Ⅱ-Ⅵ半导体纳米材料研究进展

综述了各种Ⅱ-Ⅵ半导体纳米材料的研究现状、性质、应用及制备方法,并对该领域今后的发展作了展望。

Fe:ZnSe/ZnS核-壳纳米晶的微乳液法合成及光学性能研究

在环己烷/Triton X-100/水/异丙醇W/O型微乳液体系中制备了Fe:ZnSe/ZnS核-壳纳米晶。采用X射线衍射仪(XRD)分析了产物的结构,利用透射电子显微镜(TEM)观察了产物的形貌,采用光致发光(PL)谱、紫外-可见(UV-Vis)吸收谱测试了产物的光学性能。着重研究了水与表面活性剂的摩尔比(R值)对合成产物的光学性能的影响。并对相关现象潜在的机理进行了讨论。

微乳液法制备CdSe/CdS核壳纳米粒子及表征

研究了SDS/异戊醇/环己烷/水所组成的四元微乳体系,并将该体系用于CdSe及CdSe/CdS(核壳结构)纳米粒子的制备.在反应过程中以紫外可见吸收光谱考察了不同反应条件下粒子的成核与生长情况.实验得到的CdSe微乳液非常稳定,室温下放置数月仍未见有沉淀生成.使用荧光分光光度计和高分辨透射电镜对粒子进行表征,所得CdSe/CdS纳米粒子粒径为5 nm左右,粒径均一且具有较高的荧光强度.

辅助水热法制备不同形貌的柱状ZnO微晶(英文)

本文采用乙醇辅助水热法制备得到了柱状ZnO微晶。得到的微晶形貌多样,有单脚、三脚、四脚、五脚、六脚以及多脚状,并以“骨架+支架”模型进行解释。X射线衍射分析结果表明产物为纯的六方相纤锌矿结构,扫描电子显微镜(SEM)观察表明产物具有单晶属性。本文还研究了ZnO的室温光谱性能。

水热法制备ZnSe粉体及其性能的研究

本研究以Zn和Se为源物质,NaOH水溶液为反应介质,采用水热法在125～200℃下反应24～36h制备了ZnSe粉体。采用XRD,XPS,EDAX和SEM等方法测试了所制备样品的相结构、表面元素状态、化学组成以及表面形貌,并研究了粉体的半导体光吸收特性。所制备的粉体为立方闪锌矿型ZnSe,粉体的粒径随水热反应温度的升高和水热反应时间的延长而增大。所制备的ZnSe粉体对紫外区的光呈现明显吸收,其光吸收最强峰位在波长468.8nm附近。

ZnS:V^(3+)光学和顺磁性质的理论研究

应用V3+的Watson自洽场d 轨函计算出了Racah静电参量A0、B0、C0和用完全对角化方法计算了ZnS:V3+的光谱和基态g因子,并比较了Racah静电参量A0对光谱能级的贡献.计算结果与实验结果符合得较好.此外,还讨论了共价因子对能级的影响.

Optimum Parameters of MgZnSSe/ZnSe BRAQ WET

A theoretical basis of optimally designed BRAQWET is pr esented. The optimum parameters of MgZnSSe/ZnSe BRAQWET are obtained by the ca lculation of band-structure according to the depletion approximation.

分子束外延生长ZnSe自组织量子点光、电行为研究

分别应用光致发光、电容 电压和深能级瞬态傅里叶谱技术详细研究ZnSe自组织量子点样品的光学和电学行为 .光致发光温度关系表明ZnSe量子点的光致发光热猝火过程机理 .两步猝火过程的理论较好模拟和解释了相关的实验数据 .电容 电压测量表明样品表观载流子积累峰出现的深度 (样品表面下约 10 0nm处 )大约是ZnSe量子点层的位置 .深能级瞬态傅里叶谱获得的ZnSe量子点电子基态能级位置为ZnSe导带下的 0 11eV ,这与ZnSe量子点光致发光热猝火模型得到的结果一致 .