Ⅳ-Ⅵ族半导体纳米晶的液相法合成

Ⅳ-Ⅵ族半导体纳米晶独特的物理化学性质引起了业界广泛关注。以PbS,PbSe和PbTe纳米晶为例,着重阐述了液相法合成该族纳米晶的实验方法和制备技术,主要包括溶胶-凝胶法、共沉淀法、有机金属法、模板法和微乳法等几个方面;展望了今后的研究和发展方向。

热壁外延与Ⅳ-Ⅵ族半导体红外器件

文章介绍了热壁外延（ＨＷＥ） 技术及其应用．主要介绍了用热壁外延技术制作的几种Ⅳ－ Ⅵ族半导体红外探测器和激光器，介绍了这方面国际上近年来的一些新进展。

二维材料新起之秀:Ⅳ-Ⅵ族半导体

二维层状半导体材料具有独特的电子结构和量子尺寸效应,在光电子器件等领域受到广泛关注。其中,二维Ⅳ-Ⅵ族半导体因其具有成本低、元素丰富、对环境友好等优点,近年来成为研究热点之一。介绍了二维Ⅳ-Ⅵ族半导体的独特晶体结构,总结了机械剥离、液相法、气相沉积等制备方法的研究进展,讨论了二维Ⅳ-Ⅵ族半导体在场效应晶体管和光电器件领域的研究现状,并针对制备和器件应用方面存在的问题及今后的研究方向提出了建议。

PbTe／PbSrTe半导体非对称量子阱中的Rashba效应

窄带隙半导体异质结构的自旋效应最近受到了国际上的很大关注.Ⅳ-Ⅵ族半导体具有各向异性和多能谷的特征,因此可以预期Rashba自旋效应在不同取向的Ⅳ-Ⅵ族半导体量子阱结构中存在显著差异.计算了多个取向的Pb1-y SryTe/PbTe/Pb1-x SrxTe非对称量子阱中的Rashba分裂能,结果表明[100]取向的PbTe量子阱的Rashba分裂能在阱宽为5.0nm时高达2.2meV,而沿其他两个主要方向([110],[111])生长的量子阱由于能谷的退简并存在两组Rashba分裂能.给出了Rashba自旋分裂能与量子阱非对称参量、阱宽、温度和波矢k∥的依赖关系.Ⅳ-Ⅵ族半导体非对称量子阱结构比Ⅲ-Ⅴ族半导体具有更大的Rashba自旋分裂能,这一特点使得它在自旋电子器件领域可能具有潜在的应用价值.