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Ⅱ-Ⅵ族多元化合物半导体晶体生长及器件研究进展
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作者 杨桂芝 俞鹏飞 +1 位作者 张嘉伟 介万奇 《铸造技术》 CAS 2023年第12期1075-1093,共19页
Ⅱ-Ⅵ族多元(三元及三元以上)化合物半导体晶体是一类非常重要的光电子材料,多为闪锌矿结构,具有直接跃迁型能带结构。可以通过掺入不同的杂质获得n型或者p型半导体晶体材料。这些晶体具有原子序数大、电阻率高、载流子迁移率寿命积大... Ⅱ-Ⅵ族多元(三元及三元以上)化合物半导体晶体是一类非常重要的光电子材料,多为闪锌矿结构,具有直接跃迁型能带结构。可以通过掺入不同的杂质获得n型或者p型半导体晶体材料。这些晶体具有原子序数大、电阻率高、载流子迁移率寿命积大、光吸收系数好等特点,可用于室温辐射探测器、太阳能电池、法拉第磁性器件等领域。本文介绍了Ⅱ-Ⅵ族多元化合物半导体晶体的结构和物理性质,结合生长方法综述了晶体生长的研究进展,分析讨论了器件的主要应用,并展望了该类晶体材料未来的发展方向。 展开更多
关键词 -族多元化合物 半导体 晶体生长 室温辐射探测器 太阳能电池
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Ⅱ-Ⅵ族化合物原子间两体势的第一性原理研究 被引量:3
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作者 杨媛媛 王新强 赵传波 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期281-286,共6页
本文采用基于第一性原理的Hartree-Fork(HF)方法和密度泛函理论(DFT)计算了CdS、CdSe、CdTe、HgTe等Ⅱ-Ⅵ族化合物的两体相互作用势,并与实验数据进行了比较.分析了计算中基组对计算结果的影响,以及各种近似方法的优缺点.采用Lennard-Jo... 本文采用基于第一性原理的Hartree-Fork(HF)方法和密度泛函理论(DFT)计算了CdS、CdSe、CdTe、HgTe等Ⅱ-Ⅵ族化合物的两体相互作用势,并与实验数据进行了比较.分析了计算中基组对计算结果的影响,以及各种近似方法的优缺点.采用Lennard-Jones势、Born-Mayer势和Morse势函数分别对势能值进行拟合,结果表明采用Morse势拟合的势能曲线与计算结果符合最好,说明普遍应用于共价分子的Morse势也同样适用于对Ⅱ-Ⅵ族二聚体的两体势描述. 展开更多
关键词 -化合物 原子间作用势 第一性原理
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Ⅱ-Ⅵ族化合物中原子间两体及三体相互作用势的理论研究 被引量:1
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作者 杨媛媛 王新强 何阿玲 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期1234-1237,共4页
采用基于密度泛函理论和Hartree-Fork的第一性原理方法,计算了CdS、CdSe、CdTe、HgTe等Ⅱ-Ⅵ族化合物中原子间的两体及三体相互作用势,分析了基组及计算方法的选择对计算结果的影响。采用Lennard-Jones、Born-Mayer和Morse势函数对两体... 采用基于密度泛函理论和Hartree-Fork的第一性原理方法,计算了CdS、CdSe、CdTe、HgTe等Ⅱ-Ⅵ族化合物中原子间的两体及三体相互作用势,分析了基组及计算方法的选择对计算结果的影响。采用Lennard-Jones、Born-Mayer和Morse势函数对两体相互作用势进行拟合,得到相应的拟合参数及误差值,结果表明普遍应用于共价分子的Morse势也同样适用于Ⅱ-Ⅵ族原子二聚体。考虑到多体相互作用势必须考虑角度因素,采用Stilling-Weber势函数对三体势进行了拟合研究,结果亦较为理想。 展开更多
关键词 -化合物 原子间作用势 第一性原理 势能拟合
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Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体中的晶体缺陷及其控制 被引量:1
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作者 介万奇 李宇杰 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期129-134,共6页
围绕作者所在课题组近年来的研究工作,综述了Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体晶体生长过程中的各种结构缺陷及其形成机理.从晶体生长过程和后续的热处理过程两个方面指出了晶体缺陷的控制原理和方法.
关键词 -化合物 碲锌镉 晶体生长 退火改性 晶体缺陷
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Ⅱ-Ⅵ族化合物研究现状 被引量:1
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作者 黄大鸣 《国际学术动态》 1997年第12期39-42,共4页
第8届国际Ⅱ-Ⅵ族化合物会议于1997年8月25日至29日在法国Grenoble举行。参加会议的有来自26个国家的415名代表。会议收到论文摘要501篇,录用311篇。被录用的部分论文将在国际《晶体生长杂志》(Journal of Crystal Growth)的专集上发表... 第8届国际Ⅱ-Ⅵ族化合物会议于1997年8月25日至29日在法国Grenoble举行。参加会议的有来自26个国家的415名代表。会议收到论文摘要501篇,录用311篇。被录用的部分论文将在国际《晶体生长杂志》(Journal of Crystal Growth)的专集上发表。会议交流了Ⅱ-Ⅵ化合物(主要为半导体)材料、物理和器件研究领域进展情况,内容涉及半导体蓝绿激光器件,Be-基化合物及其异质结构,激子及其复合体的光学性质,纳米结构(即量子点)和微腔(Microcavity)的光学性质,表面和界面,窄禁带半导体,稀磁半导体,红外和γ射线探测器,掺杂,材料的生长及表征等。 展开更多
关键词 -化合物 半导体 研究
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MOCVD生长的Ⅱ-Ⅵ族化合物固溶体组分的热力学分析——I.ZnS_xSe_(1-x)体系
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作者 陆大成 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第3期163-169,共7页
金属有机化学汽相淀积(MOCVD)通常被认为是一个非平衡过程。然而在生长速度的扩散控制区,可以假定在汽-固界面存在平衡。本文用平衡模型计算了用二甲基锌(DMZ)或二乙基锌(DEZ)与硫化氢和硒化氢为源,生长ZnS_xSe_(1-x)三元合金时,各反应... 金属有机化学汽相淀积(MOCVD)通常被认为是一个非平衡过程。然而在生长速度的扩散控制区,可以假定在汽-固界面存在平衡。本文用平衡模型计算了用二甲基锌(DMZ)或二乙基锌(DEZ)与硫化氢和硒化氢为源,生长ZnS_xSe_(1-x)三元合金时,各反应参数对固溶体组分的影响。本模型考虑了汽相中H_2S和H_2Se的热分解,固溶体的非理想行为,计算了生长温度、压力、输入反应室的、[Ⅵ/Ⅱ]比和初始氢含量对固溶体成分的影响,并把计算值与实验结果进行了比较。 展开更多
关键词 -化合物 MOCVD 固溶体
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第十九届Ⅱ-Ⅵ族化合物及相关材料国际学术会议纪要
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《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第12期1585-1585,共1页
由中国物理学会发光分会主办,郑州大学与中国科学院长春光学精密机械与物理研究所承办的第19届Ⅱ-Ⅵ族化合物及相关材料国际学术会议(The 19th International Conference onⅡ-ⅥCompounds and Related Materials)于10月27-31日在郑州... 由中国物理学会发光分会主办,郑州大学与中国科学院长春光学精密机械与物理研究所承办的第19届Ⅱ-Ⅵ族化合物及相关材料国际学术会议(The 19th International Conference onⅡ-ⅥCompounds and Related Materials)于10月27-31日在郑州成功举行。Ⅱ-Ⅵ族化合物及相关材料国际学术会议每两年一届,涵盖新材料和新器件的设计与研制、材料光电性能的调控与掺杂缺陷的研究、磁性半导体材料和器件、理论与能带结构研究、新型实验技术等专题,是国际Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体领域最重要的学术会议之一。 展开更多
关键词 半导体领域 学术会议纪要 -化合物 国际学术会议 能带结构
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II-VI族化合物半导体量子结构材料和器件的研究与发展 被引量:2
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作者 郝建伟 查钢强 介万奇 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期87-91,共5页
简要介绍了量子结构材料与器件中的基本概念,重点介绍了量子结构的定义和量子尺寸效应的能带裁剪工程。以II-VI族化合物半导体为例,介绍了量子尺寸效应对于激子束缚能的影响。以此为基础,综述了II-VI族化合物半导体量子阱、量子点等量... 简要介绍了量子结构材料与器件中的基本概念,重点介绍了量子结构的定义和量子尺寸效应的能带裁剪工程。以II-VI族化合物半导体为例,介绍了量子尺寸效应对于激子束缚能的影响。以此为基础,综述了II-VI族化合物半导体量子阱、量子点等量子结构材料以及量子结构器件在光电探测、发光器件与太阳能电池领域的研究现状,并总结了II-VI族化合物半导体量子结构材料与器件的发展趋势。 展开更多
关键词 -化合物半导体 量子结构 激子效应 量子尺寸效应
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Ⅱ-Ⅵ族材料在叠层太阳能电池中的应用 被引量:2
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作者 杨秋旻 刘超 +1 位作者 崔利杰 曾一平 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期271-276,共6页
Ⅱ-Ⅵ族材料ZnSe、CdSe、ZnTe、CdTe等具有禁带宽度大,少子寿命对位错不敏感等优点,可以作为一种新的材料体系应用于叠层太阳能电池中。此类材料既能够与铜铟镓硒电池、Ⅲ-Ⅴ族材料、单晶Si等相结合,也可将不同的Ⅱ-Ⅵ族材料相结合制备... Ⅱ-Ⅵ族材料ZnSe、CdSe、ZnTe、CdTe等具有禁带宽度大,少子寿命对位错不敏感等优点,可以作为一种新的材料体系应用于叠层太阳能电池中。此类材料既能够与铜铟镓硒电池、Ⅲ-Ⅴ族材料、单晶Si等相结合,也可将不同的Ⅱ-Ⅵ族材料相结合制备多结电池。本文介绍了上述几种思路的理论及实验研究现状,以及Ⅱ-Ⅵ族材料顶电池的研究进展;同时分析了阻碍Ⅱ-Ⅵ族半导体材料应用的单极性掺杂问题,介绍了提高掺杂水平可能的途径。 展开更多
关键词 -化合物 叠层太阳能电池 单极性半导体 掺杂
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硅基Ⅱ-Ⅵ族单结及多结太阳电池研究进展 被引量:2
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作者 张理嫩 刘超 +1 位作者 崔利杰 曾一平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期241-247,共7页
Ⅱ-Ⅵ族材料具有少子寿命对位错不敏感、禁带宽度范围大及成本低等优点,分子束外延(MBE)生长的Si基Ⅱ-Ⅵ族材料可以作为新的材料体系应用于多结太阳电池中,并且开发新型Si基Ⅱ-Ⅵ族多结电池的效率有可能高于目前的Ⅲ-Ⅴ族多结电池。综述... Ⅱ-Ⅵ族材料具有少子寿命对位错不敏感、禁带宽度范围大及成本低等优点,分子束外延(MBE)生长的Si基Ⅱ-Ⅵ族材料可以作为新的材料体系应用于多结太阳电池中,并且开发新型Si基Ⅱ-Ⅵ族多结电池的效率有可能高于目前的Ⅲ-Ⅴ族多结电池。综述了MBE生长的Si基高质量CdTe和CdZnTe单晶薄膜以及对其进行n型和p型掺杂实验的研究进展。着重介绍了美国EPIR公司对以p-Si为衬底的CdZnTe单结电池和CdZnTe/Si双结电池原型器件的研究成果,其光伏转换效率分别达到了16%和17%,分析了研制高效率Si基Ⅱ-Ⅵ族多结电池面临的技术问题和提高电池效率的可能途径。 展开更多
关键词 -化合物材料 硅基 多结(MJ)太阳电池 分子束外延(MBE) 光伏效率
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纳米级的一维II-VI族化合物的合成及其电子结构研究(英文) 被引量:1
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作者 S. K. Hark 《光散射学报》 2005年第3期307-308,共2页
Various single crystalline IIB-VIA one-dimensional nanostructures have been fabricated using thermal evaporation. Although these nanostructures possess large amount of unpassivated surface, it does not lead to dissoci... Various single crystalline IIB-VIA one-dimensional nanostructures have been fabricated using thermal evaporation. Although these nanostructures possess large amount of unpassivated surface, it does not lead to dissociation of excitons, which fact indicates the high purity and high quality of the electronic structure of these nanostructures. 展开更多
关键词 -化合物 纳米技术 电子结构 晶体结构 热量蒸发 激发子分裂
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One-dimensional (1D) Ⅱ-Ⅵ based nanostructures—synthesis and microstructure characterizations
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作者 Hark S K 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期365-365,共1页
关键词 半导体材料 -化合物 纳米结构 单晶结构 透射电子显微镜分析
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Ⅱ—Ⅵ族宽带隙半导体的分子束外延
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作者 徐梁 陈云良 王海龙 《量子电子学》 CSCD 1992年第4期382-386,共5页
我们用分子束外延法已生长出了ZnSe、ZnTe单晶薄层。外延层的生长速率基本上由分子束流量和衬底温度决定。本文讨论了这种二元化合物的生长速率,包括衬底温度、结晶性及分子束强度,并和实验结果作了比较分析。所获得的生长速率与衬底温... 我们用分子束外延法已生长出了ZnSe、ZnTe单晶薄层。外延层的生长速率基本上由分子束流量和衬底温度决定。本文讨论了这种二元化合物的生长速率,包括衬底温度、结晶性及分子束强度,并和实验结果作了比较分析。所获得的生长速率与衬底温度和入射束比的关系能用原子表面覆盖度的动力学方程得到解释。 展开更多
关键词 分子束外延 -化合物 半导体
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Ⅱ-Ⅵ族化合物晶体生长理论与技术 被引量:1
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作者 介万奇 《中国基础科学》 2001年第5期15-19,共5页
本文首先分析了Ⅱ-Ⅵ族化合物由于其物理化学性质决定的晶体生长的难度及其需要解决的主要问题。进而结合Hg_(1-x)Cd_xTe、Hg_(1-x)Mn_xTe、Cd(1-x)Zn_xTe等典型Ⅱ-Ⅵ族化合物,概述了体单晶和薄膜外延两个方面晶体生长技术的进展。
关键词 -化合物 半导体材料 晶体生长 薄膜 外延技术
原文传递
坩埚加速旋转-垂直下降法晶体生长设备的研制 被引量:5
15
作者 谷智 李国强 +1 位作者 介万奇 郭平 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期346-350,共5页
根据CdZnTe等Ⅱ Ⅵ族化合物半导体晶体生长的基本原理和工艺要求 ,设计制造了坩埚加速旋转 垂直下降法 (ACRT VBM)晶体生长系统。本文介绍了该系统设计所考虑的基本问题和元器件的选择 ,给出了系统的基本结构。晶体生长炉的温度控制... 根据CdZnTe等Ⅱ Ⅵ族化合物半导体晶体生长的基本原理和工艺要求 ,设计制造了坩埚加速旋转 垂直下降法 (ACRT VBM)晶体生长系统。本文介绍了该系统设计所考虑的基本问题和元器件的选择 ,给出了系统的基本结构。晶体生长炉的温度控制精度为± 1℃ ,系统的速度均匀度为± 0 .0 0 15mm/h。该系统的性能指标满足生长直径30mm的CdZnTe晶体的要求。 展开更多
关键词 坩埚加速旋转-垂直下降法 晶体生长设备 研制 CDZNTE 半导体 -化合物
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实现Ⅱ-Ⅵ族半导体蓝色激光器的新途径 被引量:3
16
作者 靳彩霞 王迅 《物理》 CAS 1997年第8期459-462,共4页
介绍了一种以Be的Ⅵ族化合物BeMgZnSe与ZnSe组成的量子阱发光二极管的结构、性能和特点。
关键词 ⅱ-ⅵ化合物 蓝色 半导体激光器
原文传递
Ⅱ—Ⅵ族化合物的发展潜力
17
作者 邓志杰 《现代材料动态》 2003年第6期4-5,共2页
关键词 -化合物 发展 红外传感器 碲镉汞 军工材料 应用 空间技术
原文传递
新型Ⅱ-Ⅵ族材料的晶体生长与缺陷控制 被引量:4
18
作者 介万奇 《中国科学基金》 CSCD 2000年第2期92-96,共5页
以新型红外探测材料Hg_(1-x)Zn_xTe、Hg_(1-x)Mn_xTe及外延衬底材料CdTe及Cd_(1-x)Zn_xTe为代表分析了Ⅱ-Ⅵ族化合物光电子材料的应用背景与现状、晶体生长方法,晶体生长过程中的主要理论问题及各种晶体缺陷的形成与控制。围绕Hg_(1-x)Z... 以新型红外探测材料Hg_(1-x)Zn_xTe、Hg_(1-x)Mn_xTe及外延衬底材料CdTe及Cd_(1-x)Zn_xTe为代表分析了Ⅱ-Ⅵ族化合物光电子材料的应用背景与现状、晶体生长方法,晶体生长过程中的主要理论问题及各种晶体缺陷的形成与控制。围绕Hg_(1-x)Zn_xTe、Hg_(1-x)Mn_xTe、CdTe、Cd_(1-x)Zn_xTe4种材料,重点分析晶体生长技术,偏析、沉淀相、孪晶及位错等晶体缺陷的形成与控制的研究现状及发展趋势。 展开更多
关键词 -化合物 晶体生长 晶体缺陷 光电子材料
原文传递
制备纳米发光氧化锌的新方法 被引量:4
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作者 王瑞华 李怀祥 +1 位作者 张华 赵婧 《微纳电子技术》 CAS 2004年第2期23-25,37,共4页
采用一种全新的高电压电解方法,制得了室温条件下具有可见光致荧光的ZnO颗粒。这一制备技术具有取材容易、设备简单、条件温和、对环境友好、具有绿色合成的特点。探讨了电解制备ZnO的最佳实验条件。用X射线衍射、荧光分光光度计、透射... 采用一种全新的高电压电解方法,制得了室温条件下具有可见光致荧光的ZnO颗粒。这一制备技术具有取材容易、设备简单、条件温和、对环境友好、具有绿色合成的特点。探讨了电解制备ZnO的最佳实验条件。用X射线衍射、荧光分光光度计、透射电镜、透光率等实验手段对电解样品进行了表征,并对反应机理进行了初步探讨。结果表明,该方法制得的ZnO颗粒粒度小,结构为纤锌矿型多晶,室温光致荧光效应强。 展开更多
关键词 纳米发光氧化锌 ZnO颗粒 电解合成 光致荧光 ⅱ-ⅵ化合物半导体
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高纯碲中杂质的辉光放电质谱分析 被引量:8
20
作者 唐利斌 荣百炼 姬荣斌 《质谱学报》 EI CAS CSCD 2004年第B10期17-18,共2页
The trace impurities in high purity Te were measured by use of VG9000 glow discharge mass spectrometer (GDMS). Results showed that the stability of analytical performance and the accuracy of analytical results can be ... The trace impurities in high purity Te were measured by use of VG9000 glow discharge mass spectrometer (GDMS). Results showed that the stability of analytical performance and the accuracy of analytical results can be assured by means of optimizing the glow discharge conditions and effective eliminating interference. The test results are based on the average value of the three-time tests. The reproducibility and accuracy of the test data indicated that GDMS is a useful tool for elemental analysis of high purity solid samples. 展开更多
关键词 高纯碲 杂质分析 辉光放电质谱 -化合物半导体
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