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△^(9)-四氢大麻酚对血脑屏障作用的研究进展
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作者 张千遥 程浩 +3 位作者 黄依桢 腾喊信 张越 张瑞林 《中国比较医学杂志》 CAS 北大核心 2024年第3期120-126,共7页
大麻素的精神活性是众所周知的,关于大麻素在全世界是否可以用于治疗也一直存在争议。而Δ^(9)-四氢大麻酚(Δ^(9)-tetrahydrocannabinol,THC)作为大麻中最主要的精神活性物质,它的神经作用机制直到最近才被发现,但其作用机理仍未完全... 大麻素的精神活性是众所周知的,关于大麻素在全世界是否可以用于治疗也一直存在争议。而Δ^(9)-四氢大麻酚(Δ^(9)-tetrahydrocannabinol,THC)作为大麻中最主要的精神活性物质,它的神经作用机制直到最近才被发现,但其作用机理仍未完全明确。血脑屏障(blood-brain barrier,BBB)是保护大脑的关键屏障结构,也是外来物质入脑的第一道防线,THC的亲脂性及与内源性大麻素系统的相互作用使其更加容易对BBB产生作用。本文综述了THC的神经毒理作用,聚焦于THC对BBB的作用与机制,为阐明THC的神经作用机制提供理论依据。 展开更多
关键词 Δ^(9)-四氢大麻酚 血脑屏障 内源性大麻素系统 大麻 药物滥用 神经毒性
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膏盐层氧化障在长江中下游玢岩铁矿成矿中的作用 被引量:37
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作者 李延河 段超 +5 位作者 韩丹 陈新旺 王丛林 杨秉阳 张成 刘锋 《岩石学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期1355-1368,共14页
长江中下游是我国著名的铁铜金等多金属成矿带,其中宁芜和庐枞盆地产出一系列与白垩纪中基性火山-次火山岩有关的玢岩铁矿床。前人根据玢岩铁矿的地质特征、空间分布规律及其与火山-次火山岩的关系建立了著名玢岩铁矿成矿模式,发展了... 长江中下游是我国著名的铁铜金等多金属成矿带,其中宁芜和庐枞盆地产出一系列与白垩纪中基性火山-次火山岩有关的玢岩铁矿床。前人根据玢岩铁矿的地质特征、空间分布规律及其与火山-次火山岩的关系建立了著名玢岩铁矿成矿模式,发展了成矿理论,有效指导了玢岩铁矿找矿工作。但三叠系膏盐层在成矿中的作用没有引起应有的重视,深部矿化基本没有涉及。最新研究和勘查结果揭示中下三叠统周冲村组顶部膏盐层与矿化关系密切,但膏盐层的控矿机理还不清楚,“膏盐层氧化障”在玢岩铁矿成矿中的作用鲜有报道,宁芜-庐枞盆地深部矿化类型和矿体赋存部位知之甚少。本文研究了长江中下游玢岩铁矿的硫同位素组成,探讨了膏盐层氧化障在玢岩铁矿成矿中的作用。宁芜和庐枞盆地玢岩铁矿、硫铁矿中普遍含有石膏,玢岩铁矿、硫铁矿和石膏矿三者密切共生。玢岩铁矿及伴生硫铁矿中黄铁矿的δ^34 Sv-CDT值异常高,平均值均在5‰以上,石膏的δ^34SV-CDT,值大部分位于20%。左右,与海相硫酸盐的值相似,指示矿床中硫主要来自三叠纪膏盐层。矿床中黄铁矿的硫同位素组成与矿床成因类型密切相关。宁芜盆地姑山矿田的δ^34 SV-CDT值最高,为10.8‰,梅山矿田次之,为7.85‰,凹山矿田最低,为5.01‰;矿床成因类型也发生相应变化,矿浆型→矿浆→热液型→热液型。矿床中黄铁矿的硫同位素变化主要由硫酸盐的还原温度和原始岩浆硫所占比例不同引起,还原温度越高,δ^34S值越高;原始岩浆硫所占比例越高,δ^34S值越低。计算结果表明矿床中约60%-80%的硫来自膏盐层硫酸盐的还原,还原温度多在450℃以上,但硫化物的沉淀温度相对较低,就位时间稍晚。提出膏盐层(富含碳酸盐、石膏和石盐等)不仅可以为成矿提供大量Na+、Cl-、CO3^2-等矿化剂,使围岩发生钠长石化、方柱石化(氯化)和矽卡岩化等蚀变,使Fe^2+以NaFeCl3等络合物形式搬运,膏盐层还是地壳深处最重要的氧化障,能够将硅酸盐熔体和成矿溶液中的Fe^2+氧化成Fe^3+,富集形成铁矿床,是玢岩铁矿成矿的关键因素。当炽热的岩浆与膏盐层(CaSO4)发生同化混染时,SO4^2-将硅酸盐熔体中的Fe^2+氧化成Fe^3+,Fe^3+无法进入硅酸盐矿物晶格之中,而形成铁氧化物Fe2O4/Fe2O3和贫铁的硅酸盐矿物透辉石/阳起石、透闪石等。铁氧化物在磷、水和氯化钠等盐类物质的作用下在岩浆房中与硅酸盐熔体发生液态不混熔,熔离形成铁矿浆。铁矿浆粘滞性强,迁移距离不远,在岩体与膏盐层的接触带附近,沿构造有利部位贯入,形成姑山、梅山等矿浆型铁矿床。以铁的络合物形式搬运的成矿热液流动性强,迁移距离远,可以在远离岩体与膏盐层接触带部位、在上部白垩纪火山岩中富集沉淀。长江中下游玢岩铁矿中矿浆充填型和热液交代-充填型矿体同时存在,二者在空间上具有明显的分带,具“双层成矿结构”。在盆地深部岩体与膏盐层的接触部位产出“大冶式”矿浆充填一接触交代型富铁矿床,规模可能超过了赋存于浅部火山-次火山中的狭义“玢岩铁矿”。位于宁芜盆地南北两端的娃山和梅山矿田是找寻“大,台式”矿浆充填-接触交代型富铁矿的有利地段。在SO4^2-氧化Fe^2+的同时自身被还原为S^2-,S^2-与Fe^2+结合形成硫铁矿,在铁矿的上部或边部富集形成硫铁矿矿床;这是石膏矿、铁矿和硫铁矿密切共生的根本原因。 展开更多
关键词 玢岩铁矿 膏盐层 氧化障 铁矿浆 硫同位素 长江中下游
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四终端铁磁/半导体/铁磁异质结的自旋输运性质
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作者 王素新 李春光 +1 位作者 景君梅 杜坚 《河北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2011年第3期254-258,278,共6页
提出了含有δ势垒的四终端铁磁/半导体/铁磁异质结模型,研究了该模型透射概率的性质.结果表明:透射概率随半导体长度的增加产生周期性振荡,且与δ势垒强度及电子的自旋方向相关,Rashba自旋轨道耦合强度、外磁场对透射概率均有影响.
关键词 δ势垒 透射概率 RASHBA自旋轨道耦合
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含双δ势垒铁磁/半导体/铁磁异质结隧穿电导的性质
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作者 王素新 景君梅 +1 位作者 李春光 杜坚 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期350-353,358,共5页
研究了含双δ势垒的三终端铁磁/半导体/铁磁异质结隧穿电导的性质,结果表明:隧穿电导随半导体长度的增加作周期性等幅振荡,δ势垒强度、Rashba自旋轨道耦合强度、外加磁场强度及方向对隧穿电导均有不同的影响。
关键词 δ势垒 RASHBA自旋轨道耦合 隧穿电导 磁场
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平面波通过强度不相等的两个δ势垒问题的求解 被引量:2
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作者 王柏庐 《大学物理》 1998年第1期24-26,共3页
对平面波通过强度不相等的两个δ势垒(阱)的定态薛定谔方程作了详细的理论计算,得到了此问题的解.讨论了解的物理含义。
关键词 定态薛定谔方程 双δ势垒 共振透射 平面波
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附加δ势垒对一维半无限深势阱影响的研究 被引量:1
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作者 唐义甲 韩修林 《安庆师范学院学报(自然科学版)》 2015年第3期60-63,共4页
通过对添加δ势垒的一维半无限深势阱的薛定谔方程进行求解,得到了粒子运动的波函数和能级的相关公式,分析发现,δ势垒的添加以及它的强度与位置的变化对能级都有影响。对比不含δ势垒的一维半无限深势阱的能级,探究δ势垒的添加对原能... 通过对添加δ势垒的一维半无限深势阱的薛定谔方程进行求解,得到了粒子运动的波函数和能级的相关公式,分析发现,δ势垒的添加以及它的强度与位置的变化对能级都有影响。对比不含δ势垒的一维半无限深势阱的能级,探究δ势垒的添加对原能级产生的影响,并利用Mathematica作图来直观显示这一影响。 展开更多
关键词 δ势垒 一维无限深势阱 能级
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量子环终端布局对自旋输运的影响
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作者 杜坚 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期184-187,共4页
研究了量子环透射终端与入射终端相对位置改变时的变化规律。研究结果表明:透射概率和自旋极化率随半导体环尺寸的增大作周期性振荡,都与透射终端位置的改变相关;铁磁电极、Rashba自旋轨道耦合、外加磁场对透射概率和自旋极化率具有不... 研究了量子环透射终端与入射终端相对位置改变时的变化规律。研究结果表明:透射概率和自旋极化率随半导体环尺寸的增大作周期性振荡,都与透射终端位置的改变相关;铁磁电极、Rashba自旋轨道耦合、外加磁场对透射概率和自旋极化率具有不同影响;透射概率随δ势垒强度增加单调减小,自旋极化率随δ势垒强度增加单调增大。 展开更多
关键词 量子环 RASHBA自旋轨道耦合 AB磁通 透射概率 自旋极化率 δ势垒
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Quantum Supercurrent Transistors in Silicon Quantum Wells Confined by Superconductor Barriers
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作者 Nikolay T. Bagraev Edward Yu. Danilovsky +5 位作者 Leonid E. Klyachkin Andrei A. Kudryavtsev Roman V. Kuzmin Anna M. Malyarenko Wolfgang Gehlhoff Vladimir V. Romanov 《Journal of Modern Physics》 2011年第4期256-273,共18页
We present the findings of spin-dependent single-hole and pair-hole transport in plane and across the p-type high mobility silicon quantum wells (Si-QW), 2 nm, confined by the superconductor δ-barriers on the n-type ... We present the findings of spin-dependent single-hole and pair-hole transport in plane and across the p-type high mobility silicon quantum wells (Si-QW), 2 nm, confined by the superconductor δ-barriers on the n-type Si (100) surface. The oscillations of the conductance in normal state and the zero-resistance supercurrent in superconductor state as a function of the top gate voltage are found to be correlated by on- and off-resonance tuning the two-dimensional levels of holes in Si-QW with the Fermi energy in the superconductor δ-barriers. The SIMS and STM studies have shown that the δ-barriers heavily doped with boron, 5 × 1021 cm–3, represent really alternating arrays of silicon empty and doped dots, with dimensions restricted to 2 nm. This concentration of boron seems to indicate that each doped dot located between empty dots contains two impurity atoms of boron. The EPR studies show that these boron pairs are the trigonal dipole centres, B+ - B–, that contain the pairs of holes, which result from the negative -U reconstruction of the shallow boron acceptors, 2B0 => B+ - B–. The electrical resistivity, magnetic susceptibility and specific heat measurements demonstrate that the high density of holes in the Si-QW (> 1011 cm–2) gives rise to the high temperature superconductor properties for the δ-barriers. The value of the superconductor energy gap obtained is in a good agreement with the data derived from the oscillations of the conductance in normal state and of the zero-resistance supercurrent in superconductor state as a function of the bias voltage. These oscillations appear to be correlated by on- and off-resonance tuning the two-dimensional subbands of holes with the Fermi energy in the superconductor δ-barriers. Finally, the proximity effect in the S-Si-QW-S structure is revealed by the findings of the quantization of the supercurrent and the multiple Andreev reflection (MAR) observed both across and along the Si-QW plane thereby identifying the spin transistor effect. 展开更多
关键词 SILICON QUANTUM Well SUPERCONDUCTOR δ-barrier ESR Dipole Boron Center Multiple ANDREEV Reflection SUPERCURRENT Conductance EDESR SILICON MICROCAVITY
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具有不同自旋的电子在对称双δ势垒中的量子隧穿
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作者 卢祁 郭振平 《延边大学学报(自然科学版)》 CAS 2010年第3期232-234,共3页
在Slonczwski的自由电子理论模型下,考虑对称双δ势垒中具有不同自旋的电子间相互作用,利用量子隧穿原理计算了铁磁/绝缘层/半导体/绝缘层/铁磁(FM/I/SM/I/FM)双隧道结中电子的反射系数与透射系数.
关键词 对称双δ势垒 自旋 反射系数 透射系数
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一维对称双方势与对称双δ势的透射系数
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作者 苟朝军 罗志全 《西华师范大学学报(自然科学版)》 2011年第3期252-255,共4页
分析了自由粒子在一维对称双方势垒和对称双δ势垒中散射问题,严格导出了相应的透射系数.
关键词 对称双方势垒(阱) 对称双δ势垒(阱) 束缚态能级 透射系数.
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含δ势垒的铁磁/半导体/铁磁异质结中的自旋输运和渡越时间 被引量:8
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作者 杜坚 张鹏 +2 位作者 刘继红 李金亮 李玉现 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期7221-7227,共7页
研究了含δ势垒的铁磁/半导体/铁磁异质结中自旋相关的透射概率和渡越时间,讨论了量子尺寸效应和Rashba自旋轨道耦合效应对隧穿特性的影响.研究结果表明:δ势垒的存在降低了自旋电子的透射概率,改变了透射概率的位相.Rashba自旋轨道耦... 研究了含δ势垒的铁磁/半导体/铁磁异质结中自旋相关的透射概率和渡越时间,讨论了量子尺寸效应和Rashba自旋轨道耦合效应对隧穿特性的影响.研究结果表明:δ势垒的存在降低了自旋电子的透射概率,改变了透射概率的位相.Rashba自旋轨道耦合强度的增加加大了透射概率的振荡频率.不同自旋取向的电子隧穿异质结时,渡越时间随着半导体长度、Rashba自旋轨道耦合强度以及两铁磁电极中的磁化方向的夹角的变化而变化. 展开更多
关键词 δ势垒 铁磁/半导体/铁磁异质结 Rashba自旋轨道耦合效应 渡越时间
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δ势垒对多臂量子环中持续电流的影响 被引量:3
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作者 杜坚 王素新 袁爱国 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期2767-2774,共8页
提出了含δ势垒的多臂量子环模型.研究发现总磁通为零时,持续电流随半导体环增大发生非周期性振荡,下臂因含δ势垒而获得最小的平均持续电流.AB磁通增强时,持续电流会发生周期性等幅振荡,并与电极的磁矩方向以及隧穿电子的自旋方向相关... 提出了含δ势垒的多臂量子环模型.研究发现总磁通为零时,持续电流随半导体环增大发生非周期性振荡,下臂因含δ势垒而获得最小的平均持续电流.AB磁通增强时,持续电流会发生周期性等幅振荡,并与电极的磁矩方向以及隧穿电子的自旋方向相关.两电极磁矩方向平行时,Rashba自旋轨道耦合具有改变持续电流相位和相位差的效应;两电极磁矩方向反平行时,Rashba自旋轨道耦合具有改变持续电流振幅的效应.各臂之间持续电流的不同与臂长和磁通分布的差异相关.在一定条件下,两种波函数所对应的持续电流是可分离的. 展开更多
关键词 多臂量子环 持续电流 δ势垒 RASHBA自旋轨道耦合
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含双δ势垒三臂量子环的透射概率和持续电流 被引量:2
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作者 杜坚 王素新 杨淑敏 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期7926-7933,共8页
研究了含双δ势垒三臂量子环的透射概率和持续电流,研究结果表明:透射概率和持续电流都随半导体环尺寸的增大发生振荡,透射概率和持续电流与电子自旋和铁磁电极磁矩的取向相关.量子环尺寸取固定值时,透射概率和持续电流都会随AB磁通的... 研究了含双δ势垒三臂量子环的透射概率和持续电流,研究结果表明:透射概率和持续电流都随半导体环尺寸的增大发生振荡,透射概率和持续电流与电子自旋和铁磁电极磁矩的取向相关.量子环尺寸取固定值时,透射概率和持续电流都会随AB磁通的增加发生周期性等幅振荡.δ势垒和Rashba自旋轨道耦合对透射概率或持续电流有着不同的影响. 展开更多
关键词 透射概率 持续电流 RASHBA自旋轨道耦合 δ势垒
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粒子入射双δ势垒时空间分数阶薛定谔方程的解 被引量:2
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作者 林爱华 蒋晓芸 苗风明 《山东大学学报(工学版)》 CAS 北大核心 2010年第1期139-143,共5页
给出粒子入射双δ势垒时空间分数阶薛定谔方程满足的跃变条件并给出了解,求出了在此解下相应的透射系数和反射系数,讨论了粒子发生共振透射的条件,进而讨论了整数阶和分数阶薛定谔方程的关系。最后,文章给出了在动量表象中含有双δ势垒... 给出粒子入射双δ势垒时空间分数阶薛定谔方程满足的跃变条件并给出了解,求出了在此解下相应的透射系数和反射系数,讨论了粒子发生共振透射的条件,进而讨论了整数阶和分数阶薛定谔方程的关系。最后,文章给出了在动量表象中含有双δ势垒的空间分数阶薛定谔方程的解。 展开更多
关键词 分数阶微积分 空间分数阶薛定谔方程 双δ势垒 跃变条件 动量表象
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铁磁/半导体/铁磁结构的双量子环自旋输运的特性 被引量:5
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作者 杜坚 李春光 秦芳 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期3448-3455,共8页
研究了与铁磁/半导体/铁磁结构相关的双量子环自旋输运的规律,研究结果表明:总磁通为零条件下,铁磁电极磁化方向反平行时,双量子环与单量子环相比提高了自旋电子透射概率的平均值.铁磁电极磁化方向平行时,双量子环对提高自旋向下电子平... 研究了与铁磁/半导体/铁磁结构相关的双量子环自旋输运的规律,研究结果表明:总磁通为零条件下,铁磁电极磁化方向反平行时,双量子环与单量子环相比提高了自旋电子透射概率的平均值.铁磁电极磁化方向平行时,双量子环对提高自旋向下电子平均透射概率的效果更明显;双量子环受到Rashba自旋轨道耦合作用影响时,自旋电子的平均透射概率明显高于单量子环,即使再加上外加磁场的影响,透射概率较高这一特征依然存在;双量子环所含的δ势垒具有阻碍自旋电子输运的作用,随δ势垒强度Z的增大透射概率将会单调、非线性地减小. 展开更多
关键词 双量子环 RASHBA自旋轨道耦合 透射概率 δ势垒
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