磁控溅射制备In_2O_3-SnO_2薄膜与分析

选择In2O3与SnO2质量比1：1的靶材为溅射源，采用磁控溅射法沉积了ITO薄膜，讨论了溅射氩气压强、氧流量、基体温度对薄膜透射率和方阻的影响，深入分析了其机理。研究结果表明：溅射时采用低Ar压强更有利于降低ITO薄膜的电阻率，并确定最佳氩气压强为0．2Pa，厚度为120nm的ITO薄膜在可见光区的透过率可达到90％；氧流量能明显改变薄膜的性能，随着氧流量从0增加10L／min（标准状态下，下同），载流子浓度（N）则由3．2×10^20降低到1．2×10^19／cm^3，N值的变化与ITO薄膜光学禁带宽度（Eg）的变化密切相关。振子模型与实验结果吻合，并确定了ITO薄膜的等离子波长（λ=1510nm）。薄膜随方阻减小表现出明显的“B-M”效应。通过线性外推，建立了直接跃迁的（αE）^2模型，并确定了薄膜的Eg值（3．5～3．86eV）。