掺杂对WCu电触头材料电弧特性的影响

利用粉末冶金技术制备出分别掺杂0.3%B、2.0%Nb和1.5%Ce(质量分数)的WCu电触头材料,采用高速摄影技术和抗电弧烧蚀实验探讨不同掺杂元素对钨铜电触头材料电弧特性的影响。结果表明:真空击穿时,WCu电触头材料的电弧演化过程可以分为起弧、稳定燃烧和灭弧3个阶段;掺杂0.3%B、2.0%Nb和1.5%Ce的WCu电触头材料的电弧寿命比未掺杂的长,截流值小;等离子云体积大,颜色浅,在样品表面燃烧区域大,电弧分散,燃弧能量分散;电弧燃烧稳定,无放射状光芒。含有掺杂元素的WCu电触头材料的抗电弧烧蚀性能均得到明显改善;其中最明显的为WCu-B电触头材料,其抗烧蚀性能提高了近30%。

WCu/MoCu电子封装材料的研究现状与发展趋势

电子设备集成度和运行速度的不断提高以及大功率芯片的使用,对电子封装材料的性能提出了更高的要求。WCu/MoCu合金作为第二代电子封装材料,尽管已经实现产业化,但其未来发展正面临极大的挑战,既有可能持续应用于封装领域,也有可能在与其它材料的竞争中被淘汰。在现有技术的基础上,使WCu/MoCu复合材料充分融合各组元的优点,以获得具有高热导率、低热膨胀系数以及良好力学性能的电子封装材料,已成为迫在眉睫的工作。综述了电子封装材料的性能指标,以及WCu/MoCu合金的热学性能与制备工艺,并针对高热导率这一关键性能对其发展趋势进行了展望。

旋锻法制备WCu25合金线材的组织与性能研究

采用松装熔渗的方法获得了大长径比WCu合金坯材,并通过旋锻将其加工成直径4mm的线材。运用电子扫描、X射线衍射等手段分析研究了不同温度、不同变形量WCu合金线材的显微组织和物理性能,结果表明:采用热旋锻技术可以制备钨铜假合金线材,其最佳的旋锻工艺是坯材旋锻初始温度为700～750℃,坯材变形量在达到25%之前,每组锻模的加工量为0.4mm;变形量超过25%之后,每组锻模的加工量为0.3mm。利用旋锻工艺可制备出直径为4mm、长度为800mm、相对密度为98.16%、硬度为252HV、电导率为39.2%IACS,组织均匀、表面光洁的WCu25合金线材。

真空开关用WCu10触头材料制备工艺的研究

用真空烧结及熔渗的方法制备了真空开关用WCu10触头材料,对两种烧结工艺制得的触头材料组织及性能进行了比较,分析、讨论了烧结工艺对材料的组织、性能的影响。结果表明,用真空高温烧结及真空熔渗工艺制备出的WCu10触头材料具有良好的综合性能,其组织均匀、致密,氧、氮含量极低,符合真空开关的使用条件,并通过了真空负荷开关的型式试验。

国产WCu热沉与氧化铝陶瓷匹配封接研究

采用有限元仿真软件建立了WCu热沉-陶瓷功率集成电路外壳的三维计算模型,并对不同Cu含量WCu热沉的封装残余应力进行了计算,从理论上分析了WCu热沉Cu含量对封装结构变形和残余应力分布的影响。结果表明,在Cu含量10~20%范围内,随着Cu含量的增加,陶瓷件的峰值应力由大变小,后又升高,应力集中位置也发生转移;热沉变形方向由正向弯曲逐渐变为负向弯曲,该规律得以试验验证。研究结果对该结构封装外壳可靠性评估和优化设计具有指导意义。

“WCU计划”与韩国世界一流大学建设

世界一流大学是衡量各国综合国力的重要指标。在这场以建设世界一流大学为主要战略目标的高等教育变革中,基于自身的基本国情与提高综合国力的迫切需要,韩国李明博政府制定并斥重资推出了"WCU计划",旨在通过以"知识经济"为政策导向,引进国际知名的专家学者来韩任教,促进韩国高等教育事业的发展,为推动韩国世界一流大学建设提供智力保证。

热变形对WCu(10)触头钎焊质量的影响

介绍了一例真空灭弧室WCu(10)触头钎焊质量问题的分析及解决方法,论证了热变形对该触头材料钎焊质量的影响。

联锁WCU模块设计与实现

以西安地铁1号线长乐坡站为背景,对DS6-60联锁与西门子TGMT合作的CBTC系统进行研究和分析,阐述WCU模块在系统中的作用、主要功能和工作流程。用软件对WCU模块进行设计与实现,并用真实系统与模拟环境对WCU模块进行测试,实现联锁与TGMT的信息交互。

韩国高等教育卓越计划研究

20世纪90年代以来,韩国政府相继出台了"BK21"(Brain Korea 21"21世纪智慧韩国")、"NURI"(New University for Regional Innovation"新大学区域创新")和"WCU"(World Class University建设世界级高水平大学)等系列卓越工程,通过培育顶级院校、平衡区域差异、引进世界顶级卓越人才等举措,加速建设世界一流大学,满足社会多样化需求,以提升韩国的整体竞争力。

W-Cu电子封装材料的气密性

分析了传统熔渗法生产的ＷＣｕ材料气密性差的工艺因素，采用加入一定数量的诱导铜的工艺方法进行压型，通过调整成型压力，使生坯中的Ｗ含量达到电子封装ＷＣｕ１５含钨量的标准，其余的Ｃｕ在熔渗时渗入。实验表明，加入１％～２．５％的诱导铜的生坯在１３５０℃熔渗１．５ｈ，其气密性可以达到满意的效果。

钨铜粉末材料烧结-挤压致密化研究

为探索难熔金属和铜粉末混合坯致密化工艺,提出了钨铜粉末材料液相烧结和热静液挤压致密新工艺,经过实验获得了近致密、组织细小、性能优异的复合材料.结果表明,WCu40混合粉末冷压坯的相对密度约为70%,经过液相烧结和热静液挤压,可以获得相对密度大于99.8%的钨铜(WCu38)材料.致密后材料导电率可达到41～48 m·Ω-1·mm-2,硬度可达到HB173～176.

政府与大学关系变革:芬兰、瑞典及比利时三国建设世界一流大学的经验

采用比较分析法研究发现,为形成政府控制与大学自治的平衡,芬兰、瑞典及比利时三国政府在建设世界一流大学进程中,通过高等教育改革、培育中介组织、完善法律体系等方式弱化政府对大学的直接控制,积极扩展大学的办学自主权,这为赫尔辛基大学、乌普萨拉大学及荷兰语天主教鲁汶大学成为世界一流大学创造了有利的外部环境。从三国政府与大学关系变革的绩效来看,虽然大学的自主办学权已经得到了有效落实,但政府作为大学的出资者与管理者仍然对大学保留有较大的影响力。政府通过中央教育行政机构以合同形式管理大学事务,建立协商互动的"政府—大学"良性关系,并以加强对大学教育质量的有效评估等手段强化对大学的间接干预。

炸高对钨铜射流空气及水中侵彻的影响

为了研究炸高对射流空气及水中侵彻深度的影响,利用AUTODYN软件数值模拟了钨铜合金射流在空气及水中对钢板的侵彻深度.研究结果表明,无论空气还是水中侵彻,都存在一个最佳炸高;当炸高小于4倍装药直径时,水中侵彻深度大于空气中情形;水介质在一定程度上起着炸高的作用,同时对射流头部又产生侵蚀效果.

铜复合材料功率外壳钎焊失效分析与改进

通过对铜复合材料功率外壳钎焊失效案例的分析,发现国内业界在热沉加工过程中存在的不足,如采用了砂纸打磨、氧化铝喷砂等工艺,导致外壳存在可靠性隐患,也直接导致该类外壳热沉表面粗糙度大(正常为~1.6μm,失效批次为~2.6μm),与进口热沉表面粗糙度(~0.55μm)存在较大差异。如对热沉加工提出要求,热沉的表面粗糙度可改善至~0.7μm,将大幅提升外壳的一致性和可靠性。

重量法测定钨铜合金中钨的质量分数

采用酸溶解试料,用重量法测定钨铜合金中钨的质量分数,滤液中残余的少量钨采用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)测定。实验证明该方法具有较高的回收率和精密度,可用于生产实践中。

钨铜复合材料的制造工艺

本文综述了钨铜系复合材料的各种生产工艺 。

韩国高水平大学建设计划成效及对我国“双一流”建设的启示

为应对日益激烈的全球人才竞争局势,提高本国的综合实力,韩国政府于2008年6月开始实施旨在引进国外高素质人才、提高本国高等教育竞争力的WCU计划。通过为期五年的努力,韩国的高等教育水平得到了大幅度提升。这对我国的"双一流"建设具有如下启示:政府要明确其在高等教育发展中的定位,大力引进国外人才资源并注意引才方式多样化,重视本国人才的培养,紧跟时代发展潮流,高等教育发展符合国家建设需要等。

基于全年负荷计算的制冷机组选型

建筑能耗是现代建筑设计中的一个重要问题,鉴于建筑能耗直接影响到节能环保及运营成本,所以对建筑负荷的模拟计算就显得尤为重要。本文就华润中心这一综合体的全年能耗计算以及设备选型、成本控制进行详尽分析,以供参考。

微电子封装热沉材料研究进展

阐述了微电子封装热沉材料的最新研究进展,重点介绍通过粉末冶金方法制备的最前沿的钨钼金属基体的热沉材料,包括二元合金复合材料WCu、MoCu及层状复合材料CMC、CPC、SCMC、HSCMC。详细描述了该类热沉材料的组织结构要求、性能特点,并阐述了该类材料常用的生产制备方法及其及优缺点。整理对比了国内安泰天龙和国外公司的热沉材料的性能参数,并对封装热沉材料后续的研究方向进行了展望。

制备工艺对WCu30合金的显微组织及抗电弧烧蚀性能的影响

采用2种不同的真空熔渗工艺制备出WCu30合金,测定了2种合金的理化性能及力学性能;对2种合金进行了真空电击穿试验,测量其击穿时的截流值和击穿场强;使用SEM分析了2种合金的显微组织及电弧烧蚀后的表面形貌,比较了两者的抗电弧烧蚀能力。结果表明,烧骨架熔渗法制备的WCu30合金显微组织均匀,铜相平均尺寸为10-20μm;混粉熔渗法制备的WCu30合金中的铜相大小不一致,存在长条状铜相聚集体,其最大尺寸可达80-100μm。烧骨架法制备的WCu30合金的硬度、抗弯强度、抗电弧烧蚀能力高于混粉法制备的合金,其电弧侵蚀方式以铜相的蒸发气化为主,而混粉法的合金则以铜相的喷溅方式为主。烧骨架法的WCu30合金的平均耐电压强度高于混粉法合金,而平均截流值低于混粉法合金。