抑制△I噪声的去耦电容器应用技术

利用去耦电容器抑制△I噪声面临一些新的挑战.分析了去耦电容器的寄生参数对其高频性能的影响,总结了高速高密度PCB上去耦电容器的选择,并重点讨论了抑制△I噪声的去耦电容器应用技术.结果表明:利用去耦电容器抑制△I噪声,应多个去耦电容器并联使用,并恰当选择去耦电容器的种类、个数、电容值和自谐振频率,以得到期望的等效阻抗曲线.

数字电路中△I噪声的产生与特点

随着数字电路的发展,"I噪声正逐步成为数字电路中的主要噪声源之一。从数字设计的核心——反相器入手,系统分析了TTL和CMOS中"I噪声的产生过程与基本特点。结果表明,"I噪声是由数字电路的电路结构和工作过程决定的(是固有的);具有叠加性、为宽带噪声源;同时会产生传导骚扰和辐射骚扰。

数字电路中△Ⅰ噪声的危害

为适应数字电子系统的发展需要,研究数字电路中△I噪声的特性和抑制△I噪声的技术变得越来越重要。在△I噪声的产生过程及其基本特点的基础上,研究了△I噪声的主要危害。结果表明,△I噪声主要引起数字系统的电源电压波动、电路内部噪声、输出波形畸变和传播延迟、功耗增加、辐射发射等问题。

减小CMOS逻辑器件的ΔI噪声的方法

通过确定 CMOS逻辑器件的各种参数与馈通电流和容性负载充放电电流的定量关系 ,得出设计 CMOS逻辑器件的各种参数以减小ΔI噪声 ,从电磁兼容的角度提出了设计 CMOS器件的方法。

关于电磁兼容的几个问题

本文主要介绍在电路设计工作中所涉及到的电磁兼容性的几个常见问题及相应的解决措施。