1
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Ⅴ/Ⅲ比对InGaAs/InP的LPMOCVD生长的影响 |
缪国庆
金亿鑫
蒋红
周天明
李树玮
元光
宋航
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《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
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2002 |
3
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2
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高功率980nm半导体激光器有源区制备中的Ⅴ/Ⅲ比优化 |
米国鑫
李建军
廖翌如
王元诚
王海阔
邓军
韩军
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《半导体光电》
北大核心
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2017 |
1
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3
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NH3流量调控Ⅴ/Ⅲ比对HVPE生长GaN薄膜的影响 |
潘大力
杨瑞霞
张嵩
董增印
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《半导体技术》
CAS
北大核心
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2021 |
0 |
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4
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Ⅴ/Ⅲ族气体源流量比对AlGaInP材料MOCVD外延生长的影响 |
林委之
李建军
于晓东
邓军
廉鹏
韩军
邢艳辉
沈光地
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《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
|
2007 |
1
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5
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MOCVD生长GaN材料的模拟 |
郭文平
邵嘉平
罗毅
孙长征
郝智彪
韩彦军
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2005 |
3
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6
|
InxGa1-xN合金薄膜In的表面分凝现象 |
刘成祥
谢自力
韩平
刘斌
李亮
符凯
周建军
叶建东
文博
王荣华
张禹
陈敦军
江若琏
顾书林
施毅
张荣
郑有炓
|
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2006 |
1
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7
|
选择外延MOVPE的表面迁移 |
邱伟彬
董杰
周帆
王圩
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《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
|
2002 |
0 |
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8
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Ⅴ/Ⅲ对P型GaP掺杂及红光LED量子效率的影响 |
丁亮
李建军
康玉柱
于晓东
邓军
韩军
沈光地
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《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2009 |
0 |
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9
|
GaAlAs/GaAs量子阱材料的光荧光谱研究 |
刘文莉
李林
钟景昌
王晓华
刘国军
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《光电子技术与信息》
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2005 |
3
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10
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Ga_(0.51)In_(0.49)P的MOCVD生长特性研究 |
缪国庆
朱景义
李玉琴
洪春荣
元金山
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《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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1996 |
1
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11
|
4H-SiC衬底上生长参数对AlGaN基深紫外多量子阱受激辐射特性的影响 |
张睿洁
郭亚楠
吴涵
刘志彬
闫建昌
李晋闽
王军喜
|
《发光学报》
EI
CAS
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2024 |
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