基于Ⅲ-Ⅴ与Ⅱ-Ⅵ族半导体材料色散特性的高灵敏度慢光干涉仪

分析了Ⅲ-Ⅴ与Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的光学特性,证明半导体慢光介质不但可以提高干涉仪的光谱灵敏度,而且可以获得远大于气体慢光介质的工作光谱范围.实验证明,基于慢光介质GaAs的干涉仪光谱灵敏度相对于传统的干涉仪提高约3.2倍.

关于Ⅱ-Ⅵ族材料物理和化学的2002年美国专题讨论会专辑目录

1.序言(S.Sivananthan等)2.在蓝宝石衬底上用液相外延方法生长HgCdTe的 状况与进展(G.Bostrup等)3.用在4”硅衬底上通过分子束外延方法生长的HgC-dTc制造高性能大规模中波红外焦平面列阵(J.B.Varesi等)4.大量生产HgCdTe所遇到的技术挑战(P.

MOCVD法制备MgZnO合金薄膜

采用金属有机化学气相沉积方法在C面蓝宝石衬底上生长MgxZn1-xO合金薄膜.c轴取向的MgxZn1-xO薄膜在600.～630℃温度下沉积.通过X射线衍射和透射光谱研究了薄膜的结构和光学特性.研究表明当x的取值小于等于0.39时,合金薄膜保持ZnO的六角形纤锌矿结构,没有观察到MgO分相,此时薄膜的能带宽度可以在3.3～3.95eV之间调节.