Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体异质结二维电子气研究进展

半导体异质结在探索新奇物理和发展器件应用等方面一直发挥着不可替代的作用.得益于其特有的能带性质,相对较窄的带隙和足够大的自旋轨道耦合相互作用,Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体异质结不仅在红外器件应用方面具有重要的研究价值,而且在拓扑绝缘体和自旋电子学等前沿领域引起了广泛的关注.尤为重要的是,在以 CdTe/PbTe 为代表的Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体异质结界面上发现了高浓度、高迁移率的二维电子气.该电子气的形成归因于Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体异质结独特的扭转界面.进一步的研究表明,该二维电子气体系不仅对红外辐射有明显响应,而且它还表现出狄拉克费米子的性质.本文系统综述了近年来Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体异质结二维电子气研究取得的主要进展.首先对Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体异质结扭转界面二维电子气的形成机理进行了介绍;然后讨论该二维电子气在低温强磁场下的输运性质,并分析了它的拓扑性质以及在自旋器件方面的应用前景;最后,展示了基于该二维电子气研制的中红外光电探测器.

STRIP-LINE测量技术在Ⅳ-Ⅵ族半导体远红外磁光光谱中的应用

描述了Strip-Line测量技术及其原理.深入讨论了Strip-Line技术在实际应用中模式耦合问题.从实验和理论两方面显示了模式耦合问题在应用Strip-Line技术研究Ⅳ-Ⅵ族铅化物半导体远红外磁光性质中的重要性.

超高速化合物半导体器件（2）Ⅲ—Ⅴ族化合物异质双极晶体管

以高电子迁移率晶体管、异质结双极晶体管和微波／毫米波集成电路为例，介绍化合物半导体器件的特点、封装、测试及其应用。

CdSe/CdZnSe多量子阱的激子复合性质的研究

采用ＭＢＥ制备了ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳｅ 多量子阱结构．Ｘ射线衍射谱的最高阶次是７，在７７Ｋ下ＰＬ光谱的线宽是４．２ｎｍ ，表明我们的样品具有较高的质量．在变密度激发的ｐｓ 时间分辨光谱中，随着激发密度的减小发光衰减时间减小，认为是由无辐射复合引起的．

基于MoS_(2)-XS(X=Al,B,Ga)复合结构光能的高效利用

近年来,二维过渡金属硫化物材料因其独特的物化属性受到了广泛的关注,并已成功应用于微电子器件、光伏技术及析氢催化等诸多领域,展示出了广阔的应用前景.然而,高载流子复合率、低迁移率和低循环稳定性等问题都在不同程度上限制了该类材料相关性能的进一步提升.目前,将二维材料复合处理,对能带结构或物化属性等进行优化改进,在诸多实验中已被证实是切实可行的.基于密度泛函理论,本研究提出了MoS_(2)-XS(X=Al, B, Ga)异质结构.研究发现, MoS_(2)-AlS/BS复合结构具有极低的失配度和天然的Ⅱ型异质结能带形式;MoS_(2)-XS的价带顶和导带底分别由MoS_(2)和XS构成,但异质结构具有比纯净结构更低的有效质量和更好的输运特性;当MoS_(2)-BS复合结构应用于太阳能电池时,其能量转换效率高达~20.4%.