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低能He^(2+)入射He原子转移电离实验中出射电子成像研究 被引量:1
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作者 冯文天 马新文 +9 位作者 朱小龙 张少峰 刘惠萍 许慎跃 钱东斌 李斌 闫顺成 张大成 孟令杰 张鹏举 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期8471-8477,共7页
利用反应显微谱仪对70keV He2+-He转移电离过程中的出射电子进行了成像,研究了出射电子的空间速度分布特征.结果表明:电子主要集中在散射平面内;在散射平面内,电子速度分布介于零与入射离子速度Vp之间(即前向出射)且在散射离子和靶核核... 利用反应显微谱仪对70keV He2+-He转移电离过程中的出射电子进行了成像,研究了出射电子的空间速度分布特征.结果表明:电子主要集中在散射平面内;在散射平面内,电子速度分布介于零与入射离子速度Vp之间(即前向出射)且在散射离子和靶核核间轴处有一极小值,呈现出典型的双峰结构.出射电子的上述分布特征可由出射电子波函数σ振幅和π振幅的干涉进行定性解释,σ振幅和π振幅对出射电子波函数的贡献与碰撞参数相关.在小碰撞参数下,π振幅的贡献更加明显;而在大碰撞参数下,σ振幅的贡献更加显著. 展开更多
关键词 反应显微谱仪 转移电离 电子速度分布 σ振幅和π振幅干涉
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