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题名Au线键合中“塌线”问题的研究
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作者
陆麟
毛凌锋
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机构
苏州大学电子信息学院微电子学系
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期233-236,298,共5页
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文摘
目前,在半导体闪存多芯片的金线键合工艺中,为满足堆叠芯片不断增加等结构需要,键合线弧要求更低、更长,制造工艺变得相对更加复杂。针对生产过程中常遇到的"塌线"问题,通过对金线键合工艺中线弧形成动作的过程分析,以金线"弹动"现象为线索,探究了生产过程中"塌线"问题产生的原因,并给出了相应解决方案。经过此研究,长线键合的生产工艺能力得到加强,其成果对新封装产品的研发及基板设计具有有益的参考价值。
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关键词
半导体
闪存
叠层封装
金线键合
长线键合
“塌线”现象
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Keywords
semiconductor
flash memory
MCP
Au wire bonding
long wire bonding
wire "laydown" phenomena
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分类号
TN305.96
[电子电信—物理电子学]
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