C-V法测量pn结杂质浓度分布的基本原理及应用

全面地介绍了pn结C-V测量法的基本原理、测试设备及条件。利用pn结反向偏压时的电容特性推导了有效杂质浓度随深度分布的计算公式及突变结和线性缓变结的1/(C2)-V和1/(C3)-V关系图。应用该原理计算、分析了IN5401整流二极管pn结的特性及杂质浓度的纵向分布。

论“V+P+N”中P由前加成分向后加成分的转变

由于汉语韵律的原因,现代汉语“V+P+N”结构中有的P由“P+N”结构中的前加成分变成了“V+P”的后加成分。前附后的P呈现出动态的变化趋势,有的变成了语法成分———助词,有的变成了构词成分———词缀,有的还游移于助词和词缀之间。

从“X于”结构来看“V+P+N”结构的发展趋势

"V+P+N"是一类常用的结构,性质比较复杂。本文首先综述对"V+P+N"结构研究的几种观点;然后根据原型理论,通过对"X于"结构的考察来预测"V+P+N"结构的发展趋势;最后用方言材料来为我们的观点提供佐证。

Keggin型P-V-Mo-W四元杂多酸催化合成乙酸正丁酯

采用正交试验设计研究了Keggin型P-V-Mo-W四元系列杂多酸H4PVMoxW11-xO40·nH2O(x=1,2,3,4)催化冰乙酸和正丁醇合成乙酸正丁酯的反应,得出最佳反应条件如下:正丁醇与冰乙酸的物质量比为1.2∶1,催化剂的用量为冰乙酸质量的0.5%,反应时间为40 min,酯化率达到88.52%。该系列杂多酸的酯化率随钨原子数的增加而提高。

Keggin型P-V-Mo-W四元杂多酸催化合成肉桂酸正丁酯的研究

利用正交实验设计研究了Keggin型P-V-Mo-W四元系列杂多酸H4PVMoxW11-xO40·nH2O(x=1,2,3,4)催化肉桂酸和正丁醇合成肉桂酸正丁酯的反应.结果表明,最佳反应条件为:正丁醇与肉桂酸的物质的量比为1.2∶1,催化剂的用量为肉桂酸质量的0.5%,反应时间为1.5h.该系列杂多酸随着钼、钨原子比例的增加,酯化率提高.

V 带疲劳寿命 P-S-N 曲线研究

本文在讨论Ｖ带寿命概率分布的基础上，着重研究其寿命－载荷关系和分散性变化规律，并给出了解放牌汽车气泵Ｖ带的Ｐ－Ｓ－Ｎ曲线．最后。

具有p-进入规则和Min(N,D,V)-策略的M/G/1排队系统容量的优化设计及最优控制策略

该文研究具有p-进入规则和系统采取Min(N,D,V)-策略的M/G/1排队系统,其中在服务员多重休假期间到达的顾客以概率p(0<p≤1)进入系统.运用全概率分解技术和拉普拉斯变换工具讨论了系统从任意初始状态出发,在任意时刻t的瞬态队长分布,得到瞬态队长分布的拉普拉斯变换的表达式,进一步得到稳态队长分布的递推表达式.同时,结合稳态队长分布,通过数值计算实例讨论了系统容量的优化设计问题.最后,在建立系统费用结构模型的基础上,导出了系统长期单位时间内的期望费用的显示表达式,并通过数值实例确定了使得系统在长期单位时间内的期望费用最小的联合最优控制策略(N^*,D^*).

“V+P+N”格式中P的词类探析

关于“V＋P＋N”格式中P的词类问题学界争论已久，归结起来有“介词说”、“词素说”、“过渡说”、“动词说”、“助词说”等五种论说。本文通过插入成分法排除了词素说，同形比较法排除了助词说，功能识别法排除了动词说和介词说，然后从正面论述了过渡说的合理性，最后提出在P的词类研究上仍需做的努力。

“V+P+N”中“P”的词类研究综述

学界在“V＋P＋N”结构中“P”的词类归属问题上一直存在较大分歧，目前主要有介词说、词素说、过渡说、动词说、助词说等几种不同观点。本文将尝试对P的词类探讨进行简单的评述。

进入“想+N(P)+V”格式的语法条件

"想+N(P)+V"格式是"想+V(P)+N"格式的转化,但并不是所有的名词和动词都能够自由地进入"想+N(P)+V"格式,它会受到结构、音节、感情色彩、功能指向等诸多语法条件的制约。文章探讨了进入"想+N(P)+V"格式的语法条件。

基于P-N结的太阳能电池伏安特性的分析与模拟

通过分析实际P-N结与理想模型之间的差别,建立了P-N结二极管及太阳能电池的数学模型;利用Matlab中的系统仿真模块库建立仿真模型,设置参量,求解模型方程并绘制了图形.对太阳能电池在一定光照下旁路电阻及串联电阻取不同数值时对其开路电压、短路电流及填充因子的影响做了模拟,并与实际测得的硅太阳能电池伏安特性进行了比较.模型分析与实验测量的结果表明等效的旁路电阻和串联电阻分别影响电池的开路电压和短路电流.仿真结果与实验测量结果一致.

丁烷氧化制顺丁烯二酸酐V-P-O催化剂的合成及应用

以工业V2O5和工业磷酸为基本原料，以醛（如苯甲醛）、醇（如正辛醇）或醛-醇混合物为还原剂，合成出前躯体后成型并老化，制备出丁烷流化床氧化制顺丁烯二酸酐V—P-O催化剂。最佳工艺条件为：V2O5粒度小于5μm；n（P）／n（V）=1．2；磷酸质量分数91．7％～92．9％。流化床活性评价结果表明，顺丁烯二酸酐收率大于44％。

不同P与V比的Mo/VPO催化剂物相组成及其催化性能

采用有机相法制备了不同P与V物质的量比的Mo掺杂VOHPO4·0.5H2O前驱体,并通过体积分数为50%空气-40%氮气-10%水蒸汽混合气氛活化得到Mo/VPO催化剂,采用固定床反应器评价其催化正丁烷氧化制顺酐的性能。结果表明,Mo/VPO催化剂催化活性随P与V物质的量比的增大而降低,但顺酐选择性与P与V物质的量比并不呈线性关系,P与V物质的量比为0.9的Mo/VPO催化剂具有最佳的催化性能。XRD分析表明,Mo/VPO催化剂催化正丁烷氧化制顺酐的主要活性物相为(VO)2P2O7和钒磷云母相,形成的主要因素不是P与V物质的量比,而是由焙烧条件决定。低P与V物质的量比的Mo/VPO中存在的少量V2O5物相能够提升催化剂的活性和顺酐选择性,但含量过高会因深度氧化降低催化性能。催化剂中存在的钒磷云母相有利于缩短催化剂稳定时间并提升催化性能。

p-n结光伏探测器的工作体制

在p-n结光伏探测器的I-V曲线上选取与电压、电流轴的交点作为工作点,分析讨论输出短路或开路时的信号和噪声,继而得到探测率,进行比较得出最佳工作体制。

卵巢癌组织中Notch1和P-AKT相关性及与血管生成的关系

目的:研究转移相关基因Notch1和磷酸化AKT(P-AKT)在15例正常卵巢组织、32例卵巢良性肿瘤组织和48例卵巢癌组织中的表达及相关性。方法:采用免疫组化SP法检测各组Notch1、P-AKT的表达情况和微血管密度(MVD),MVD采用CD34标记。分析其表达与临床病理特征的关系及相互间的关系。结果:Notch1在正常卵巢组织、卵巢良性肿瘤组织和卵巢癌组织中的阳性表达率分别为13.33%(2/15)、31.25%(10/32)和81.25%(39/48),呈递增趋势,在卵巢癌组织中随临床分期、组织学分级的增加和淋巴结的转移呈明显增高趋势(P<0.05);P-AKT在正常卵巢组织、卵巢良性肿瘤组织和卵巢癌组织中的阳性表达率分别为0(0/15)、40.63%(13/32)和87.5%(42/48),在卵巢癌组织中临床分期较晚和伴随淋巴结的转移明显增高(P<0.05);CD34主要表达于各种卵巢组织的血管内皮细胞,MVD值在有淋巴结转移的卵巢癌组织中明显高于无淋巴结转移者(P<0.05)。Spearman相关性分析Notch1和P-AKT在卵巢癌组织中呈现显著正相关(P<0.05)。结论:Notch1、P-AKT是鉴别卵巢良恶性肿瘤的指标之一,检测淋巴结转移者中的MVD值对卵巢癌的恶性程度判断有帮助。

n-Si/p-CuI异质结的制备及其光电特性研究

采用成本低廉的连续离子层沉积法通过在n型Si衬底上沉积γ相的多晶结构的CuI薄膜而制备了CuI/n-Si异质结。并通过测试其光照下的I-V、C-V特性对其光电特性、载流子输运特性及导电机理进行了研究。研究表明CuI/n-Si异质结存在良好的整流特性,由于在CuI/nSi异质结界面处的导带补偿与价带补偿相差较大,在正向电压、无光照下,导电机理为空间电荷限制电流导电,此时空穴电流主导;在光照下,异质结表现出良好的光电响应,因此可以广泛应用在光电探测和太阳电池等领域。

分子束外延中波红外碲镉汞原位p-on-n技术研究

研究分析了采用MBE技术外延中波碲镉汞薄膜原位p-on-n材料生长结构及掺杂浓度。掌握了MBE碲镉汞原位p-on-n薄膜材料的生长温度、掺杂浓度和p-n结界面的控制技术,研究了原位p-on-n材料杂质的电学激活退火技术。利用傅里叶变换红外透过测试拟合得到了材料的组分、厚度均匀性,利用X-ray双晶衍射测试结果分析了晶体质量,并统计了材料的EPD值。利用SIMS测试分析了材料中杂质分布状况和浓度,对台面器件I-V特性曲线进行了测试分析。

丁烷氧化制顺酐用V-P-O催化剂的结构及其对活性的影响

在不同水含量有机法制备的V-P-O催化剂母体或La、Fe助催化的V-P-O催化剂母体中,均含有VOHPO_4·H_2O.随着原料中及制备过程中水含量的减少,使用后的V-P-O催化剂中(VO)_zP_2O_7含量逐渐增多,提高了催化剂对正丁烷氧化制顺酐的活性.Fe的加入有助于正丁烷的转化,但选择性降低.

cBN/SiN-p异质结的电学性质研究

用射频溅射系统成功制备出 c BN/ Si N-p异质结 ,并系统研究了其电学性质。掺硫 (S)的 n型 c-BN薄膜用 1 3 .5 6MHz射频溅射系统沉积在 P型 Si(1 0 0 ) (8～ 1 5 Ω·cm)衬底上 ,靶材为 h-BN靶 (纯度达 99.99% )。溅射气体为氩气和氮气混合而成 ,固态硫 (S)通过加热蒸发混入工作气体 ,改变硫的加热温度可改变硫的掺杂剂量。为了测量异质结的电学性质 ,用真空蒸镀法在异质结表面蒸镀了 1 .5 mm× 2 .0 mm的铝电极。实验结果表明 ,c BN/ Si N-p异质结的 I-V曲线具有明显的整流特性 ,其正向导电特性的拟合结果表明异质结的电流输运符合安德森理论 ,c BN/ Si N-p异质结的 C-V曲线也和理想异质结的 C-V特性非常接近。得到的 c BN/ Si N-p异质结的自建势为 4.71 V,c-BN薄膜层中的施主浓度为 6.5 0× 1 0 1 4/ cm3。

正丁烷氧化制顺酐V-P-O系催化剂的研究

不同水含量有机法制备的V-P-O催化剂母体,及La,Fe助催化后的V-P-O催化剂母体中均含有VOHPO_4·1/2H_2O。随原料中及制备过程中水含量的减少,使用后的V-P-O催化剂中(VO)_2P_2O_7含量逐渐增多,提高了催化剂正丁烷氧化制顺酐的活性。Fe的加入有助于正丁烷的转化,但选择性降低。