Nd掺杂对δ-MoN电子结构和输运性质的影响

为了探讨稀土掺杂对材料导电性影响的机理,采用密度泛函理论并结合非平衡格林函数方法,从理论角度研究了Nd掺杂δ-MoN的电子结构与输运性质,分别讨论了Nd取代Wyckoff坐标系中2a位置和6c位置的Mo原子时对δ-MoN导电性的影响.计算并分析了Nd掺杂δ-MoN的能带结构、态密度和伏安特性曲线.电子结构的计算结果表明,Nd掺杂使δ-MoN在费米能级附近的态密度增大,导致费米面电子出现的几率增加;伏安特性曲线显示Nd掺杂体系的电流大于未掺杂体系,说明Nd掺杂增强了δ-MoN的导电性,其中当Nd取代6c位置的Mo原子时δ-MoN的导电性增强较大.

Co掺杂δ-MoN电子结构及磁性第一性原理研究

采用密度泛函理论对Co掺杂δ-MoN进行计算,分别讨论了Co取代两种不同位置(2a和6c)的Mo原子时对δ-MoN的电子结构和磁性的影响。研究表明,Co掺杂导致态密度发生自旋分裂,两个Co原子分别在Co2MoN(2a)和Co2MoN(6c)中贡献了4.00 μB和3.91 μB的磁矩;Co与其邻近Mo原子间的反铁磁相互作用导致Mo具有与Co相反方向的磁矩,每个Mo原子的磁矩位于–0.086 μB~–0.124 μB范围内。