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〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹辐射及探测 被引量:2
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作者 王仍 葛进 +4 位作者 李栋 胡淑红 方维政 戴宁 马国宏 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期2330-2332,共3页
通过Te熔剂方法生长出〈331〉晶向的ZnTe体单晶,利用X射线衍射和红外透射显微技术对材料进行了测试.在钛-宝石激光器的泵浦下,利用〈331〉晶向的ZnTe晶体辐射-探测到太赫兹波,激发频谱可达5 THz左右.〈331〉晶向的ZnTe晶体表现出良好的... 通过Te熔剂方法生长出〈331〉晶向的ZnTe体单晶,利用X射线衍射和红外透射显微技术对材料进行了测试.在钛-宝石激光器的泵浦下,利用〈331〉晶向的ZnTe晶体辐射-探测到太赫兹波,激发频谱可达5 THz左右.〈331〉晶向的ZnTe晶体表现出良好的太赫兹辐射性能. 展开更多
关键词 太赫兹激发与探测 ⅱ—ⅵ族半导体材料 〈331〉晶向
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控制降温对近空间升华法沉积CdZnTe薄膜形貌与结构的影响 被引量:1
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作者 高俊宁 袁妍妍 +4 位作者 何亦辉 于晖 仝俊利 王涛 介万奇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期725-728,共4页
采用场发射扫描电镜和X射线衍射技术研究了生长结束后的降温过程对以近空间升华法生长的CdZnTe薄膜形貌与结构的影响。分析了快速(炉冷,673K以上-8K/min)和慢速(-2K/min)两种降温速率下获得的CdZnTe薄膜的结构与形貌,并考察了降温中是... 采用场发射扫描电镜和X射线衍射技术研究了生长结束后的降温过程对以近空间升华法生长的CdZnTe薄膜形貌与结构的影响。分析了快速(炉冷,673K以上-8K/min)和慢速(-2K/min)两种降温速率下获得的CdZnTe薄膜的结构与形貌,并考察了降温中是否阻断生长源向薄膜的传质的影响。结果表明,所得到的薄膜均为闪锌矿结构,降温时薄膜的持续生长将抑制晶粒在平面内铺展而使其棱角钝化的趋势,以较慢的速率降温和降温时阻断传质均有利于提高薄膜的致密度,降低粗糙度及薄膜的织构强度。 展开更多
关键词 ⅱ—ⅵ族半导体 CdZnTe薄膜 近空间升华
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Optimum Parameters of MgZnSSe/ZnSe BRAQ WET
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作者 SHIChang-xin K.Heime 《Semiconductor Photonics and Technology》 CAS 2000年第4期204-206,共3页
A theoretical basis of optimally designed BRAQWET is pr esented. The optimum parameters of MgZnSSe/ZnSe BRAQWET are obtained by the ca lculation of band-structure according to the depletion approximation.
关键词 BRAQWET - semiconductors Band structure
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