Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族基新型稀磁半导体的研究进展

Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族基新型稀磁半导体实现了电荷和自旋注入的分离调控,成为半导体领域的研究热点。本文从传统稀磁半导体出发,详述Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族基新型稀磁半导体的研究进展,并对今后发展进行了展望。

Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族基新型稀磁半导体磁电性质的研究进展

稀磁半导体(Diluted Magnetic Semiconductor,DMS)是一种兼具半导体性与磁性且具有优异独特磁光、磁电功能的新型半导体材料。首先介绍了DMS的研究进展及其分类,重点阐述了Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族基DMS的磁电性质,在实验方面和理论计算方面所取得的研究进展,包括Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族DMS的制备方法、基本磁性质、磁性起源、输运性质及光学性质等。目前已经证实了某些DMS材料的铁磁性起源机制,一些新型DMS材料的最高居里温度(Curie temperature,Tc)已经可以与(Ga,Mn)As相比拟,并克服了传统稀磁半导体难以解决的问题。最后对Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族DMS的发展和应用前景进行了展望。