“Flash”软件在无机化学教学中的应用

介绍了“Flash”

刍议提高“flash”课堂教学的有效性

提高"flash"课堂教学的有效性,重在激发学生的学习兴趣。从整门课的合理规划入手,注重培养和提高学生的创新能力,注意辅导的方式和技巧,充分运用鉴赏评价机制,延伸到课后上网深入学习,让学生成为学习的自愿者,才能真正提高"flash"课堂教学的有效性。

大规模Flash型FPGA整体功能仿真验证方法研究

提出了一种大规模Flash型FPGA整体电路编程后功能仿真验证的方法。通过对核心Flash单元建立数字Verilog等效模型,采用整体数字仿真验证和模拟仿真验证的方法,结合编程功能案例,对器件内部所有的资源模块进行功能仿真验证,并且提出了加快整体电路数字仿真速度的方法。将提出的仿真验证方法成功应用于大规模Flash型FPGA芯片设计验证,得到了正确的验证结果,整体电路仿真验证速度得到了显著提升。

Flash阵列无效块管理

Flash阵列在当今数据存储领域占据着重要地位,提高Flash阵列可靠性的关键在于提出合理的坏块管理方法。针对固有坏块,提出基于整合块的坏块管理方法和基于EEPROM查找表的坏块管理方法。对于在使用过程中出现的突发坏块,提出基于页跳过和页替换的突发坏块管理方法。经过实验分析表明坏块管理方法提高了NAND Flash数据存储的可靠性,在保证存储速度的情况下对NAND Flash存储空间得到最大化利用。

闪光放射治疗(Flash-RT)技术的研究进展

经过多年发展,精准放射治疗技术已广泛应用,但现有技术仍受限于正常组织耐受剂量的限制,无法实现肿瘤治疗的最佳目标。闪光放射治疗(Flash-RT)是一种以超高剂量率射束(UHDR)进行照射的放射治疗技术,能够在显著降低正常组织辐射损伤的同时,最大限度地治疗肿瘤。但直到目前,Flash-RT的生物学机制、关键物理参数及触发机制等尚不明确,其原理及临床转化应用仍处于研究阶段。本综述通过归纳Flash-RT相关研究,阐明Flash-RT研究的技术进展及临床转化应用。

一种Flash故障检测算法的设计与验证

随着芯片制造工艺与逻辑复杂度的提升,对非易失性存储部件的要求越来越高。Flash存储部件由于高稳定性和性价比被广泛使用,且以IP形式集成到芯片内部,导致芯片原型样品测试时间成本和资源成本增加。为降低芯片样品测试时间和提高检测Flash的故障覆盖率,提出了一种新的Flash故障算法,通过对Flash存储器不同故障相同部分的敏化序列进行提取,提取内容替换部分March-like算法内容,再加入少量读写操作,达到符合所有故障敏化序列的要求,减少了算法步骤,使Flash存储单元通过自动测试设备(ATE)检测时,提高测试效率和所能探测的故障种类。实验结果表明,该算法在存储器规格一致的情况下,比较于March-like pFlash和March-like算法,测试效率分别提高39%与52%,故障覆盖种类分别增加2到3种。

基于有限状态机的电口模块Flash初始化系统设计与实现

在10GBASE-T RJ45 SFP+模块生产过程中,常用的生产方式是在贴片前对Flash进行烧录,当出现固件更新、烧录出错的情况时,模块无法方便地实现反复烧录。分析并提出了一种基于有限状态机的初始化系统,并在自主设计的模块中进行了实验验证。在上位机之中存储固件数据,并对初始化流程进行整体控制;在MCU之中完成一个有限状态机,并通过MDIO控制PHY芯片,将数据写入到Flash之中,同时通过CRC完成固件数据的校验。测试结果表明,该系统能够实现模块在贴片后的重复烧录工作,减少88.55%的返工时间。

第3代双源CT-Turbo-Flash扫描模式下高心率CCTA成像可行性分析

目的:探讨分析第3代西门子CT Turbo Flash扫描模式下行高心率冠状动脉CT血管成像(CCTA)检查的可行性。方法:选取2022年4月—2023年5月于扬州大学附属医院行CCTA检查80例患者为研究对象,采用随机数表法分为A、B两组,每组40例。A组采用第3代双源CT前瞻性心电门控Turbo Flash模式扫描,B组采用第3代双源CT行回顾性心电门控模式扫描,评估两组图像主动脉根部(AR)、左冠状动脉主干(LM)、右冠状动脉(RCA)CT值、图像信噪比(SNR)、图像对比噪声比(CNR),以及CT图像质量主观评分与有效辐射剂量(ED)。结果:两组AR、LM、RCA图像的CT值、SNR和CNR以及LAD图像的CT值比较,差异均无统计学意义(P>0.05),而LAD图像的SNR、CNR比较差异有统计学意义(P<0.05)。B组ED高于A组,差异有统计学意义(P<0.001)。两组图像质量主观评分比较,差异有统计学意义(P>0.05)。结论:高心率患者于Turbo Flash扫描模式下行CCTA检查的图像质量基本可用于冠状动脉评价,且辐射剂量较低。

闪光放射治疗(Flash-RT)在肿瘤治疗中的研究进展

闪光放射治疗(Flash-RT)作为放射治疗技术基础领域的关键性突破,可能引起放疗领域新的大变革。本文综述了Flash-RT在肿瘤治疗中应用和机制探索的最新研究进展。目前研究发现无论是电子束和光子Flash-RT还是质子FlashRT相较于常规剂量率放疗均可以降低对正常组织的损伤,但相关机制还未明确,包括但不限于氧耗竭、DNA损伤、细胞衰老、凋亡和免疫反应等。Flash-RT在肿瘤组织与正常组织损伤间的差异进一步减少了放疗的局限性,相较于常规放疗减少了不良反应和并发症,具有广阔应用前景。

结合Roberta和Bi-FLASH-SRU的中文事件因果关系抽取

针对现有基于填表的事件关系抽取方法填表数目过多、表格特征获取不充分的问题,本文提出了结合Roberta和Bi-FLASH-SRU的中文事件因果关系抽取方法 TF-ChineseERE.该方法通过制定填表策略,利用文本中已标记关系,将其转化为带有标签的表格;借助Roberta预训练模型和本文提出的双向内置闪电注意力简单循环单元(bidirectional built-in flash attention simple recurrent unit,Bi-FLASH-SRU)获取主客体事件特征,再利用表格特征循环学习模块挖掘全局特征,最后进行表格解码获得事件因果关系三元组.实验采用金融领域两个公开数据集进行验证,结果表明,本文提出的方法 F_(1)值分别达到59.2%和62.5%,且Bi-FLASH-SRU模型训练速度更快,填表数目更少,证明了该方法的有效性.

Flash片内数据的高速回读系统设计

针对导弹飞行后数据记录装置的部分接口受损而无法顺利回读飞行数据的问题,研发了可以高速回读存储芯片片内数据的Flash读写设备,在FPGA内置的LVDS收发器基础上利用Aurora协议设计了每通道速率可达1.5625 Gb/s的高速并行收发链路,以及在串/并转换的基础上设计了传输速度较慢的备用串行读数链路。系统实现了高速读数接口和备用读数接口皆可顺利将Flash芯片片内的数据无丢帧地回读传输至测试台进行评估、分析、利用,具有硬件设计简单、回读数据方便快捷的特点。

通过PO-KELM的3D NAND FLASH寿命预测方法研究

随着半导体行业的快速发展,以及各种芯片国产化的趋势越来越明显,3D NAND FLASH作为当前存储器件的重要代表,其寿命预测对于保障系统可靠性至关重要。因此,通过硬件搭建现场可编程门阵列采集平台,对3D NAND FLASH进行特性分析,在不同擦除/写入次数下模拟FLASH可能发生的不同误码情况,分析耐久性、数据保持特性以及读、写干扰特性的变化趋势。同时提出鹦鹉优化器改进的核极限机器学习机,由于核极限学习机参数寻优困难,鹦鹉优化器通过搜索位置提高参数寻优速度和准确度。采用将已使用的循环次数作为输出结果对FLASH进行寿命预测。实验结果表明,相比其他机器学习,采用鹦鹉优化的核极限学习机预测模型精度可以达到98.5%,在提升训练速度和准确度中具有重要的现实意义。

超导回旋质子治疗系统FLASH照射模式下的辐射屏蔽安全评估

质子FLASH放疗作为新型放射技术可以更好地保护肿瘤患者的健康器官,并提高治疗效率。然而,其照射过程中伴随的超高质子流强可能成为辐射安全的隐患,展开相关临床研究前,须针对质子FLASH辐射安全进行必要的测量和评估。本研究以超导回旋质子治疗系统的旋转治疗室为研究实例,分别搭建穿透式和布拉格峰式质子FLASH放疗场景下,根据治疗室的布局和质子束流的方向,选取屏蔽体外若干关注点进行辐射场测量。考虑到FLASH放疗的照射时间短、剂量大,难以准确测量,本研究适量降低机头流强,延长出束时间,使用辐射探测器对各关注点位的中子和X/γ剂量率进行实测。同时探索并验证周围剂量当量率和治疗机头质子流强的线性关系,根据中子和X/γ剂量率实际测量结果进行计算和分析,以评估临床FLASH照射模式下关注点位的年有效剂量数值。分析结果表明,在保持现有屏蔽条件的旋转治疗室进行FLASH试验时,在高流强出束时间可控情况下,屏蔽体外工作人员的累积有效受照剂量是可接受的。

基于EBT3胶片开展电子FLASH放疗剂量测量研究

闪光放疗使用超高剂量率在毫秒时间内将剂量全部注入靶区,其超高剂量率使现有的在线剂量计基本失效,目前通常使用辐射显色胶片来测量剂量。基于中国工程物理研究院应用电子学研究所研制的电子加速器搭建了电子FLASH放疗平台,基于EBT3胶片的快速读出方法,研究了此平台的剂量率范围及剂量分布。实验结果表明,EBT3胶片的快速读出方法可用于电子FLASH放疗的剂量测量,在源皮距100 cm及深度1 cm处剂量率在240~290 Gy/s之间;电子束到达模体表面的平均能量的波动会导致靶区约±5%的剂量波动;面剂量分布满足平坦性在±5%以内和对称性在±3%以内的要求。

DR-FLASH 评分联合左房心外膜脂肪对非瓣膜性心房颤动左房低电压的预测价值

目的探讨DR-FLASH评分和左房心外膜脂肪(LA-EAT)体积的相关性及二者联合预测非瓣膜性心房颤动(简称房颤)左房低电压区域(LVZ)的价值。方法连续纳入2019年9月至2021年4月徐州医科大学附属医院心血管内科首次接受导管射频消融治疗的非瓣膜性房颤患者246例,所有患者均接受肺静脉计算机断层扫描血管造影(CTA),并测量LA-EAT体积。根据患者入院情况计算DR-FLASH评分。术前进行肺静脉CTA扫描,计算测量LA-EAT体积。在术中窦性心律下,进行左房高密度电压标测,根据有无低电压(双极电压<0.5 mV)将患者分为LVZ组和无LVZ组。采用SPSS 24.0软件进行数据分析。根据数据类型,组间比较分别采用t检验、U检验、χ^(2)检验及方差分析。采用Spearman相关性分析确定DR-FLASH评分与LA-EAT体积之间的相关性。采用受试者工作特征(ROC)曲线分析DR-FLASH评分、LA-EAT体积及其联合预测LVZ发生的价值。结果最终纳入患者246例,平均年龄(60.8±10.6)岁,其中56例(22.8%)患者出现至少1个LVZ。相关性分析显示DR-FLASH评分与LA-EAT体积呈正相关(r=0.439;P<0.001)。采用多因素分析显示DR-FLASH评分(OR=1.824,95%CI 1.390~2.394;P<0.001)和LA-EAT体积(OR=1.048,95%CI 1.013~1.085;P=0.007)是左房LVZ的独立危险因素。结合ROC曲线,LA-EAT体积、DR-FLASH评分、LA-EAT与DR-FLASH评分的ROC曲线下面积分别为0.712、0.750、0.796。结论DR-FLASH评分与LA-EAT体积呈正相关,DR-FLASH评分和LA-EAT体积均为非瓣膜性房颤左房LVZ的独立预测因子。二者联合可提高对非瓣膜性房颤左房LVZ的发生预测价值。

适用于Flash型FPGA的宽范围输出负压电荷泵设计

在Flash型FPGA的编程、擦除和回读检验等操作中,需要对Flash单元提供不同的正负高压偏置。提出一种适用于Flash型FPGA的负压电荷泵,该电荷泵采用三阱Flash工艺,消除了衬偏效应和衬底漏电的影响。电荷泵主体采用双支路并联结构,级数为6级。通过参考电压产生电路提供不同的输入参考电压,并结合电荷泵控制系统,可以实现电荷泵输出电压的自由调节,满足Flash型FPGA编程、擦除的负压要求。基于0.13μm Flash工艺对电荷泵进行设计及流片,在200 pF负载电容下,实测得到-5.5 V输出的建立时间仅为8μs,输出纹波为72 mV,-17.5 V输出的建立时间为30μs,输出纹波仅为56 mV,满足Flash型FPGA操作要求。

电子FLASH-RT剂量学模拟计算与实验研究

通过实验测量与数值模拟相结合的方法评估电子FLASH-RT的剂量学特性。实验中,使用EBT3胶片在固体水模中测量剂量,同时采用MCNP5程序模拟验证束流特征参数。实验平台基于9 MeV电子直线加速器构建,通过调整加速器参数,在源皮距1 m处实现了250 Gy/s的超高剂量率。实验与模拟结果在剂量分布上的最大偏差不超过5%,束流平坦度控制在3%以内。关键剂量率评估显示,加速器在最大工况下工作,可获得满足FLASH效应所需的超高剂量率。离轴剂量变化研究表明,引出窗中水层的存在改善了束流的均匀性。中心轴深度剂量分布分析表明,模拟与实验结果在水层厚度10 mm时吻合较好。二维剂量分布显示,模拟结果与EBT3胶片测量趋势一致。研究结果表明,电子FLASH-RT实验平台能够提供所需的超高剂量率,且实验与模拟结果具有较高的一致性,为FLASH-RT的进一步研究和应用提供了重要的剂量学参数和束流特征参考。

基于FPGA的FLASH存储器三温功能测试系统设计

由于大容量FLASH存储器全地址功能测试时间较长,在自动化测试设备(ATE)上进行高低温测试时,长时间使用热流罩会导致测试设备运行异常。为把存储器测试过程中耗时最长的全地址功能测试部分从ATE机台上分离出来,设计一个基于FPGA的驱动板卡,结合MSCAN和Checkerboard算法实现了对被测芯片激励信号的施加;然后,设计一个12工位的驱动板卡,实现了在三温条件下的多芯片同步测试;接着,设计一个基于Qt的上位机软件,实现了对测试结果的实时显示与存储;最后,对2 GB大容量FLASH存储器进行测试验证。测试结果表明,与传统的ATE测试相比,基于驱动板和工位板的测试系统可实现对大容量FLASH的全地址功能的高低温测试,且工位板具有的高可扩展性可实现多芯片的同步测试,大幅提高了测试效率。

FLASH结合早幼粒细胞白血病蛋白Ⅳ并增强p53的SUMO修饰

FLASH/CASP8AP2为基因组中一个独特的基因,参与多个细胞调控过程,包括细胞凋亡、组蛋白基因pre-mRNA的加工、转录调控以及细胞周期进程等。临床医学研究表明,FLASH是急性淋巴细胞白血病的一种预后标志物,还是多种癌细胞存活的关键因子。因此,对FLASH功能的深入研究有望为相关疾病治疗提供新的视角。我们先前鉴定FLASH为p53的结合因子,并发现其能够增强p53的转录活性。在此基础上,本文阐述了FLASH和p53相互作用的分子机制。研究结果表明,p53 K386突变显著降低其与FLASH(aa 51~200)和FLASH-SIM(aa 1534~1806)的结合强度。然而,GST沉降分析仅能检测到SUMO与FLASH-SIM而不是FLASH(aa 51~200)之间的相互作用。在细胞中过量表达FLASH增强了整体性SUMO1修饰以及p53的SUMO1修饰,这可能是FLASH增强p53转录活性的一种作用机制。由于PML NB为细胞内SUMO的亚细胞反应器,而PMLⅣ亚型能够特异性地增强p53的SUMO修饰,我们在此分析了FLASH与PMLⅣ之间的相互作用,并鉴定了二者相互作用的结构域基础:FLASH-N3A(aa 501~802)和FLASH-C2(aa 1807~1981)均能与PMLⅣ(aa 228~633)结合。进一步的研究显示,PMLⅣ能够增强FLASH调控的整体性SUMO修饰和p53的SUMO修饰,即二者在功能上存在协同性。FLASH与肿瘤抑制因子p53和PMLⅣ之间的相互作用,丰富了对其功能的认识,有望揭示FLASH在肿瘤发生过程中的作用机制,为癌症的诊断和治疗提供新的思路。

基于USB 3.0的NAND FLASH数据存储设计

由于目前采用的串口和USB 2.0检测坏块、实现数据读取的方法存在数据读取慢以及数据稳定性低的问题,而在高速大容量存储装置设计中,存储器通常采用NAND FLASH,故提出一种基于USB 3.0总线的NAND FLASH数据存储设计。采用FPGA作为逻辑主控单元,选用USB 3.0芯片CYUSB3014作为FPGA与上位机的通信桥梁,并在FPGA软件上设计ECC数据校验纠错以及NAND FLASH的坏块管理。用户可通过上位机实现数据读取、擦除以及分析。实验结果表明,所设计系统可通过USB 3.0接口将NAND FLASH中存储的数据传输到上位机,传输速度实际可达39 MB/s。