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生长在(311)A面GaAs衬底上的InAlAs/AlGaAsⅡ型量子点的光致发光研究 被引量：1
1
作者 陈晔 李国华 +4 位作者 朱作明 韩和相 汪兆平 周伟 王占国 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期53-56,共4页
测量了生长在 (311) A面 Ga As衬底上的 In0 .5 5 Al0 .45 As/ Al0 .5 Ga0 .5 As自组织量子点光致发光谱 ,变激发功率和压力实验证明发光峰是与 X能谷相关的 型发光峰 ,将它指认为从 Al0 .5 Ga0 .5 As势垒 X能谷到 In0 .5 5 Al0 .45 A... 测量了生长在 (311) A面 Ga As衬底上的 In0 .5 5 Al0 .45 As/ Al0 .5 Ga0 .5 As自组织量子点光致发光谱 ,变激发功率和压力实验证明发光峰是与 X能谷相关的 型发光峰 ,将它指认为从 Al0 .5 Ga0 .5 As势垒 X能谷到 In0 .5 5 Al0 .45 As重空穴的 型跃迁 .高温下观察到的高能峰随压力增大向高能方向移动 ,认为它来源于量子点中 Γ能谷与价带之间的跃迁 .在压力下还观察到了一个新的与 X相关的发光峰 ,认为它与双轴应变引起的导带 展开更多
关键词 压力 光致发光谱 InAlAs/AlGaAs自组织ⅱ型量子点 ⅱ型跃迁 Г能带跃迁 X能谷劈裂
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