Ⅱa型优质金刚石大单晶的合成

在触媒KOV(FeNiCo合金 )的基础上加上一定含量的的Ti和Cu ,用温度梯度法首次在国产的六面顶压机上合成出～ 1 5mm高质量的Ⅱa型金刚石单晶。分析了合成Ⅱa型金刚石单晶过程中出现晶体表面熔坑现象的原因。晶种的质量和清洁度导致晶体表面熔坑的一个重要原因。通过降低晶体的生长速度可以避免熔坑的出现。

优质Ⅱa型宝石级金刚石的合成技术

本文采用FelNiCo(KOV)触媒,在国产六面顶压机上,利用温度梯度法首次成功生长出尺寸约4mm的优质Ⅱa型无色透明的宝石级金刚石单晶。并通过对宝石级金刚石合成过程中除氮剂性质的研究,除氮剂添加量对生长晶体的影响,优质Ⅱa型宝石级金刚石单晶生长速度的控制等,介绍了在国产六面顶压机上生长Ⅱa型金刚石单晶的相关技术。实验结果表明,为了降低金刚石内部氮的含量,生长优质Ⅱa型金刚石单晶,需在合成腔体内部加入一定含量的除氮剂-钛。钛的含量在1wt%以上时的除氮效果较好,但钛添加过量(大于2wt%)又影响晶体生长的质量。