关于四(9-菲基)锡和二氯二(9-菲基)锡的合成研究

我们在关于“二（9-菲基）锡”的研究中发现,虽然“菲基”有一个非常庞大的空间体积,但是出乎意料地是,菲的金属锡化合物却很容易形成。这一事实促使我们对Phen4Sn和Phen2SnCl2**合成进行了新的研究。结果,导致了在合成方法上的改进和简化。作者认为,这些方法学上的研究可以进一步推广到其它类似的稠环芳基锡化合物的合成上去。实验部分在以下的实验中,除了Phen4Sn同HCl反应外,都是在严格的氩气保护下进行的。测定IR采用Perkin-Elemer577红外光谱仪;元素分析采用Carlo Erba Elemental

开流石英系统中生长砷化镓和磷化镓的硅沾污

由于硅的两性行为及它对氧高度的亲合性,所以Ⅲ—Ⅴ族化合物的硅沾污是一个相当严重的问题。广泛使用于砷化镓(GaAs)和磷化镓(GaP)系统的熔凝石英是硅的主要来源。大多数开流系统都运用流动的H_2,因为它易于提纯,又能将系统中固体Ga_2O_3去掉。本文是对液体镓被硅沾污及流动H_2—HCl混合物被挥发性硅化合物沾污的速度进行了计算,以理想气体行为及局部热力学平衡作为假定,计算表明,在通常的生长温度下,Ga或HCl与石英接触,在十分干燥的系统中也能引起足够多的硅沾污。此外,我们发现在800℃,当H_2与SiO_2接触时,水份的压力不能控制在低于10^(-8)大气压,HCl与SiO_2接触时,不能控制在低于5×10^(-7)大气压(不论H_2的原始纯度如何)。水份的压力随温度升高而明显上升。此外,还叙述了衬底—外延层界面上高浓度硅形成和汽相生长系统中SiO_2沉淀形成的模型。前者首先与“I”或绝缘层的形成有关。计算表明,HCl合成系统比输运型系统的硅沾污大为降低,用H_2O作为输运剂的汽相生长系统,当温度低于1000°时,硅的沾污几乎可以忽略。本文也讨论了降低硅沾污的其他可能的方法。