CuZnAl记忆元件的“台阶”效应

研究了CuZnAl形状记忆合金在压应力作用下进行不完全相变热循环或在两相区时效时相变曲线出现的“台阶”现象。结果表明 :外加载荷或延长两相区时效时间 ,均能促进“台阶”效应的发展。记忆元件一旦出现“台阶”效应 ,可在高于Af 以上的适当温度保温一定时间来消除。“台阶”效应可用马氏体时效使马氏体稳定化 ,引起逆转变温度升高 ,及母相时效使母相有序度略有提高 。

基于化学处理的熔融沉积成型后处理研究进展

熔融沉积成型(Fused Deposition Modeling,FDM)技术作为目前最为普及的快速成型技术之一,在航空航天、汽车制造、医疗应用、电子电器和熔模铸造等领域具有远大的应用前景。熔融沉积过程中存在的“台阶”效应制约了FDM技术的应用。介绍了熔融沉积成型原理及特点,分析了化学处理的原理,并从直接浸泡处理、冷蒸汽处理和热蒸汽处理等方面论述了FDM成型件后处理的研究现状和进展。