期刊文献+
共找到6篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
GaAs基Ⅲ-Ⅴ族多结太阳电池技术研究进展 被引量:8
1
作者 周勋 罗木昌 +3 位作者 赵红 周勇 刘万清 邹泽亚 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期639-646,652,共9页
GaAs太阳电池由于其性能优越,成为了光伏领域的发展重点。简单介绍了GaAs基Ⅲ-Ⅴ族多结太阳电池的应用和研究进展,并对其发展趋势进行了展望。
关键词 GAAS - 多结太阳电池 光伏技术
下载PDF
Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT模型参数提取
2
作者 刘军 孙玲玲 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期874-880,共7页
对Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT模型本征集电极和发射极电流方程进行了改进,加强了模型的拟合能力.给出了HBT在零偏和冷偏下的等效电路模型,为精确提取基-射、基-集结本征和外围结电容,开发出一种新的、从零偏条件下测量所得S参数中直接提取本征、... 对Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT模型本征集电极和发射极电流方程进行了改进,加强了模型的拟合能力.给出了HBT在零偏和冷偏下的等效电路模型,为精确提取基-射、基-集结本征和外围结电容,开发出一种新的、从零偏条件下测量所得S参数中直接提取本征、外部结电容的方法,该方法同时允许本征集电极电阻(Rci)的解析提取.运用该方法精确提取了一发射结面积为180μm2的GaAsHBT器件参数,验证结果表明,算法精度可达40GHz. 展开更多
关键词 - HBT模型 冷偏 本征和外部结电容 本征集电极电阻 解析提取
下载PDF
重掺Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体载流子浓度的光测法研究
3
作者 徐谨民 邵丽影 吴敏 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第12期955-959,共5页
本文应用计算机,绘出各类重掺Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体在不同等离子频率ω_p下的反射率曲线,从中找出了反射谱的高低频反射边在反射率极小值处所对应的频率ω_1与ω_2之和与ω_p间的函数关系.并应用此关系对不同载流子浓度的重掺Ⅲ-Ⅴ族化... 本文应用计算机,绘出各类重掺Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体在不同等离子频率ω_p下的反射率曲线,从中找出了反射谱的高低频反射边在反射率极小值处所对应的频率ω_1与ω_2之和与ω_p间的函数关系.并应用此关系对不同载流子浓度的重掺Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体GaAs和Inp样品进行实验上的验证,获得了满意的结果. 展开更多
关键词 -族化物 半导体 载流子 浓度
下载PDF
Large-signal characterizations of DDR IMPATT devices based on group Ⅲ–Ⅴ semiconductors at millimeter-wave and terahertz frequencies 被引量:2
4
作者 Aritra Acharyya Aliva Mallik +4 位作者 Debopriya Banerjee Suman Ganguli Arindam Das Sudeepto Dasgupta J.P.Banerjee 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2014年第8期69-78,共10页
Large-signal (L-S) characterizations of double-drift region (DDR) impact avalanche transit time (IM- PATT) devices based on group III-V semiconductors such as wurtzite (Wz) GaN, GaAs and InP have been carried ... Large-signal (L-S) characterizations of double-drift region (DDR) impact avalanche transit time (IM- PATT) devices based on group III-V semiconductors such as wurtzite (Wz) GaN, GaAs and InP have been carried out at both millimeter-wave (mm-wave) and terahertz (THz) frequency bands. A L-S simulation technique based on a non-sinusoidal voltage excitation (NSVE) model developed by the authors has been used to obtain the high frequency properties of the above mentioned devices. The effect of band-to-band tunneling on the L-S properties of the device at different mm-wave and THz frequencies are also investigated. Similar studies are also carried out for DDR IMPATTs based on the most popular semiconductor material, i.e. Si, for the sake of comparison. A compara- tive study of the devices based on conventional semiconductor materials (i.e. GaAs, InP and Si) with those based on Wz-GaN shows significantly better performance capabilities of the latter at both mm-wave and THz frequencies. 展开更多
关键词 DDR IMPATTs GaN group - large-signal simulation MILLIMETER-WAVE terahertz regime WURTZITE
原文传递
Growth and properties of wide spectral white light emitting diodes
5
作者 谢自力 张荣 +8 位作者 傅德颐 刘斌 修向前 华雪梅 赵红 陈鹏 韩平 施毅 郑有炓 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第11期414-416,共3页
Wide spectral white light emitting diodes have been designed and grown on a sapphire substrate by using a metal-organic chemical vapor deposition system. Three quantum wells with blue-light-emitting, green-light-emitt... Wide spectral white light emitting diodes have been designed and grown on a sapphire substrate by using a metal-organic chemical vapor deposition system. Three quantum wells with blue-light-emitting, green-light-emitting and red-light-emitting structures were grown according to the design. The surface morphology of the film was observed by using atomic force microscopy. The films were characterized by their photoluminescence measurements. X-ray diffraction t9/2/9 scan spectroscopy was carried out on the multi-quantum wells. The secondary fringes of the symmetric ω/2θ X-ray diffraction scan peaks indicate that the thicknesses and the alloy compositions of the individual quantum wells are repeatable throughout the active region. The room temperature photoluminescence spectra of the structures indicate that the white light emission of the multi-quantum wells is obtained. The light spectrum covers 400 700 nm, which is almost the whole visible light spectrum. 展开更多
关键词 metal-organic chemical vapor deposition GaN/InGaN multi-quantum wells group -semiconductor wide spectral white light
下载PDF
电针足三里对严重烫伤致大鼠急性肺损伤的影响 被引量:11
6
作者 宋学敏 王焱林 +5 位作者 李建国 梁辉 李兰芳 周青 张宗泽 王成夭 《中华麻醉学杂志》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期469-472,共4页
目的 探讨电针足三里对严重烫伤致大鼠急性肺损伤的影响.方法 雄性SD大鼠40只,体重200~250 g,随机分为5组(n=8):对照组、烫伤组、足三里组、非经非穴组和α-银环蛇毒素组(α-BGT组).对照组尾静脉注射生理盐水1 ml.烫伤组、足三里... 目的 探讨电针足三里对严重烫伤致大鼠急性肺损伤的影响.方法 雄性SD大鼠40只,体重200~250 g,随机分为5组(n=8):对照组、烫伤组、足三里组、非经非穴组和α-银环蛇毒素组(α-BGT组).对照组尾静脉注射生理盐水1 ml.烫伤组、足三里组、非经非穴组和α-BGT组先制备30%总体表面积Ⅲ度烫伤模型,然后烫伤组尾静脉注射生理盐水1 ml;足三里组于双侧足三里穴垂直进针7 mm,给予脉冲电流(电压3V,电流2ms,频率3 Hz)持续刺激12 mim,间隔8 h刺激1次,持续2 d;非经非穴组于双侧足三里穴旁5mm处给予脉冲刺激,方法同足三里组;α-BGT组尾静脉注射α-BGT 1.0 μg/kg,再于双侧足三里穴给予脉冲刺激,方法同足三里组.各组处理结束后,处死大鼠,取肺组织,光镜下观察病理学结果,电镜下观察超微结构,采用ELISA法测定肺组织高迁移率族蛋白B1(HMGBl)含量,采用免疫组化法测定HMGBl蛋白表达,采用RT-PCR法测定HMGBl mRNA表达.结果 烫伤组肺组织光镜下可见肺泡壁崩解,泡内大量渗出液,间质水肿、肥厚和增生,伴大量炎性细胞浸润;电镜下可见细胞核形态不规则,核膜僵硬,部分凸凹不平和核溶解,胞质内板层小体明显减少,肺组织病理损伤程度较对照组减轻.与对照组比较,烫伤组、非经非穴组和α-BGT组肺组织HMGBl含量升高,HMGBl蛋白及其mRNA的表达上调(P〈0.05),足三里组各指标差异无统计学意义(P〉0.05);与烫伤组比较,足三里组肺组织HMGBl含量降低,HMGBl蛋白及其mRNA的表达下调,非经非穴组和α-BGT组肺组织HMGBl mRNA表达下调(P〈0.05);与足三里组比较,非经非穴组和α-BGT组肺组织HMGBl含量升高,HMGBl蛋白及其mRNA的表达上调(P〈0.05).结论 电针足三里可减轻严重烫伤致大鼠急性肺损伤,其机制与激活含α7亚基N型胆碱能受体介导的胆碱能抗炎通路,抑制肺组织HMGBl的表达有关. 展开更多
关键词 足三里 烧伤 呼吸窘迫综合征 成人
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部