙烧样品活性较高 ,与上述表征结果相关联 ,说明还原态的 Ni物种是该反应的活性相。

Pd-Ni/δ-Al_2O_3应用于四氢苯酐选择性催化加氢制六氢苯酐

采用δ-Al_2O_3为载体,浸渍法制备了系列Pd-Ni/δ-Al_2O_3催化剂,在滴流床反应器中,在温度80~120℃,压力3.0~5.0 MPa,氢油比3 000∶1(物质的量比)条件下,四氢苯酐(THPA)催化加氢制备六氢苯酐(HHPA)为探针反应,实验结果显示6%Ni-2%Pd/δ-Al_2O_3催化活性最高。采用δ-Al_2O_3负载型Pd、Ni二元金属催化剂,适当降低催化剂活性,加大氢气分压,有效提高了目的产物HHPA选择性和收率。氢气分上、中、中下三个位置,进入滴流床反应器,反应布局更加均匀可控,减少副反应发生。催化加氢为放热反应,加大反应器内氢气的内循环速度,氢气作为载热体,及时转移反应热,可以有效避免局部过热现象,减少副反应的发生。在温度180~230℃,压力为-0.098 MPa条件下,减压精馏,得到HHPA的纯度为99.5%,产物总转化率和收率分别为97.3%、84.1%。

三种农药对Cu^（2＋）在蒙脱石和δ－Al_2O_3上吸附的影响

本文比较研究了Ｃｕ（２＋）在草甘磷、毒莠定和杀虫脒等三种农药条件下在Ｃａ－蒙脱石和δ－Ａｌ２Ｏ３上的吸附。草甘磷降低了Ｃｕ（２＋）在Ｃａ－蒙脱石上的吸附。当草甘磷／Ｃｕ（２＋）摩尔比越高时，Ｃｕ（２＋）吸附的降低量则越大。草甘磷是通过络合机制而降低Ｃｕ（２＋）在Ｃａ－蒙脱石上的吸附，同时增加了Ｃｕ（２＋）在δ－Ａｌ２Ｏ３上的吸附。当草甘磷／Ｃｕ（２＋）摩尔比越高时，Ｃｕ（２＋）吸附的增加量也就越大。草甘磷作为桥而连接δ－Ａｌ２Ｏ３和Ｃｕ（２＋）。毒莠定亦通过络合作用略微降低了Ｃｕ（２＋）在Ｃａ－蒙脱石上的吸附，但它对ＣＵ（２＋）在δ－Ａｌ２Ｏ３的吸附无明显影响。杀虫脒通过对阳离子吸附点位的竞争而降低了Ｃｕ（２＋）在Ｃａ－蒙脱石上的吸附，但不影响Ｃｕ（２＋）在δ－Ａｌ２Ｏ３上的吸附。

Cu^（2＋）对3种农药在Ca－蒙脱石和δ－Al_2O_3上吸附的影响

比较研究了３种农药在两种吸附体上的吸附以及Ｃｕ２＋其吸附的影响．杀虫脒在Ｃａ－蒙脱石上的吸附率很高且随ｐＨ值的升高而降低；在δ－Ａｌ２Ｏ３上的吸附率较低且随ｐＨ值的升高而升高．Ｃｕ２＋对其吸附无影响，毒莠定在Ｃａ－蒙脱石上无吸附，但可被δ－Ａｌ２Ｏ３吸附，吸附率随ｐＨ值的升高逐渐降低，不受Ｃｕ２＋的影响．当ｐＨ值小于５时，草甘磷在Ｃａ－蒙脱石上的吸附随ｐＨ值的升高而略有上升；当ｐＨ值大于５时，则随ｐＨ值的升高而下降，Ｃｕ２＋降低了草甘磷的吸附．当草甘磷与Ｃｕ２＋摩尔比为０．５和１．０时，草甘磷吸附率的降低程度高于摩尔比为２．０时的降低程度．

硫酸铝铵制高纯氧化铝粉的性能表征

通过XRD衍射分析和SEM扫描电镜、差热失重、BET比表面仪等分析手段,对硫酸铵盐制取高纯氧化铝粉的热解过程进行了详细分析,提出了其热解相变过程为:Al2(SO4)3950～1000 ℃→δ-Al2O31100℃→纳米级α-Al2O3+δ-Al2O31200～1220 ℃→亚微米级α-Al2O3通过采用无压分段式热解工艺,可获得分散性良好的类球性高纯度氧化铝粉.通过实际产品烧结证明,其活性明显高于其它同类原理制备的氧化铝粉.

用作催化剂载体的碳纳米管-氧化铝复合材料的制备

用负载有Ni—Cu双活性金属的δ，θ-Al2O3作为催化剂，考察以化学气相沉积法合成碳纳米管-氧化铝复合材料的制备条件．实验表明，在Ni—Cu活性组分负载量为10‰（质量分数），Ni：Cu=4：1（质量比），反应温度730℃、反应气组分为C2H2：H2=25：75条件下反应30min，所生成的碳纳米管最好，得碳率可达15．7％．采用XRD、TGA／DTG等方法对生成的CNTs和复合材料的结构进行表征．结果表明：在所合成的碳纳米管-氧化铝复合材料中，碳纳米管在氧化铝载体的表面呈均匀覆盖，管径大小均匀，其外径约为60nm，而且碳纳米管间相互缠绕．与δ，θ-Al2O3基体相比，复合材料的比表面积由82．1增加到106．2m^2／g；比孔容积略有减小，出现了一类较小的中孔（1．6—2．1nm）结构．