压延加工过程中λ参数的工程意义

通过对辊筒上压延过程的流变分析引入无量纲体积流量参数λ,详细讨论了参数λ与压延过程工艺参数及被加工物料粘弹性的关系,经计算后,得知λ值直接影响辊筒间物料流动驻点X’＊的所在位置。加料口位置为X’,在X’<X’＊区域内,物料旋转运动有益于物料的均匀混合:在x’>x’＊区域,物料流动平稳,有益于物料平整贴合、压片、压型等工艺操作。然后介绍了确定参数λ的几种方法。

相对论重离子碰撞中HBT关联 λ参数分析(英文)

利用相对论量子分子动力学模型 RQMD,对 RHIC能区 s =2 0 0 AGe VAu+ Au中心碰撞进行了 2 π干涉学分析 ,对 HBT关联相干因子 λ的行为进行了研究 .研究表明 ,参数 λ一般小于理想混沌源时的值 ,这反映了源的部分相干特性外 ,还与源的膨胀和持续冻结有关 ,体现为

含有非线性电阻的动态电路唯一稳态的λ参数判定法

非线性电路的唯一稳态 ,是一个很重要问题。目前已有的绝大部分成果 ,只能处理电路中含有线性电阻的情况。虽然个别结果理论上可以扩展为非线性的情形 ,但由于其应用的复杂性 ,在实际应用中并无多大的价值。然而在大量的工程应用和理论研究中 ,非线性电阻是普遍存在的元件。因此研究和确立含有非线性电阻的电路网络的唯一稳态的条件 ,具有重要的意义。由于该课题的研究 ,已进行了近 30年 ,已有的成果也相当成熟。所以要进一步推广原有经典结果 ,就要采用与已有研究不同的方法。以元件成分关系斜率变化区间对应的常数矩阵为基础 ,通过引入一个参变量构造出多个新的矩阵。通过对这些包含参变量的矩阵分析 ,从而确定原电路的唯一稳态。结果可以很方便地处理含有非线性电阻的非线性网络的唯一稳态问题。

确定非线性电路唯一稳态的λ参数法

以元件成份关系斜率变化区间对应的常数矩阵为基础 ,通过引入一个参变量λ构造出多个新的矩阵 .通过对这些包含参变量λ的矩阵的分析 ,从而确定原电路的唯一稳态 .本文的结果对电路元件的约束 ,仅要求其成份关系斜率有界即可 .这大大放松了目前已有的经典结果中要求电路元件斜率为正的限制 。

非线性电路平衡点全局渐近稳定的λ参数法

提出了一种新的分析非线性电路平衡点全局渐近稳定的方法 .这种方法以元件成分关系斜率变化区间对应的常数矩阵为基础 ,通过引入一个参变量λ构造出多个新的矩阵 .通过对这些包含参变量λ的矩阵分析 ,结合平衡点的渐近稳定判据 ,决定平衡点的全局渐近稳定性 .与目前该问题所采用的LIYAPUNOV直接法相比 ,该方法具有无须判断平衡点的惟一性 ,判别方程直接明了等优点 .同时 ,该方法对于其他形式的非线性系统的分析 。

确定高维滞环多值电路惟一稳态的λ参数法

以元件成份关系斜率变化区间对应的常数矩阵为基础 ,通过引入一个参变量λ构造出多个新的矩阵。通过对这些包含参变量λ的矩阵的分析 ,从而确定电路的惟一稳态。本文的结果中 ,电路元件可以是多值的 ,这大大放松了目前已有的经典结果中要求电路元件为单值的限制 。

确定高维非线性电路唯一稳态的λ参数法

本文以元件成份关系斜率变化区间对应的常数矩阵为基础 ,通过引入一个参变量λ构造出多个新的矩阵。通过对这些包含参变量λ的矩阵的分析 ,从而确定原电路的唯一稳态。本文的结果对电路元件的约束 ,仅要求其成份关系斜率有界即可。这大大放松了目前已有的经典结果中要求电路元件斜率为正的限制 。

HBT参数对π源空间分布的敏感性研究(英文)

利用理想高斯源的两粒子关联函数 ,对单高斯源和双高斯源的两π介子HBT关联效应进行了研究 ,得出了相应的半径参数和λ参数 .结果表明 ,半径参数主要取决于高能重离子碰撞中多数π介子产生的中间区域 ;对产生π介子的边缘区域的空间分布形状不敏感 .在边缘区域内产生的π介子主要影响λ参数的变化 .π介子源空间分布的非高斯形是导致λ参数减少的一个重要因素 .

波阻抗反演在YD地区储层预测的应用

在溱潼凹陷开展波阻抗反演技术应用研究,对推动隐蔽油藏勘探技术具有重要意义。以Jason软件约束稀疏脉冲反演的基本流程为平台,结合YD地区储层发育特点,重点解决了YD地区阜三段测井资料标准化、反演标定及子波提取、地质框架结构的建立、λ参数优选等关键问题。实际应用表明,预测效果与已知钻井资料相吻合,取得了较好的效果,达到了提高隐蔽圈闭识别精度,促进隐蔽油藏勘探的目的。