Cu掺杂及SPS工艺对Ba_8Ga_(14)Cu_2Si_(30)热电性能的影响

采用电弧炉熔炼、球磨、放电等离子烧结(SPS)的方法合成了名义配比为Ba8Ga16-xCuxSi30(x=0,2)的第I类笼状化合物。研究了Cu对Ga的替代对材料结构以及热电性能的影响。结果表明,相比于Ba8Ga16Si30,Cu的掺杂使得样品的晶格常数减小,热导率降低,Seebeck系数的绝对值增大,ZT值有明显的升高。另外工艺条件的微小变化也对材料结构和性能有影响。