5英寸钽酸锂晶体生长工艺技术研究

本文着重介绍了用铱坩埚提拉法生长5英寸钽酸锂(LT)晶体的工艺过程,该工艺使用超大尺寸铱坩埚生长LT晶体;设计了稳定并可调节纵向及径向温度梯度的温场;采用了大量程、高灵敏度的上称重技术;运用逆向模拟法的模拟体设计。这些技术的集成,是5英寸晶体生长成功的必要保证。