EV集团在SEMICON CHINA2005展出最新的掩模对准曝光机EV6200 INFINITY

EVG在SEMICON CHINA2005展出了最新的掩模曝光机。EVC6200 Infinity掩模对准曝光机可以在近距离对很厚的整个阻光层近距离曝光，针对先进的封装市场而设计的。它可以通过升级，安装底部显微镜，用于MEMS的双面曝光。在市场上所有200mm淹没对准曝光机中，这种新的曝光机是面积最小的，产量是最高的，两次故障之间的无故障平均时间是最大的，光刻间隙的设定也是最精确的。

科利登在SEMICON China 2005展会上展示存储器和RF测试系统

科利登系统公司为满足中国消费类电子市场的高增长要求，科利登在SEMICON中国展览中展示了其用于应对混合信号、无线和闪存器件所带来的挑战的测试产品。这些解决方案是为帮助制造商改进产品质量和成品率设计的，同时也显著地缩短了产品进人量产时间和总测试成本。展示的具体产品有。

环球仪器在SEMICON CHINA2005展出其得意产品——GSMXS平台

在三月SEMICON展览期间，环球仪器展出在线晶圆增强功能CSM平台，以满足先进半导体装配的需要。这项在线晶圆增强功能对处理单-300mm规格晶圆尤其有效，同时还保留了晶圆送料器处理多种规格晶圆工艺的离线晶片扩容能力。

全球两万人与会 SEMICON China持续红火

在半导体制造技术方面规模盛大、极具综合性的 SEMICON China2005展会日前于上海展开,1,500个展位展出来自1,000多家参展单位的新技术、产品与服务,包括高新的 IC 制造工艺、清洗设备等。众多半导体业的佼佼者与会,使本次展会极尽声色,也反映了中国半导体制造业的欣欣向荣之姿。

跨界全球、心芯相联,SEMICON China 2017展会

全球芯片产业重心正在向以中国为中心的亚洲地区转移,中国半导体产业因此日益占有"天时、地利、人和"。全球规模最大、规格最高的半导体产业年度盛会SEMICON China2017正是中国半导体人为实现"半导体中国梦"的首选国际合作、交流平台。

“经济人”还是“政治人”:半导体超级企业的策略选择机制

在美国点名施压之下,为何全球半导体超级企业在中美两国间的策略选择呈现出较为明显的差异?既有研究对于高科技超级企业在大国科技竞争背景下的决策机制关注不足。超级企业的策略选择受到外部大国关系和自身“经济人”“政治人”属性的影响,当体系内大国关系处于合作的良性状态时,“经济人”逻辑占据上风,企业能够在全球市场中自主决策,理性地追求自身利润最大化;当大国关系为竞争甚至走向对抗时,“政治人”逻辑则占据上风,企业“政治人”属性的强弱决定其如何应对美国的政治胁迫,进而决定能否进入下一阶段遵循“经济人”逻辑的决策环节。台积电、英伟达和阿斯麦的策略选择能够为这一分析框架提供经验证据。该研究有助于理解美国对华科技竞争背景下高科技超级企业的决策机制,也对中国和中国企业在技术变革时代分析合作伙伴和竞争对手的行为逻辑具有一定启发意义。

XLPE 电缆水树老化过程中半导电层缺陷的形成机理

交联聚乙烯(XLPE)电缆的半导电层缺陷诱发机理尚无定论。为此,在加速水树老化实验的基础上,观测了水树老化后电缆的内、外半导电层中的缺陷,并对这些缺陷的形成原因进行了讨论。采用水针法对长度为70 m的XLPE电缆进行加速老化,电缆的绝缘性能逐渐下降,并在绝缘层中观察到水树缺陷。通过扫描电镜(SEM)观测到,老化样本的半导电层中有大量孔洞缺陷。进一步采用X射线能量色散谱(EDS)对内、外半导电层中的化学元素进行定量分析证明,老化后半导电层中氧(O)元素含量显著减少。因此,在长期老化过程中,半导电层中可能发生了电解质水溶液的电解反应,并生成了氧气(O2)和臭氧(O3),这种气体的生成是半导电层中孔洞缺陷发生及发展的原因。

采用半导体激光器自身pn结特性测温的半导体激光器恒温控制

温度对半导体激光器的发射波长有很大的影响,而很多应用都要求半导体激光器的发射波长是稳定的。针对使用测温元件作为温度传感器进行半导体激光器恒温控制中存在的温度误差,提出了以半导体激光器自身pn结作为温度检测元件进行半导体激光器恒温控制的方法,设计了半导体制冷器的驱动电路。该方法利用pn结的温度敏感特性,首先通过实际测量标定pn结的温度与其两端压降的对应关系,然后通过测量压降得出相应的实际温度。实验结果表明,采用该方法消除了使用温度传感器进行半导体激光器恒温控制中温度梯度造成的恒温误差,提高了测量速度,显著减小了超调量,消除了静差和波动。

基于双光电延迟反馈装置的双向混沌保密通信系统

提出了基于双光电延迟反馈装置的双向混沌保密通信系统,数值研究了系统的同步特性及通信性能.结果表明,系统输出的混沌波具有更宽的频带和更为复杂的频谱,有利于提高通信容量和系统的保密性;当两个激光器和两个调制器的参数一致时,能获得无延时的高质量混沌同步,并实现实时双向通信;参数失配对系统同步性能和通信质量有一定影响,但在一定的参数失配范围内,系统仍能实现较好的双向混沌通信.

N/P/As/Sb掺杂(9,0)型碳化硅纳米管的第一性原理

基于第一性原理,研究(9,0)型碳化硅纳米管壁掺杂N/P/As/Sb元素对其电子结构的影响.结果表明,随着掺杂的VA族原子半径的增加,电负性的减弱,其能带结构发生较大改变,特别是As/Sb分别取代Si原子后,其能带展示出P型半导体特性,这点不同于N原子掺杂后的半金属性,P原子掺杂后表现出的N型半导体特性.计算结果说明五族元素掺杂碳化硅纳米管并不都是N型掺杂.

基于半导体光放大器环形腔的全光频率倍增／恢复

提出了一种利用具有干涉作用的半导体光放大器(SOA)环形腔实现全光频率倍增／恢复的新方法,该方法同相关实验比较具有显著优势。数值结果表明:2．5 GHz的光脉冲序列注入SOA环形腔,可输出重复频率为5-25 GHz振幅均衡、与入射光偏振无关的光脉冲序列; SOA的偏置电流对SOA环形腔输出脉冲振幅的均衡度影响显著,对于基频为2．5 GHz和10 GHz输入脉冲序列分别存在一最佳的SOA偏置电流值;从传输速率为2．5 Gbit／s的27-1伪随机信号中可提取出重复频率为分别2．5 GHz和5 GHz的幅度均衡的时钟信号。

化合物半导体晶片和器件键合技术进展

半导体晶片直接键合技术已成为半导体工艺的一门重要技术 ,它对实现不同材料器件的准单片集成、光电子器件的性能改善和新型半导体器件的发展起了极大的推动作用。文中详细叙述了近十年来 - 族化合物半导体键合技术的主要实验方法 ,并对各种键合方法的优缺点进行了比较 ,结合自己的工作对化合物半导体的键合机理和界面特性做了总结 。

不同半导体非均相光催化聚丙烯酰胺水溶液

采用不同类型的半导体TiO2为催化剂，研究了非均相光催化氧化降解水中聚丙烯酰胺（PAM）的可行性，并对其活性进行了考察。结果表明，不同类型的半导体对PAM水溶液氧化活性不同，以纳米级的锐钛矿型TiO2活性较好，煅烧温度对制备的催化剂活性影响也不同。

局部凸H-空间中的 Ky Fan型截口定理及其应用

本文首先在局部凸Ｈ－空间中建立一个新的Ｆａｎ型截口定理．作为应用，我们在Ｈ－空间中获得了相交定理、重合定理和极大极小定理．本文中的定理把文献中的相应结果改进和推广到Ｈ－空间．

半导体量子点的制备、性质和应用

量子点,又称“人造原子”,它是纳米科技研究的重要组成部分。由于载流子在半导体量子点中受到三维限制而具有的独特性能,构成了量子器件和电路的基础,在未来的纳米电子学、光电子学,光子、量子计算和生命科学等方面有着重要的应用前景,受到人们广泛重视。文章介绍了半导体量子点结构的制备和性质以及量子点器件的可能应用。

OTFT开关比对有源层厚度、杂质浓度间制约关系的影响研究

本文从物理角度推导并分析Brown方程的本质,并将之用于OTFT开关比的分析。首次通过引入关键参数K(杂质层电流/感应层电流)对OTFT开关比进行了分析,获得OTFT中有源层厚度和杂质浓度潜在的、可被允许的上限值。在此前提下,重点分析了有源层厚度、有效杂质浓度对OTFT开关比的影响。接着根据模拟分析的结果,提出一种有效且简易的判断OTFT是否逼近开关比极限的方法,并分别论证在逼近/远离开关比极限的情况下,降低NA和dS对开关比提升的有效性,及不同情况的OTFT应采取的优化措施。最后,文中给出了一定开关比约束下有效掺杂浓度/有源层厚度的临界关系曲线,它具有重要的实用意义,且进一步约束了OTFT中有源层厚度和有效杂质浓度的所允许的上限值。

p-GaP/Au-Sb/Au-Zn体系的接触界面

采用X光电子能谱(XPS)研究了Au-Zn/Au-Sb与p-GaP接触体系的界面结构及其组分随着A_r^+溅射刻蚀深度的变化,实验结果表明,在一定的合金温度下由于GaP和Au-Zn/Au-Sb层之间金属-半导体互扩散生成Au-Ga反应层,GaSb化合物并含有Zn的原子,Zn内扩散使界面形成一个较高掺杂浓度的再生长层,可改善M-S欧姆接触性质,此外,界面上还有碳、氧杂质的沾污,有效地清除半导体表面氧化层对于制好欧姆电极是重要的。

多纵模半导体激光器的混沌同步研究

建立了多纵模外腔半导体激光器与单纵模半导体激光器的单向耦合系统理论模型,研究了不同纵模间的混沌同步及系统参数的影响.研究结果表明当内部参数完全匹配时该系统的同步性能较好,而且在内部参数不完全匹配的情况下也能保持较好的鲁棒性,说明在基于混沌的保密光通信中利用多纵模同步进行混沌复用通信是完全有可能的.

发光二极管的作用距离公式和分析

本文推导出发光二极管（LED）的作用距离公式，分析作用距离的影响因素，并针对常用观测设备作进一步的分析。使用最低照度0．02勒克斯和中等分辨率摄像机构成的观测设备，辐射功率为6mW辐射半圆锥角为25度的LED作用距离可以速至1．5km。本文给出的实验结果充分验证了理论分析的正确性。由于LED具有体积小、重量轻、功耗低、寿命长、可靠性高和响应速度快等优点，可以应用于指示灯、显示屏、交通管理、生产自动化和空间交会对接等方面各种标志的发光器件，本文提供和证明的LED的作用距离公式及作用距离范围能大大地促进LED的广泛应用。

红外吸收微区测量技术在半导体材料中的应用

本文采用微孔遮挡近红外吸收法，对厚度为０．５ｍｍ左右薄片半绝缘（ＳＩ）－ＧａＡｓ中深施主ＥＬ＿２进行了直接测量，使用微机控制自动测量系统对ＳＩ－ＧａＡｓ晶片中的ＥＬ＿２浓度进行了微区分布测量，利用显微傅里叶变换红外光谱测量技术对硅外延层厚度，硅中间隙氧、替位砍含量，硼、磷、硅玻璃中的硼磷含量及薄片ＳＩ－ＧａＡＳ中替位碳含量进行了ＦＴ－ＩＲ显微测量。实验结果为研究半导体材料的微区特性和均匀性提供了可靠的依据。