基于Ⅲ-Ⅴ与Ⅱ-Ⅵ族半导体材料色散特性的高灵敏度慢光干涉仪

分析了Ⅲ-Ⅴ与Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的光学特性,证明半导体慢光介质不但可以提高干涉仪的光谱灵敏度,而且可以获得远大于气体慢光介质的工作光谱范围.实验证明,基于慢光介质GaAs的干涉仪光谱灵敏度相对于传统的干涉仪提高约3.2倍.

Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点及其聚合物纳米复合材料的制备

Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点及其聚合物纳米复合材料在光催化剂、电致或光致发光器件等方面都有优异的表现。这些材料的性能依赖于它们的制备方法。一方面半导体量子点必须稳定,另一方面量子点的发光性能要好,因此控制量子点的尺寸分布和表面状态非常重要。本文综述了Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点及其聚合物纳米复合材料的制备方法以及各种方法的特点,并讨论了其发展动态。

Ⅲ-Ⅴ族化合物低维半导体材料制备技术及进展

低维半导体材料特别是Ⅲ -Ⅴ族化合物低维半导体材料日益受到人们的重视和深入的研究。文章回顾和评述了近几年Ⅲ -Ⅴ族化合物低维半导体材料包括量子阱、量子线、量子点的制备技术的进展 ,展望了这些技术在光电子器件等方面的应用前景。

镜像势对Ⅱ-Ⅵ族和Ⅲ-Ⅴ族半导体双势垒共振隧穿系统Ⅰ-Ⅴ特性的影响

本文围绕镜像势对双势垒共振隧穿系统电流—电压特性的影响作了系统的分析探讨，并在考虑和不考虑像势影响的两种情况下对该特性作了计算比较。结果清楚显示镜像势对具较大介电性能差别的系统之电流—电压曲线会引起明显的峰的漂移。

双腔室分子束外延复合体在Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族半导体异质结生长中的应用(英文)

半导体光电子学是当前科技发展最快的一个领域,光电子器件的增长需要加强新材料技术的研究与开发,Ⅲ -Ⅴ族和Ⅱ-Ⅳ族纳米结构生长的双腔室分子束外延复合体是目前工艺设备一个最好的例子,可以解决长期以来纳米光子学和纳米电子学的问题。

Ⅲ-V族半导体纳米材料的制备与尺寸控制

论述了Ⅲ-V族半导体纳米材料的制备与尺寸控制,其制备法分为物理法和化学法。物理法包括离子注入法、溅射法和激光烧蚀法,化学法包括高温有机液相合成法、有机溶剂热法、水热法和溶胶-凝胶法等。其中高温有机液相合成法较易制备尺寸均一、稳定的半导体纳米晶,有机溶剂热法、水热法和溶胶-凝胶法设备简单、反应条件温和,具有广阔的应用前景。

砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(2)

1GaAs材料和太阳电池的特点以GaAs为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池为什么能取得高效率呢？这与它们材料的特性，以及所构成的太阳电池器件的结构有关。1）GaAs是一种典型的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，具有与Si相似的闪锌矿立方晶系结构，不同的只是Ga和As原子交替占位。

砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(6)

1997年Olson等提出采用Ga1-xInxN1-yAsy四元系材料来研制第三结子电池,因为这是化合物半导体材料中,唯一一种可通过调节x、y值（Ga0.93In0.07 N0.023As0.977）,既能得到约1 eV的带隙,又与GaAs晶格匹配的材料[24].但是,带隙为1 eV的窄带隙Ga1-xInxN1-yAsy材料的质量差,与N相关的本征缺陷多,少子扩散长度小,载流子迁移率低.虽然经过多年的努力,研制出的1 eV的GaInNAs太阳电池的量子效率和短路电流Isc仍不够大.

MOCVD法生长Ⅲ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅵ族化合物用新前体

综述了Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 MOCVD 技术中新前体的发展近况,讨论了发展新前体的动力及当前达到的水平和问题,分析了分子结构与前体热稳定性、化学稳定性、熔点及蒸汽压之间的关系。

研究人员开发出整合Ⅲ-V族与矽材料的3DFinFET半导体

据报道，比利时微电子研究中心（IMEC）宣称开发出全球首款在300mm晶圆上整合Ⅲ—Ⅴ族与矽晶材料的3DFinFET化合物半导体。IMEC的新制程目标是希望能持续微缩CMOS至7nm及其以下，以及实现混合CMOS—RF与CMOS光电元件的化合物。

宽带Ⅱ—Ⅵ族半导体和低维结构材料及其光学性能研究进展

本文简要介绍了我们在宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体光电子学和发光学研究领域中取得的两大主要研究成果;第一.明确提出并实现了利用宽带Ⅱ—Ⅵ族晶体直接带跃迁来获得在室温和电场激发下自由激子发射的物理思想;第二,提出并实现了利用其超晶格的室温激子效应来实现在室温、蓝绿波段区以及具有ns和ps量级响应的光双稳的物理思想.

几种Ⅲ─Ⅴ族化合物半导体材料的研究热点

本文分别介绍了Ⅲ－Ⅴ族化合物砷化镓（ＧａＡｓ），氮化镓（ＧａＮ），锑化镓（ＧａＳｂ）的特性、生长方 法，国内外研究水平及应用。

Ⅲ-Ⅴ族纳米线材料为新一代芯片赋予光学特性

IBM苏黎世研究实验室（IBM Research of Zurich）开发出一种尺寸极其微小的纳米线,具有一般标准材料所没有的光学特性,从而为开发出基于半导体纳米线的＂新一代晶体管＂电路研究而奠定基础。

关于Ⅱ-Ⅵ族材料物理和化学的2002年美国专题讨论会专辑目录

1.序言(S.Sivananthan等)2.在蓝宝石衬底上用液相外延方法生长HgCdTe的 状况与进展(G.Bostrup等)3.用在4”硅衬底上通过分子束外延方法生长的HgC-dTc制造高性能大规模中波红外焦平面列阵(J.B.Varesi等)4.大量生产HgCdTe所遇到的技术挑战(P.

Ⅱ一Ⅳ族宽禁带半导体超晶格的光学特性

现代薄膜生长技术的发展,从技术上允许制备一种新型的人选材料-量子阱和超晶格。这是半导体学科领域中的一场革命,引起了人们极大的兴趣.1969年由美国IBM公司的Esaki和Tsu首先提出了超晶格的概念,并首次利用分子束外延(MBE)方法制备了AlGaAs-GaAs超晶格结构.从此各种类型的半导体超晶格不断出现,但都集中在Ⅲ-Ⅴ族半导体超晶格的生长及光电特性的研究。1982年Osboum提出了应变超晶格的概念,

第四届国际Ⅱ-Ⅵ族化合物会议简介

第四届国际Ⅱ-Ⅵ族化合物会议于1989年9月17日至22日在联邦德国西柏林的柏林技术大学举行,这是一次大型的国际学术会议,约有20个国家和地区的300余人参加。会议交流的论文约250篇,以联邦德国的最多,约40余篇,其它依次是日本、法国、苏联、英国、

赵有文 半导体材料研究者

赵有文，1999年获得博士学位。2000～2002年在中国科学院半导体研究所完成博士后研究工作。目前主要从事磷化铟、锑化镓、砷化镓等Ⅲ-Ⅴ族化合物单晶材料的生长技术、材料中的缺陷控制、与缺陷相关的材料物理性质研究以及材料在光电子和微电子器件上应用研究。近期开展了宽禁带半导体氧化锌和氮化铝单晶材料生长的研究。