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用于Ⅲ族氮化物生长的紧配合喷淋头反应器
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作者 Thrush E J Considine L Mullins J T Saywell V Bentham F C Sharma N Humphreys C J Kappers M 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第z1期103-106,共4页
在紫外和可见光电子器件、高温电子学器件、冷阴极和太阳防护探测器的应用中,Ⅲ族氮化物是一类重要的材料.近年来,氮化物基的LED的制备成功,具有提供白光照明代替白炽灯和荧光灯的潜在能力.人们对用MOCVD方法生长GaN基材料的兴趣日益高... 在紫外和可见光电子器件、高温电子学器件、冷阴极和太阳防护探测器的应用中,Ⅲ族氮化物是一类重要的材料.近年来,氮化物基的LED的制备成功,具有提供白光照明代替白炽灯和荧光灯的潜在能力.人们对用MOCVD方法生长GaN基材料的兴趣日益高涨,特别是对多片、均匀生长的大尺寸反应器的要求日益迫切.本文概述了紧配合喷淋头反应器的设计思想和其特性.结合Ⅲ族氮化物生长对设备的相关要求,给出了这种设备运行的一些结果.这些结果表明,这种紧配合喷淋头反应器很适合在研究和产品生产中的GaN基材料结构的生长. 展开更多
关键词 MOCVD 密配合喷淋头反应器 ⅲ族氮化物生长
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用于Ⅲ族氮化物生长的紧配合喷淋头反应器(英文)
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作者 ThrushE J Kappers M +5 位作者 Considine L Mullins J T Saywell V BenthamF C Sharma N Humphreys C J 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第S1期103-106,共4页
在紫外和可见光电子器件、高温电子学器件、冷阴极和太阳防护探测器的应用中 ,Ⅲ族氮化物是一类重要的材料。近年来 ,氮化物基的LED的制备成功 ,具有提供白光照明代替白炽灯和荧光灯的潜在能力。人们对用MOCVD方法生长GaN基材料的兴趣... 在紫外和可见光电子器件、高温电子学器件、冷阴极和太阳防护探测器的应用中 ,Ⅲ族氮化物是一类重要的材料。近年来 ,氮化物基的LED的制备成功 ,具有提供白光照明代替白炽灯和荧光灯的潜在能力。人们对用MOCVD方法生长GaN基材料的兴趣日益高涨 ,特别是对多片、均匀生长的大尺寸反应器的要求日益迫切。本文概述了紧配合喷淋头反应器的设计思想和其特性。结合Ⅲ族氮化物生长对设备的相关要求 ,给出了这种设备运行的一些结果。这些结果表明 ,这种紧配合喷淋头反应器很适合在研究和产品生产中的GaN基材料结构的生长。 展开更多
关键词 MOCVD 密配合喷淋头反应器 ⅲ族氮化物生长
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