新思维“4-X”人才培养模式下本科生就业创业能力培养研究

在校企合作背景下,提出了一种"4-X"应用型人才培养模式的新思维,即大学本科为4学年,本科生在X期间进行企业实践,其他时间在校学习基础知识。这种模式使得校企合作环节与本科生在校学习环节互相补充,形成有机整体,从而更加全面、深入、系统地提高了本科生的就业和创业能力。

固态电解质Li_(1+x)Al_(x)Ti_(2-x)(PO_(4))_(3)中Li+的迁移特性

Li_(1+x)Al_(x)Ti_(2-x)(PO_(4))_(3)(LATP)是一种颇具前景的NASICON型锂离子固态电解质.本文通过第一性原理计算研究了不同Al掺杂浓度(x=0.00,0.16,0.33,0.50)对LATP的结构特性、电学特性以及Li^(+)迁移特性的影响.结果表明,Al能够稳定掺杂进入LiTi2(PO4)3(LTP)的晶体结构当中.当Al掺杂浓度x=0.16时,Li—O键的平均键长最长,成键强度最弱,而Ti—O键强度随Al掺杂浓度变化不大.Al掺杂浓度对LATP带隙的影响不大,但Al附近的O原子聚集了更多的负电荷,形成AlO6极化中心.Li^(+)不同的迁移方式(空位迁移、间隙位迁移和协同迁移)在Al掺杂浓度不同时展现出复杂的能垒变化,Li^(+)在空位迁移中迁移势垒随Al掺杂浓度的增大而升高,而在间隙位迁移中Li^(+)的迁移势垒变化相反,由于协同迁移中涉及空位和间隙位两种位点,Li^(+)的迁移势垒表现为随Al掺杂浓度的升高先降低后升高的复杂变化.当x=0.50时,LATP具有最低的Li^(+)迁移势垒0.342 eV,这个势垒值是间隙位迁移的结果.因此,通过改变Al掺杂浓度,可改变间隙Li^(+)浓度及迁移通道结构,进而调节Li^(+)的迁移性能,提高LATP中的Li^(+)导电性能.

钠离子陶瓷固态电解质Na_(5-x)Y_(1-x)Zr_(x)Si_(4)O_(12)的制备与性能探究

近年来,钠离子固态电池作为可充电电池的一员逐渐进入人们的视野。固态电池的优点在于避免使用液态电解质,从而可以规避电池泄漏和爆炸等风险。目前钠离子固态电解质的研究难点是如何提高室温下的离子电导率。为此,通过在固态电解质材料Na_(5)YSi_(4)O_(12)(NYS)中引入高价离子Zr^(4+)以提高其离子电导率。实验以NaNO_(3)、YN_(3)O_(9)·6H_(2)O、C_(8)H_(20)O_(4)Si和ZrO(NO_(3))(2)·x H_(2)O为起始物质,采用新型溶液辅助的固相反应法(SASSR)制备了具有六方晶系结构的固态电解质Na_(5-x)Y_(1-x)Zr_(x)Si_(4)O_(12)(x=0.04、0.06、0.08、0.10、0.12),着重研究了Na_(5-x)Y_(1-x)Zr_(x)Si_(4)O_(12)(NYZS)中Zr^(4+)的加入量和烧结温度与离子电导率之间的关系。研究发现,当x=0.08时,室温下离子电导率最高为2.13 mS·cm^(-1),活化能较低仅为0.222 eV。相比于未掺杂Zr^(4+)的Na_(5)YSi_(4)O_(12)(NYS)材料电导率得到较大的提升。其较高的电导率得益于高价Zr^(4+)掺杂后出现的钠空位,增强了Na^(+)传输浓度。此研究表明Na_(5-x)Y_(1-x)Zr_(x)Si_(4)O_(12)是一种具有竞争力的钠离子固态电解质,有望成为新一代储能的研究热点。

C-X-C趋化因子受体4增强Toll样受体2在肺炎衣原体感染促进动脉粥样硬化病变形成中的作用

[目的]探究C-X-C趋化因子受体4(CXCR4)在肺炎衣原体(C.pn)感染促进动脉粥样硬化(As)病变形成中的作用。[方法]以高脂饮食为基础,建立C.pn感染诱导ApoE^(-/-)、ApoE^(-/-)+Toll样受体2(TLR2)^(-/-)、ApoE^(-/-)+TLR2^(-/-)+AMD3100小鼠As模型,ELISA检测ApoE^(-/-)小鼠血清C.pn IgG、IgM抗体水平,PCR检测肺组织C.pn特异性DNA,油红O染色和HE染色观察主动脉及主动脉根部脂质沉积和As病变面积,比色法测定血清总胆固醇(TC)、甘油三酯(TG)、低密度脂蛋白胆固醇(LDLC)和高密度脂蛋白胆固醇(HDLC)水平,ELISA检测血清白细胞介素1β(IL-1β)和白细胞介素6(IL-6)含量。[结果]ApoE^(-/-)小鼠C.pn感染模型成功建立。与对照组相比,C.pn感染后ApoE^(-/-)小鼠主动脉及主动脉根部脂质沉积量增加89.08%和71.83%,As病变面积增加34.12%(均P<0.05);与C.pn感染组相比,TLR2^(-/-)+C.pn感染组主动脉及主动脉根部脂质沉积量减少46.16%和75.73%,As病变面积减少63.37%(均P<0.05);与TLR2^(-/-)+C.pn感染组相比,TLR2^(-/-)+AMD3100+C.pn感染组主动脉及主动脉根部脂质沉积量减少26.19%和56.94%,As病变面积则减少22.24%(均P<0.05)。与对照组相比,C.pn感染后血清TC、TG和LDLC水平分别升高0.62倍、1.43倍和1.34倍,血清IL-1β和IL-6含量分别增加4.10倍和6.00倍(均P<0.05);与C.pn感染组相比,TLR2^(-/-)+C.pn感染组血清TC、TG和LDLC水平分别降低56.96%、50.41%和66.64%,血清IL-1β和IL-6含量分别减少66.72%和69.54%(均P<0.05);与TLR2^(-/-)+C.pn感染组相比,TLR2^(-/-)+AMD3100+C.pn感染组血清TC、TG和LDLC水平分别降低52.18%、58.56%和60.61%,血清IL-1β和IL-6含量分别减少28.84%和43.18%(均P<0.05)。[结论]CXCR4可增强TLR2在升高血脂水平及炎症因子含量中的作用,进而参与C.pn感染诱导的As病变形成。

(Bi_(4-x),La_x)Ti_3O_(12)粉体的溶胶-凝胶制备技术研究

采用溶胶 -凝胶 (Sol- Gel)技术 ,以硝酸铋、硝酸镧和钛酸丁酯为原料 ,制备了掺镧钛酸铋 (Bi3.6 ,L a0 .4)Ti3O1 2 (简记为 BL T) )粉体。利用 DTA、XRD以及激光光散射粒度分析等手段分析了粉体的固相反应、结构和颗粒度。结果表明 ,BL T初始粉体在 730°C左右发生固相反应 ,生成 BL T颗粒 ;730°C以下烧结的粉体为含立方 (Bi,L a) 1 2 Ti O2 0 相和正交 (Bi3.6 ,L a0 .4) Ti3O1 2 相的混合物 ,平均颗粒度为 6 0 nm左右 ;730°C以上烧结的粉体为完全正交结构的 BL T多晶颗粒体 ,平均颗粒度约为 5 0 0 nm;利用 Sol- Gel技术 ,可以制备纳米级、分散良好、分布一致的BL T粉体 ,这对 BL

溶胶-凝胶技术制备(Bi_(4-x),La_x)Ti_3O_(12)陶瓷的工艺技术研究

采用 3种溶胶 凝胶 (sol gel)工艺 ,以硝酸铋、硝酸镧和钛酸丁酯为原料 ,制备掺镧钛酸铋 (Bi4-x,Lax)Ti3 O12 (简记为BLT)陶瓷。通过控制溶胶 凝胶工艺 ,分析比较不同溶胶 凝胶过程对陶瓷结构的影响 ,为后续BLT铁电薄膜的溶胶 凝胶制备选择最佳工艺技术条件。研究发现采用滴定方式的sol

La_(4-x)(P_2O_5)_3:Eu_x的合成及光谱性质

La 4- x (P 2O 5) 3:Eu x were synthesized from a mixed solution of La(NO 3) 3 and Eu(NO 3) 3 in nitric acid solution(pH=4.5) followed by precipitation on addition of Na 4P 2O 7 solution and calcination at 900 ℃. The products showed a highest excitation peak at 349 nm and highest emission peak at 596 nm .

(Bi_(4-x),La_x)Ti_3O_(12)铁电陶瓷性能研究

采用溶胶 -凝胶 (Sol- Gel)技术制备了 (Bi4 - x,L ax) Ti3O1 2 (BL T)干凝胶粉体 ,并用此粉体制备了陶瓷。利用 XRD、SEM等手段分析表征了陶瓷的结构、表面形貌及介电性能。结果表明 ,采用本文工艺技术制备的陶瓷为类钙钛矿结构 ,表面致密 ,陶瓷的极化场强约为 4 .5 k V/ m m;BL T陶瓷介电性能为 :介电常数 ε=4 2 5 (1k Hz) ,介电损耗 tanδ=0 .0 5 (1k Hz)。掺杂量的研究表明 ,当 x≥ 0 .4时 ,L a的引入对介电常数和介电损耗有较大的影响 ,即使介电常数升高 ,介电损耗降低。

La_(2-x)Sr_xCuO_4和La_(2-x)Nd_xCuO_(4+y)的键共价性计算

使用复杂晶体化学键理论计算了La2 -x SrxCuO4 和La2 -xNdxCuO4 +y中各键的键共价性 ,讨论了键性随着掺杂的变化规律 .研究表明 ,对于 2 1 4结构 ,没有发现明显的化学键性与超导温度的关系 ,因此 2 1 4结构中有关超导现象产生的机理还有待于进一步研究 .

3种肉桂酸(4-X-(Z)-2烯-丁基)酯(X=OH,Cl,I))的合成、表征及理论研究

报导了 3种肉桂酸 ( 4 X (Z) 2 烯 丁基 )酯 (X =OH ,Cl,I) )的制备 ,测定了标题化合物的红外和核磁共振谱 ,并用HF/ 4 3 1g方法优化了 3种化合物构型 ,在此基础上计算了其红外光谱 ,再用GIAO从头计算方法计算了 3种化合物的NMR谱 ,其结果与实验值符合较好 .显然 ,IR、NMR的量子化学计算可为确定化合物的结构提供一种新的工具 .

杂质对Gd_5(Si_xGe_(1-x))_4(x≈0.5)合金结构与磁熵变的影响

采用纯度分别为99.94%和99.2%的稀土金属Gd,配制了Gd5Si1.9Ge2.1和Gd5Si1.72Ge2.28两组合金,研究杂质对Gd5(SixGe1-x)4合金磁熵变的影响原因。粉末衍射结构分析表明,所研究的合金中都有Gd5Si2Ge2相,而采用低纯Gd配制的Gd5(SixGe1-x)4合金中还出现了明显的Gd5(Si,Ge)3相。磁性测量表明,杂质不改变合金中主相的居里温度,即没有改变合金中主相磁性原子的相互作用,但由于低温反铁磁性Gd5(Si,Ge)3相对室温Gd5Si2Ge2相的磁熵变没有贡献,导致Gd5(SixGe1-x)4合金在室温附近的磁熵变下降。

Li_(1-x)Bi_(4+x)Ti_(4)O_(15)薄膜制备与表征

在LiNO_3/SiO_2/Si基板上制备了Li_(1-x)Bi_(4+x)Ti_4O_(15)系列薄膜(x=0.3、0.4、0.5、0.6),并系统分析了这些薄膜的微观结构以及铁电、介电及漏电等电学特性。研究结果表明,在氮气气氛中以600℃持温30 min制备的单一相薄膜中Li0.5Bi4.5Ti4O15薄膜的结晶效果最好,且在其表面可成长出独立晶粒分布状态;x为0.5时薄膜的剩余极化强度2Pr=53.5μC/cm2、矫顽场2Ec=144.2 k V/cm,此时薄膜的铁电性能相对最佳;该系列薄膜的介电常数介于37~100,介电损失相对偏高,介于0.7~1.0;所有薄膜的漏电流均随外加电压的增加而逐渐增大,其中Li0.5Bi4.5Ti4O15薄膜漏电流最小,外加电压为10 V时其值约为3.88×10-6A。

稀土合金Gd_5(Si_xGe_(1-x))_4(0.24

基于对室温磁致冷材料稀土合金Gd5(SixGe1-x)4(0.24<x≤0.5)主要实验结果的分析与研究,提出了该系合金场诱导相变的一个理论描述。按照Landau Devonshire理论和次晶格假设,合理地解释了该系合金的磁行为,并且其数值结果与实验数据较为一致。

Gd_5(Si_xGe_(1-x))_4磁致冷材料的研究与发展

为了促进室温磁致冷技术的实用化,本文系统全面地介绍了室温磁致冷材料Gd5(SixGe1-x)4系金属间化合物近年来的发展概况,阐明了巨磁热效应与晶体结构、相变类型的关系,着重介绍了优化合金磁热性能的各种途径,最后针对合金实用化存在的问题提出了解决方法,并对其应用前景进行了展望．

醇-水溶液共沉淀法制备纳米尖晶石型ZnFe_xCr_(2-x)O_4

在醇 -水体系中采用沉淀法制成复合氢氧化物 ,再经高温煅烧制成纳米尖晶石型Zn FexCr(2 -x) O4粉体材料 ,并用XRD ,TEM和IR等方法对纳米晶进行表征。通过与传统的水溶液共沉淀法相比较 ,表明该方法得到的样品粉体粒径尺寸小。

Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶体生长研究

采用Bridgman法生长四元稀磁化合物半导体Mn0 .2 2Cd0 .78In2 Te4晶体。当晶体生长到预定长度时 ,淬火得到固液界面。采用光学显微镜、扫描电镜、X射线衍射仪、ISIS能谱仪以及Leica定量金相分析仪研究了晶体中出现的界面形态、相的形貌和数量以及沿生长方向的相析出规律 ,并进行了相成分分析。研究发现 ,淬火得到的Mn0 .2 2 Cd0 .78In2 Te4晶体中存在两个界面 ,其中一个为固液相变界面 ,另一个为由α + β两相区发展到单相 β区时的转变界面 ,二者相对于生长初始端均为凹形 ;α+ β两相区中 ,β相以条状、花状和近似圆片状形式存在 ,其中条状 β相多分布在晶界处 ;越接近生长初始端 ,花状和近似圆片状β相越小 ,条状 β相越细 ,它们的含量越少 ;X射线衍射图谱表明 ,β相为黄铜矿结构 ,α相为面心立方结构。

LiM_xMn_(2-x)O_4(M=Cr、Al)尖晶石相阴极材料研究

用溶胶 -凝胶法制备了 L i Mx Mn2 - x O4( M=Cr、Al;x≤ 0 .2 )尖晶石相锂离子电池阴极材料。SEM表面观测显示材料的晶形好 ,粒度均匀 ,粒径小于 0 .5微米。电化学测试表明 ,低水平量 ( 0 .0 2≤ x≤ 0 .0 5 )的 Cr、Al掺杂材料初始容量稍有降低 ,但却较大地改善了循环性能。在 L i Mx Mn2 - x O4中 ,掺 Al降低了 L i+、Mn3+占位的无序度 ;Cr3+和 Al3+取代了其中的部分 Mn3+ ,占据八面体位 ( 16 d) ,抑制了 Jahn-Teller效应 ,增强了尖晶石骨架的稳定性 ,提高了其电化学性能。在 3.0～ 4.3V的充放电过程中 ,材料中的 Cr、Al都保持 +3价不变 。

K_2NiF_4型Eu_(2-x)Sr_xCuO_4稀土复合氧化物的合成、结构及还原特性

研究了具有K2 NiF4 型结构的Eu2 -xSrxCuO4 复合氧化物的合成、物相结构及其还原特性。发现用络合 凝胶法制备时 ,Eu2 -xSrxCuO4 复合氧化物的生成温度为 110 0℃左右 ,粉末XRD表明Eu2 -xSrxCuO4 复合氧化物属四方晶系 ,空间群为I4/mmm ,其晶胞参数随x的增加而增加。当x≥ 0 7时 ,多余的Sr不能进入晶胞而呈游离的SrO形式存在 ,同时在物相中也存在一定数量的CuO物相。Eu2 -xSrxCuO4 系列复合氧化物对CO和甲烷的催化氧化反应的活性在x较小时随着x的增加而增加。

尖晶石型LiNi_xMn_(2-x)O_4锂离子正极材料的电化学性能

采用Pechini法在 80 0℃空气中焙烧 6h制备LiNixMn2 -xO4试样 (x =0 ,0 .0 5 ,0 .1,0 .2 ,0 .3,0 .4 ,0 .5 )。经XRD测试表明除LiNi0 .5Mn1.5O4以外 ,其它的试样均为纯净的尖晶石结构。尖晶石LiNixMn2 -xO4试样电极在 3.3～ 4 .5V以及 4 .5～ 4 .8V范围内的电化学性能测试表明 :在 3.3～ 4 .5V范围内 ,试样初始充放电容量随Ni元素掺杂比例的增加而降低 ;在 4 .5～ 4 .8V范围内 ,试样初始充放电容量随Ni元素掺杂比例的增加而增大 ;在 3.3～ 4 .8V范围内 ,试样总的初始容量基本不变 ;在 3.3～ 4 .5V范围内 。

Co_xFe_(3-x)O_4纳米晶的水热氧化合成研究

用水热氧化法合成出单相CoxFe3xO4磁性纳米晶,采用XRD、SEM、IR表征产物。研究了水热合成条件及组成变化对产物物相、结构和粒度的影响。结果表明,较好的水热氧化法合成条件是:前驱物为沉淀,采用MDB工艺,pH9.0～10.0,80～90℃,2～3MPa,2～3h,搅拌速度300～400rmin。产物烧结温度为500～600℃,时间为3h。