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立方闪锌矿结构ZnS纳米线的合成与表征
被引量:
2
1
作者
杜园园
介万奇
李焕勇
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期585-587,594,共4页
在NiS纳米粒子的辅助下,采用CVD方法,在NiS-Zn系统中成功地合成了长为25μm,直径大约200nm的具有立方相闪锌矿结构ZnS纳米线,其最优生长方向为[111]。由PL谱可知,在437.2nm处有一个很强的发射峰,说明ZnS纳米线具有很好的发光特性和单晶...
在NiS纳米粒子的辅助下,采用CVD方法,在NiS-Zn系统中成功地合成了长为25μm,直径大约200nm的具有立方相闪锌矿结构ZnS纳米线,其最优生长方向为[111]。由PL谱可知,在437.2nm处有一个很强的发射峰,说明ZnS纳米线具有很好的发光特性和单晶质量。并提出了氧化还原反应作用下的VLS生长机制,较好的解释了ZnS纳米线的形成过程。
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关键词
ZNS
闪锌矿
一维结构
化学气相沉积
ⅱ-ⅳ族材料
下载PDF
职称材料
题名
立方闪锌矿结构ZnS纳米线的合成与表征
被引量:
2
1
作者
杜园园
介万奇
李焕勇
机构
西北工业大学材料学院
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期585-587,594,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(50502028
50336040)
文摘
在NiS纳米粒子的辅助下,采用CVD方法,在NiS-Zn系统中成功地合成了长为25μm,直径大约200nm的具有立方相闪锌矿结构ZnS纳米线,其最优生长方向为[111]。由PL谱可知,在437.2nm处有一个很强的发射峰,说明ZnS纳米线具有很好的发光特性和单晶质量。并提出了氧化还原反应作用下的VLS生长机制,较好的解释了ZnS纳米线的形成过程。
关键词
ZNS
闪锌矿
一维结构
化学气相沉积
ⅱ-ⅳ族材料
Keywords
zinc sulfide
blende
one dimensional structure
chemical vapor deposition method
ⅱ
-
Ⅵ materials
分类号
TN304.22 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
立方闪锌矿结构ZnS纳米线的合成与表征
杜园园
介万奇
李焕勇
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
2
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职称材料
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