采用基于测量 S参数和直流参数的工程模型与微波在片测试技术 ,建立与76 mm Ga As工艺线直接结合的Ga As器件 (MESFET,PHEMT)的 MMIC CAD适用器件模型及模型库 ,并通过对不同种类 Ga As MMIC的设计研制进行了验证与改进 ,模拟结果和...采用基于测量 S参数和直流参数的工程模型与微波在片测试技术 ,建立与76 mm Ga As工艺线直接结合的Ga As器件 (MESFET,PHEMT)的 MMIC CAD适用器件模型及模型库 ,并通过对不同种类 Ga As MMIC的设计研制进行了验证与改进 ,模拟结果和测试结果基本一致 .目前此模型和模型库已用于76 m m Ga As工艺线上多种微波 Ga As单片的设计研制 .展开更多
文摘采用基于测量 S参数和直流参数的工程模型与微波在片测试技术 ,建立与76 mm Ga As工艺线直接结合的Ga As器件 (MESFET,PHEMT)的 MMIC CAD适用器件模型及模型库 ,并通过对不同种类 Ga As MMIC的设计研制进行了验证与改进 ,模拟结果和测试结果基本一致 .目前此模型和模型库已用于76 m m Ga As工艺线上多种微波 Ga As单片的设计研制 .
