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声子振动对硒硫化钼/碲硒化钨异质双层电子结构影响的理论研究
被引量:
1
1
作者
赵红连
李璐
+3 位作者
张逸潇
张栋
唐琼
李中军
《合肥工业大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
2022年第9期1291-1296,共6页
文章以硒硫化钼/碲硒化钨异质双层结构为研究对象,采用基于密度泛函理论(density functional theory,DFT)的第一性原理计算方法,研究界面堆叠形式对体系电子结构的影响。结果表明:4种不同堆叠构型均表现出Ⅱ型能带对齐关系,但具有不同...
文章以硒硫化钼/碲硒化钨异质双层结构为研究对象,采用基于密度泛函理论(density functional theory,DFT)的第一性原理计算方法,研究界面堆叠形式对体系电子结构的影响。结果表明:4种不同堆叠构型均表现出Ⅱ型能带对齐关系,但具有不同的层间带隙;计算能量最稳定的Te-Se构型的振动结构,发现平面和垂直声子模式的振动分布均表现出高度的空间局域特性;进一步研究频率为425、339、225、204 cm的声子模式对Te-Se构型电子结构的影响,表明激发垂直声子振动能引起界面距离、层内带隙及跃迁偶极矩的显著变化,而且该变化与电子态和声子振动的空间局域性密切相关。研究结果深化了声子振动对过渡金属硫族化合物异质层电子结构影响的认识,为利用声子调控光催化性能提供了理论支撑。
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关键词
硒硫化钼/碲硒化钨
ⅱ型能带对齐
声子振动
跃迁偶极矩
第一性原理计算方法
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职称材料
As/HfS_(2)范德瓦耳斯异质结电子光学特性及量子调控效应
被引量:
1
2
作者
张仑
陈红丽
+1 位作者
义钰
张振华
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第17期344-354,共11页
两种或两种以上的单层材料堆垛成范德瓦耳斯异质结是实现理想电子及光电子器件的有效策略.本文选用As单层及HfS_(2)单层,采用6种堆垛方式构建As/HfS_(2)异质结,并选取最稳结构,利用杂化泛函HSE06系统地研究了其电子和光学性质以及量子...
两种或两种以上的单层材料堆垛成范德瓦耳斯异质结是实现理想电子及光电子器件的有效策略.本文选用As单层及HfS_(2)单层,采用6种堆垛方式构建As/HfS_(2)异质结,并选取最稳结构,利用杂化泛函HSE06系统地研究了其电子和光学性质以及量子调控效应.计算发现,As/HfS_(2)本征异质结为Ⅱ型能带对齐半导体,且相对两单层带隙(>2.0 eV)能明显减小(约0.84 eV),特别是价带偏移(VBO)和导带偏移(CBO)可分别高达1.48 eV和1.31 eV,非常有利于研发高性能光电器件和太阳能电池.垂直应变能有效调节异质结的能带结构,拉伸时带隙增大,并出现间接带隙到直接带隙的转变现象,而压缩时,带隙迅速减少直到金属相发生.外加电场可以灵活地调控异质结的带隙及能带对齐方式,使异质结实现Ⅰ型、Ⅱ型和Ⅲ型之间的转变.此外,As/HfS_(2)异质结在可见光区域有较强的光吸收能力,且可通过外加电场和垂直应变获得进一步提高.这些结果表明As/HfS_(2)异质结构在电子器件、光电子器件和光伏电池领域具有潜在的应用前景.
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关键词
范德瓦耳斯异质结
ⅱ型能带对齐
垂直应变
外加电场
光吸收系数
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职称材料
题名
声子振动对硒硫化钼/碲硒化钨异质双层电子结构影响的理论研究
被引量:
1
1
作者
赵红连
李璐
张逸潇
张栋
唐琼
李中军
机构
合肥工业大学电子科学与应用物理学院
出处
《合肥工业大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
2022年第9期1291-1296,共6页
基金
国家重点实验室开放基金资助项目(KF202005)
安徽省大学生创新创业训练计划资助项目(S202010359238)。
文摘
文章以硒硫化钼/碲硒化钨异质双层结构为研究对象,采用基于密度泛函理论(density functional theory,DFT)的第一性原理计算方法,研究界面堆叠形式对体系电子结构的影响。结果表明:4种不同堆叠构型均表现出Ⅱ型能带对齐关系,但具有不同的层间带隙;计算能量最稳定的Te-Se构型的振动结构,发现平面和垂直声子模式的振动分布均表现出高度的空间局域特性;进一步研究频率为425、339、225、204 cm的声子模式对Te-Se构型电子结构的影响,表明激发垂直声子振动能引起界面距离、层内带隙及跃迁偶极矩的显著变化,而且该变化与电子态和声子振动的空间局域性密切相关。研究结果深化了声子振动对过渡金属硫族化合物异质层电子结构影响的认识,为利用声子调控光催化性能提供了理论支撑。
关键词
硒硫化钼/碲硒化钨
ⅱ型能带对齐
声子振动
跃迁偶极矩
第一性原理计算方法
Keywords
MoSeS/WTeSe
type-
ⅱ
band alignment
phonon vibration
transition dipole moment
first-principles calculations
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
As/HfS_(2)范德瓦耳斯异质结电子光学特性及量子调控效应
被引量:
1
2
作者
张仑
陈红丽
义钰
张振华
机构
长沙理工大学
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第17期344-354,共11页
基金
国家自然科学基金(批准号:61371065,61771076)资助的课题.
文摘
两种或两种以上的单层材料堆垛成范德瓦耳斯异质结是实现理想电子及光电子器件的有效策略.本文选用As单层及HfS_(2)单层,采用6种堆垛方式构建As/HfS_(2)异质结,并选取最稳结构,利用杂化泛函HSE06系统地研究了其电子和光学性质以及量子调控效应.计算发现,As/HfS_(2)本征异质结为Ⅱ型能带对齐半导体,且相对两单层带隙(>2.0 eV)能明显减小(约0.84 eV),特别是价带偏移(VBO)和导带偏移(CBO)可分别高达1.48 eV和1.31 eV,非常有利于研发高性能光电器件和太阳能电池.垂直应变能有效调节异质结的能带结构,拉伸时带隙增大,并出现间接带隙到直接带隙的转变现象,而压缩时,带隙迅速减少直到金属相发生.外加电场可以灵活地调控异质结的带隙及能带对齐方式,使异质结实现Ⅰ型、Ⅱ型和Ⅲ型之间的转变.此外,As/HfS_(2)异质结在可见光区域有较强的光吸收能力,且可通过外加电场和垂直应变获得进一步提高.这些结果表明As/HfS_(2)异质结构在电子器件、光电子器件和光伏电池领域具有潜在的应用前景.
关键词
范德瓦耳斯异质结
ⅱ型能带对齐
垂直应变
外加电场
光吸收系数
Keywords
van der Waals heterostructure
ⅱ
-type band alignment
vertical strain
external electric field
light adsorption coefficient
分类号
O469 [理学—凝聚态物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
声子振动对硒硫化钼/碲硒化钨异质双层电子结构影响的理论研究
赵红连
李璐
张逸潇
张栋
唐琼
李中军
《合肥工业大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
2022
1
下载PDF
职称材料
2
As/HfS_(2)范德瓦耳斯异质结电子光学特性及量子调控效应
张仑
陈红丽
义钰
张振华
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
1
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职称材料
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