一种四阶2-1-1级联Σ-Δ调制器的MATLAB建模分析

对4阶2-1-1Σ-Δ调制器采用MLTLAB中的SIMULINK工具箱完成其行为级建模,在此基础上分析了各种非理想因素对调制器性能的影响.根据MATLAB系统仿真结果,获得了对时钟抖动、噪声、运放有限增益等参数的设计限制,并为Σ-Δ调制器的电路设计提供了具体参数约束指标.级联Σ-Δ调制器的MATLAB建模分析同样适应于单环高阶Σ-Δ调制器的系统设计.

中频带通ΣΔ调制器的建模与仿真设计

中频带通sigma-delta(ΣΔ)调制器是数字中频接收机的核心模块。基于一个双采样技术的低失真四阶带通sigma-delta调制器,分析了其主要的非理想特性,并建立了模型。利用根轨迹法对该调制器进行了稳定性研究,同时在TSMC 0.18μm的工艺下给出了该调制器的电路图以及版图的后仿真结果。后仿真结果显示了建立模型的准确性,证明该模型可以有效指导后级电路设计。

幺半群模的结合素性质

设M是右R-模,G是严格的全序幺半群,σ是从G到环R的全体自同态的集合的映射.证明如果MR是σ-相容的,则Ass(M[G])={P[G,σ]|P∈Ass(M)}.

关于环和模的σ-结构的若干注记

本文引入了环的不变σ—理想和模的σ—派生模等概念,并建立了它们的若干基本性质.同时,还指出并修正了文〔2—4〕中的几个不妥之处.

Σ-Δ调制器的非理想特性建模与验证

Σ-Δ调制器是常用于混合信号电路中的一个关键模块.基于一个的二阶低通调制器,对包括非理想开关、色噪声模型、非线性运放直流增益和多比特量化器中的电容适配在内的非理想效应,进行了分析和建模.该调制器在HJTC0.18μm工艺下实现并进行了流片测试.通过对行为级仿真和实际测试数据的对比,验证了提出的高层次建模方法,可以准确高效地指导调制器系统级和电路级设计.

非理想Σ-Δ调制器在SIMULINK下的行为级建模

根据数模混合电路各种实际非理想因素的影响,建立了一系列实现不同Σ-Δ数模转换调制器SIMULINK时域行为级非理想效果模型。和经典级联结构仿真模型相比,文中给出的模型加入了多级噪声整形结构,通过仿真和计算传递函数,分析了不同的非理想因素对于不同结构的影响。

Σ-主弱内射S-系

本文对幺半群Ｓ的任意右商滤子Σ，讨论了Σ－ 主弱内射Ｓ－ 系的余积、积、直和以及Σ－ 主弱内射Ｓ－ 系与Σ－ 内射Ｓ－ 系之间的关系，并且给出了所有Ｓ－ 系是Σ－ 主弱内射的幺半群的特征刻划，推广了有关主弱内射Ｓ－ 系的结果－

Σ- Δ调制器在非理想环境中的仿真

介绍了一整套Simulink模型,利用其可以对任何Σ- Δ调制器的性能进行详尽的仿真。给出的模型中考虑了大量Σ- Δ调制器的非理想因素,例如采样时钟抖动、k T/ C噪声和运算放大器参数(噪声、有限增益、有限带宽、转换速率和饱和电压)等。针对每个模型给出了详尽描述和所有实现细节。文中所有仿真的对象为一典型的二阶SCΣ- Δ调制器结构。最后的仿真结果论证了仿真模型的正确性。

AF vN代数中三角子代数的Lie理想

描述了AF von Neumann代数B中对角为Cartan子代数D的σ-弱闭三角子代数A的σ-弱闭Lie理想。证明了A中的σ-弱闭空间L是A的Lie理想当且仅当存在A的σ弱闭结合理想K和D的子空间Z使得K L K+Z。

2-扭自由σ-素环上的广义导子的性质

利用了σ-素环以及2-扭自由σ-素环的性质,运用了替换法与线性化,讨论了2-扭自由σ-素环非零σ-Jordan理想上满足一定条件广义导子.R为2-扭自由σ-素环,θ、φ为R上的一个自同构,F是R→R的一个加性映射,有伴随(θ,φ)-导子d的广义(θ,φ)-导子,且d与对合σ可交换,J为R上的非零σ-Jordan理想。若J在R上同态,则d=0或J■Z(R).所得的结果推广了Aydin.N.和L.Oukhtite和Asma Ali的相关结果.

对σ-素环上广义导子性质的研究

设R是2-扭自由σ-素环,I是R的非零σ-理想,设F,G是R的广义导子,d,g是它们的伴随导子,且与σ可交换,若F(x■y)=F(x)■y-d(y)■x,x,y∈I,则R是可交换的.用代数的交换性讨论了广义导子在σ-素环上的性质,并将素环上广义导子推广到σ-素环上.

作为2-扭自由σ-素环上的右(θ,θ)-导子的一个研究

运用2-扭自由σ-素环性质,采用替换法,推理了一个关于σ-素环上σ-Jordan理想上的右(θ,θ)-导子的结论,即:R是2-扭自由σ-素环,J是R上的非零σ-Jordan理想,θ是R上可与σ交换的一个自同构,d是R上的右(θ,θ)-导子,如果d(J)=0,那么d=0.

σ-素环Lie理想上的导子

R是2-扭自由σ-素环,U是非零σ-平方封闭的Lie理想。将A.Mamouni的结果推广到σ-素环的σ-Lie理想上,并得到当U满足几个关于导子d的恒等式时,可以得到U■Z(R)。

关于2-扭自由σ-素环上的左-(θ,θ)导子的一个研究

利用了2-扭自由σ-素环的性质以及运用了替换法与线性化,讨论了σ-素环Jordan理想上满足一定条件的左(θ,θ)-导子. R为2-扭自由σ-素环,θ为R上的一个自同构,且与对合σ可交换,d为R上的左(θ,θ)-导子,J为R上的非零σ-Jordan理想.若d(J)=0,则d=0或JZ(R).所得的结果推广了Aydin. N和L. Oukhtite的相关结果.

关于σ-半单纯环

对于交换的σ-半单纯环,程福长(1986年)证明了:σ-交换环是σ-半单纯的,当且仅当环 R 是有限个σ-单纯理想的直和.本文将上述结果推广到一般不要求交换的σ-环上.

*-素环上(σ,τ)-导子的简单性质

R是2-扭自由*-素环,U是平方封闭的*-Lie理想.证明了一些关于*-素环的平方封闭的*-Lie理想上(σ,τ)-导子的简单性质.

σ-半素拟环Lie理想上的导子的研究

设R是中心为Z(R)的2-扭自由σ-半素拟环,U?Z(R)是R上的非零σ-Lie理想.若d是R上的导子(d与σ是可交换的),且d(U)=0,则d=0.

基于Simulink的ΣΔ调制器非理想特性建模与仿真

在实际的ΣΔ调制器中,存在着各种非理想特性,主要包括时钟抖动,开关热噪声,运算放大器热噪声,以及积分器中运算放大器的有限增益、摆率、饱和电压等.为了考察这些非理想特性与调制器性能之间的关系,在MATLAB的Simulink环境下建立一个五阶ΣΔ调制器的非理想模型,通过系统仿真分析各种非理想特性对调制器性能的影响,为实际电路设计提供参考.