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基于Ⅲ-V族半导体材料的热光伏电池研究进展 被引量:4
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作者 方思麟 于书文 +1 位作者 刘维峰 刘爱民 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第8期649-653,共5页
部分Ⅲ-V族化合物半导体具有较窄的禁带宽度,对红外发射体的温度要求较低,非常适宜制备热光伏(TPV)电池。简要介绍热光伏系统的基本结构,讨论了基于GaSb、InGaAsSb、InGaAs、InAsSbP几种主要窄带隙Ⅲ-V族化合物半导体的热光伏电池的研... 部分Ⅲ-V族化合物半导体具有较窄的禁带宽度,对红外发射体的温度要求较低,非常适宜制备热光伏(TPV)电池。简要介绍热光伏系统的基本结构,讨论了基于GaSb、InGaAsSb、InGaAs、InAsSbP几种主要窄带隙Ⅲ-V族化合物半导体的热光伏电池的研究情况,对它们的制备方法和主要性能参数进行了比较,分析了各自的优缺点,指出了我国热光伏技术的发展趋势。 展开更多
关键词 热光伏 ⅲ-v族半导体 窄带
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金属/Ⅲ-Ⅴ族半导体界面费米能级的位移
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作者 邵丙铣 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第1期50-54,共5页
本文详细地叙述了金属/GaAs和金属/GaSb界面,在极低复盖度(亚单层至几个单层)下的费米能级位移的实验结果,并应用缺陷能级密度随金属复盖度的增加而增加的模型进行理论计算,计算结果与实验曲线相吻合。
关键词 ⅲ-v族半导体 界面 费米能级 位移
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Ⅲ-Ⅴ族磁半导体材料的研究与进展 被引量:9
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作者 闫发旺 梁春广 《半导体情报》 2001年第6期2-7,共6页
Mn、Fe等过渡金属元素的 - 族稀磁半导体 ( DMS)材料和铁磁 /半导体异质结材料由于具备半导体和磁性材料的综合特性 ,可望广泛应用于未来的磁 (自旋 )电子器件 ,从而使传统的电子工业面临一场新的技术革命。
关键词 稀磁半导体 半导体异质结 自旋电子器件 -v半导体 半导体材料
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Ⅲ—V族化合物半导体
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作者 杨英会 《国外稀有金属动态》 1992年第5期23-24,共2页
关键词 -v化合物半导体 半导体器件 市场分析 半导体材料
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半导体用特种气体的处理方法——干法处理装置 被引量:2
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作者 猪口尚 伊滕文夫 刘懋才 《低温与特气》 CAS 1988年第1期22-26,共5页
在硅半导体生产中,作为单晶硅、氮化膜、氧化膜气相成长用气;作为硅铝膜蚀刻用气,需消耗多种氢化物(如甲硅烷、砷烷、磷烷)和卤化物(如三氯化硼、三氟化硼、氯化氢)。作为光电管和高速管用而大有希望的Ⅲ-V族半导体的生产过程中,同... 在硅半导体生产中,作为单晶硅、氮化膜、氧化膜气相成长用气;作为硅铝膜蚀刻用气,需消耗多种氢化物(如甲硅烷、砷烷、磷烷)和卤化物(如三氯化硼、三氟化硼、氯化氢)。作为光电管和高速管用而大有希望的Ⅲ-V族半导体的生产过程中,同样消耗这类气体。 展开更多
关键词 处理装置 处理方法 特种气体 ⅲ-v族半导体 干法 半导体生产 三氯化硼 三氟化硼 生产过程 单晶硅 氮化膜 氧化膜 甲硅烷 氢化物 卤化物 氯化氢 光电管 用气 消耗 气相 铝膜 砷烷
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名义上无序的GaInP合金的发光瞬态过程研究
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作者 吕毅军 高玉琳 +3 位作者 郑健生 蔡志岗 桑海宇 曾学然 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期186-189,共4页
报道了名义上无序GaxIn1 xP(x =0 .5 2 )合金的发光瞬态过程 ,对样品在 77K和 30 0K下不同激发强度的时间衰退过程和时间分辨光谱的分析表明 ,这块名义上无序的合金也存在很微弱的有序度 .在 77K的高激发强度下 ,衰退过程符合单指数衰... 报道了名义上无序GaxIn1 xP(x =0 .5 2 )合金的发光瞬态过程 ,对样品在 77K和 30 0K下不同激发强度的时间衰退过程和时间分辨光谱的分析表明 ,这块名义上无序的合金也存在很微弱的有序度 .在 77K的高激发强度下 ,衰退过程符合单指数衰退规律 ,在低激发强度下 ,符合双指数衰退规律 ;而在 30 0K下 ,衰退过程都符合双指数衰退规律 .在 展开更多
关键词 有序度 无序 ⅲ-v族半导体 GaInP合金 发光瞬态过程 激发强度 衰退过程
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表面处理对n-GaN上无合金化Ti/Al欧姆接触的作用
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作者 刘磊 陈忠景 何乐年 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期166-168,共3页
本文研究了表面处理对n GaN上无合金化的Ti/Al电极起的作用 ,比较了 (NH4) 2 Sx和CH3 CSNH2 两种不同的表面处理方法。在用CH3 CSHN2 /NH4OH溶液处理过的样品上制作的无合金化的Ti/Al电极 ,可得到较低的 (4 85~ 5 6 5 )× 1 0 -4... 本文研究了表面处理对n GaN上无合金化的Ti/Al电极起的作用 ,比较了 (NH4) 2 Sx和CH3 CSNH2 两种不同的表面处理方法。在用CH3 CSHN2 /NH4OH溶液处理过的样品上制作的无合金化的Ti/Al电极 ,可得到较低的 (4 85~ 5 6 5 )× 1 0 -4Ω·cm2 的接触电阻率 。 展开更多
关键词 N-GAN 欧姆接触 表面处理 Ti/Al电极 ⅲ-v族半导体材料
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基于Ge衬底的高带隙AlGaInP太阳电池研究
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作者 姜德鹏 黄珊珊 +2 位作者 马涤非 彭娜 张小宾 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第9期2616-2621,共6页
以高带隙的AlGaInP材料为研究对象,基于AlGaInP/Ge双结电池结构,通过改变AlGaInP子电池的Al组分、基区厚度、窗口层厚度等参数来改善电池的电性能。研究结果表明:随着Al组分从10%降至6%,AlGaInP子电池的材料带隙从2.05 eV降至2.00 eV,... 以高带隙的AlGaInP材料为研究对象,基于AlGaInP/Ge双结电池结构,通过改变AlGaInP子电池的Al组分、基区厚度、窗口层厚度等参数来改善电池的电性能。研究结果表明:随着Al组分从10%降至6%,AlGaInP子电池的材料带隙从2.05 eV降至2.00 eV,外量子效率(EQE)响应的范围及强度均有明显提高,在AM1.5G光谱条件下电池效率从10.01%升至14.86%,并发现通过基区加厚可提高中长波段的EQE响应,而通过窗口层减薄则有利于提高短波EQE响应,最终双结电池在AM1.5G光谱条件下效率达到17.16%。 展开更多
关键词 ⅲ-v族半导体 宽带隙 金属有机化合物气相外延 量子效率
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利用Al/AlAs中间层调控GaAs在Si(111)上外延生长的研究
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作者 常梦琳 樊星 +4 位作者 张微微 姚金山 潘睿 李晨 芦红 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第11期1815-1822,共8页
为了实现Ⅲ-V器件在硅基平台上单片集成,近年来Ⅲ-V半导体在硅衬底上的异质外延得到了广泛研究。由于Ⅲ-V半导体与Si之间大的晶格失配以及晶格结构不同,在Si上生长的Ⅲ-V半导体中存在较多的失配位错及反相畴,对器件性能造成严重影响。而... 为了实现Ⅲ-V器件在硅基平台上单片集成,近年来Ⅲ-V半导体在硅衬底上的异质外延得到了广泛研究。由于Ⅲ-V半导体与Si之间大的晶格失配以及晶格结构不同,在Si上生长的Ⅲ-V半导体中存在较多的失配位错及反相畴,对器件性能造成严重影响。而Si(111)表面的双原子台阶可以避免Ⅲ-V异质外延过程中形成反相畴。本文利用分子束外延技术通过Al/AlAs作为中间层首次在Si(111)衬底上外延生长了GaAs(111)薄膜。通过一系列对比实验验证了Al/AlAs中间层的插入对GaAs薄膜质量的调控作用,并在此基础上通过低温-高温两步法优化了GaAs的生长条件。结果表明Al/AlAs插层可以为GaAs外延生长提供模板,并在一定程度上释放GaAs与Si之间的失配应力,从而使GaAs薄膜的晶体质量得到提高。以上工作为Ⅲ-V半导体在硅上的生长提供了新思路。 展开更多
关键词 分子束外延 ⅲ-v族半导体 硅基砷化镓 异质外延 硅基集成
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Time-resolved Photoluminescence Spectra of Nominally Disordered GaInP Alloy
10
作者 LUYi-jun GAOYu-lin 《Semiconductor Photonics and Technology》 CAS 2002年第1期22-26,共5页
Luminescence decay and time resolved photoluminescence(TRPL) spectra are used for study on the transient luminescence process of the nominally disordered GaInP alloy. The luminescence decay of GaInP alloy shows the te... Luminescence decay and time resolved photoluminescence(TRPL) spectra are used for study on the transient luminescence process of the nominally disordered GaInP alloy. The luminescence decay of GaInP alloy shows the temperature and excitation intensity dependent characters. At 77 K and under high excitation intensity, the luminescence decay shows single exponential time dependence, while under low excitation intensity or at 300 K, the luminescence decay shows double exponential time dependence. The analysis indicates that this nominally disordered GaInP alloy actually exhibits a very weak degree of order. The blue shift of PL peak is observed in the TRPL spectra at 77 K, which is derived from the transfer of the carriers from the ordered domain to the disordered region of the alloy. At 300 K, due to the thermal quenching, the transfer is too weak to be observed. However, The recombination of the carriers between the ordered domain and the disordered region is still devoted to luminesce. 展开更多
关键词 GAINP 额定频率 TRPL 发光时间 无序合金 ⅲ-v族半导体
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