假单胞菌XN-1硝基苯降解性质粒的提取及研究

假单胞菌XN 1对有机污染物硝基苯具有降解性 ,并且对氨苄青霉素具有抗性。检测和提取了假单胞菌XN 1细胞内的质粒 ,得到了一个约 2 2kb大小的质粒pXN 1。质粒消除实验证实这个质粒与硝基苯降解性有关 ,而与抗生素抗性无关。XN 1和其自发突变株XN 1 2和XN 1 3特性的差异和质粒检测的差异之间存在对应关系 ,并且得到了一个比 pXN 1小几个kb的衍生质粒 pXN 1 3。

电弧离子镀Ti(C_xN_(1-x))薄膜的结构和力学性能研究

利用电弧离子镀设备 ,沉积了不同C、N比的Ti(CxN1 -x)薄膜 ,研究了C含量对Ti(CxN1 -x)薄膜的结构 (相结构、择优取向及晶格常数 )及力学性能 (硬度、膜基结合强度及抗磨损性能 )的影响。结果表明 ,复合镀层的C、N比随CH4、H2 流量之比而变化 ,但原子百分数之和基本不变 (约 4 6.5% )。复合镀层结构致密 ,与基体结合良好 ,抗磨和切削性能优于TiC和TiN镀层。

BP_xN_(1-x)薄膜的制备及磷元素对其光学能隙的影响

本文从应用出发 ,选择光学石英为衬底 ,采用热丝辅助射频化学气相沉积的方法沉积BPxN1 -x薄膜 ,对样品进行了X射线衍射 (XRD)、扫描电子显微镜 (SEM)、紫外 可见等测试。XRD、SEM结果显示薄膜多晶态 ,表面形貌随时间变化 ,最终为胞状 ;紫外 可见光光谱结果显示BPxN1 -x薄膜的紫外吸收边随沉积时间的加长、PH3流量的增加而向长波长方向移动。因此 ,该材料的光学能隙可以通过生长工艺适当调整。另外 ,BPxN1

“N_1不XN_2X”结构的主观性分析

"N1不XN2X"在现代汉语口语中是一种非常普遍的语言现象,本文在定量考察,定性研究的基础上对该结构在陈述句和反问句中所表示的意义进行梳理,并且考察该结构所表示的各意义之间的主观表现。

Al含量对Ti_(1-X)Al_XN涂层组织结构的影响

通过不同 Al含量的 Ti- Al粉末冶金靶 ,采用多弧离子镀技术制备了 Ti1 - XAl XN涂层。用 SEM、 XRD、 GAXRD以及 XTEM等手段研究了 Al元素对涂层组织结构的影响。研究表明 ,Ti Al N涂层呈柱状多晶组织 ,(Ti,Al) N为涂层的主要组成相 ;随着 Al含量的增加 ,涂层中的 (Ti,Al) N相减少 ,且其晶格常数降低。

Ti_(1-x)Al_xN涂层的组织结构及Al元素的作用机理

通过不同Al含量的Ti Al粉末冶金靶 ,采用多弧离子镀技术制备了Ti1 xAlxN涂层 .用SEM、XRD、GAXRD以及XTEM等手段研究了涂层的组织结构及Al元素的作用 .研究表明 ,TiAlN涂层呈柱状多晶组织 ,(Ti,Al)N为涂层的主要组成相 ;随着Al含量的增加 ,涂层中的(Ti,Al)N相将减少 ,且其晶格常数将降低 .

Al对Ti_(1-x)Al_xN涂层高温氧化动力学的影响

采用不同Al含量的Ti Al热压粉末冶金烧结靶 ,通过多弧离子镀方法制备了Ti1 xAlxN涂层 .用AES等手段研究了涂层的抗高温氧化特性 ,着重研究了不同Al含量涂层的高温氧化动力学 .研究表明 ,一定量Al元素的加入提高了涂层的抗高温氧化温度 ,Ti0 .7Al0 .3 N涂层的抗高温氧化能力最好 ,其最高温度达 80 0℃以上 ;随着涂层中Al含量的不同 ,各涂层的抗高温氧化性能从优到劣依次为 :Ti0 .7Al0 .3 N >Ti0 .5Al0 .5N >Ti0 .93 Al0 .0 7N >TiN .

“1+Xn”中职语文游戏化高效课堂

语文课程作为中职学生必学的科目,在中职教育当中占据了非常重要的位置。近年来,随着国学的发扬光大,语文也越来越受到教育部和学生以及家长的重视。但是语文教学向来是比较传统的模式,课外延展性差,师生之间的互动也比较少,语文课堂上缺乏应有的生机和活力。游戏化的教学模式可以激发同学们对于语文的兴趣,而“1 Xn”这种模式则指的是在课堂教师的组织下,以学生为中心,利用多种多样丰富的新形式来进行课堂教学。本次研究就是利用“1 Xn”的模式,立足于我国目前中职语文课堂教学的现状,目的在于找出尽可能适合中职语文教育的办法,提升中职语文课堂的教学质量,提高课堂效率,建立游戏化的高效课堂。

Ti(C_(1-x)N_x)系固溶体粉末的组织结构研究

研究了碳热还原反应产业化制备的Ti(C1 -xNx)系固溶体粉末的组织结构特征。结果表明 ,通过控制原料成分C/Ti的准确配比 ,可产业化制备出成分优良的不同单相Ti(C1 -xNx)固溶体。粉末呈多角状和不规则形。Ti(C1 -xNx)系固溶体的点阵常数与C或N含量有很好的对应关系。通过调整粉末中元素的固溶度 ,可控制粉末的晶体结构 ,进而控制材料的性能。

电容-电压法研究Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结压电极化效应(英文)

制备了基于调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结的Pt/Al0 2 2 Ga0 78N/GaN肖特基二极管。由于Al0 2 2Ga0 78N势垒层中的极化场不同 ,不同Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度的二极管的电容 电压特性显著不同。根据对样品电容 电压特性的数值模拟 ,在Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度为 30nm和 4 5nm的样品中 ,异质界面的极化电荷面密度为 6 78× 1 0 12 cm-2 。在Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度为 75nm的样品中 ,极化电荷面密度降为 1 30×10 12 cm-2 。这种极化电荷面密度的降低是由于GaN上Al0 2 2 Ga0 78N势垒层由于厚度增加而产生应变的部分弛豫。本工作也提供了一种定量表征AlxGa1-xN/GaN异质结中极化电荷面密度的方法。

Pb(Zr0.53Ti0.47)O3/AlxGa1-xN/GaN异质结构的电容-电压特征（英文）

通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属 铁电 半导体 (MFS)结构。在高频电容 电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质界面二维电子气 ( 2DEG)的浓度在 -1 0V偏压下从 1 5 6× 1 0 13 cm-2 下降为 5 6× 1 0 12 cm-2 。由于PZT薄膜的铁电极化 ,在 -1 0V偏压下可以观察到宽度为 0 2V的铁电C V窗口 ,表明在没有铁电极化方向反转的条件下 ,PZT/AlxGa1-xN/GaNMFS结构也能出现存储特性。因为 2DEG带来的各种优点 ,可以认为AlxGa1-xN/GaN异质结构在以存储器为目标的MFS场效应晶体管中有重要应用。

整系数方程Xn+a1Xn-1+……+an=0的根团

学过中学代数的人都会知道: "以实数为系数的n(≥2)次方程如果有复数根a+bi则必还有一个复根a—bi(a,b皆为实数)"而以有理数为系数的n(≥2)次方程,如果有无理数根,则这些无理根也有类似的性质,有这种性质的根的集合我想给它起个名字。

电容-电压法研究AlxGa1-xN/GaN异质结压电极化效应（英文）

制备了基于调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结的Pt/Al0 2 2 Ga0 78N/GaN肖特基二极管。由于Al0 2 2Ga0 78N势垒层中的极化场不同 ,不同Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度的二极管的电容 电压特性显著不同。根据对样品电容 电压特性的数值模拟 ,在Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度为 30nm和 4 5nm的样品中 ,异质界面的极化电荷面密度为 6 78× 1 0 12 cm-2 。在Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度为 75nm的样品中 ,极化电荷面密度降为 1 30×10 12 cm-2 。这种极化电荷面密度的降低是由于GaN上Al0 2 2 Ga0 78N势垒层由于厚度增加而产生应变的部分弛豫。本工作也提供了一种定量表征AlxGa1-xN/GaN异质结中极化电荷面密度的方法。

Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3/Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的电容-电压特征(英文)

通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属 铁电 半导体 (MFS)结构。在高频电容 电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质界面二维电子气 ( 2DEG)的浓度在 -1 0V偏压下从 1 5 6× 1 0 13 cm-2 下降为 5 6× 1 0 12 cm-2 。由于PZT薄膜的铁电极化 ,在 -1 0V偏压下可以观察到宽度为 0 2V的铁电C V窗口 ,表明在没有铁电极化方向反转的条件下 ,PZT/AlxGa1-xN/GaNMFS结构也能出现存储特性。因为 2DEG带来的各种优点 ,可以认为AlxGa1-xN/GaN异质结构在以存储器为目标的MFS场效应晶体管中有重要应用。

Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结二维电子气磁输运性质研究(英文)

在 1 5K低温和 0～ 9T的高磁场下研究了AlGaG/GaN异质结二维电子气的磁输运性质。实验结果在 4块样品中都观察到了Shubnikov daHass振荡的双周期行为。表明异质结的三角势阱中有两个子带被电子占据。通过电子子带占据时电子浓度分配的线形行为得到第二子带被占据的阈值浓度为 7 2× 1 0 12 cm-2 。通过对不同样品量子散射时间和输运迁移率的研究 ,说明在 1 5K下远程离化施主散射在量子散射时间中起主要作用。

AlxGa1-xN/GaN异质结二维电子气磁输运性质研究（英文）

在 1 5K低温和 0～ 9T的高磁场下研究了AlGaG/GaN异质结二维电子气的磁输运性质。实验结果在 4块样品中都观察到了Shubnikov daHass振荡的双周期行为。表明异质结的三角势阱中有两个子带被电子占据。通过电子子带占据时电子浓度分配的线形行为得到第二子带被占据的阈值浓度为 7 2× 1 0 12 cm-2 。通过对不同样品量子散射时间和输运迁移率的研究 ,说明在 1 5K下远程离化施主散射在量子散射时间中起主要作用。

方程Δx_n=γ_nx_n(1+λx_n)(1-x_n)的全局吸引性

考虑非自治差分方程 Δxn=γnxn( 1 +λxn) ( 1 -xn) n =0 ,1 ,2… 的全局吸引性 ,这里 {γn}是正实数列 ,λ >0获得方程每一解趋于 1的充分条件 .

探索提高光电极太阳能转换效率的新方法

光电化学电池制氢是解决能源短缺的可能途径之一,然而太阳能转换效率低限制了其大规模实用化。提出了通过提高量子转换效率(IPCE)和减小带隙等手段来提高太阳能转换效率。利用异质结中的内建电场,有利于电子空穴分离,从而提高量子转换效率。以WO3/Fe2O3异质结光电极为例,在400～530nm波长范围内,其量子转换效率高于单一的WO3和Fe2O3电极的总和。窄带隙半导体材料能够吸收更多的可见光,从而提高太阳能转换效率。窄带隙材料可以通过固溶体方法对宽带隙半导体的价带进行调控来获得。以(SrTiO3)1-x·(LaTiO2N)x(0≤x≤0.40)为例,随着x的增加,价带提高而带隙逐渐减小。当x=0.4时可见光响应超过600nm,IPCE的最大值4.6%出现在410nm左右。窄带隙材料也可以通过固溶体方法对宽带隙半导体的导带进行调控来获得。以InxGa1-xN(0≤x≤0.20)为例,固溶体的带隙随着x的增加而逐渐减小,固溶体带隙减小主要是由于导带降低引起的;当x=0.2时可见光响应超过480nm,在400～430nm波长范围内最高IPCE达到9%。

3GPP关于5G若干技术规范摘录(二):NG-RAN总体架构(Ⅰ)

在本讲座中,节录了3GPP关于5G无线接入网(NG-RAN)的总体架构,包括NG、Xn和F1接口以及它们与无线接口之间的交互。

1/y=1/(x_1)+1/(x_2)+…+1/(x_n)在物理中的应用

1/y=1/(x1)+1/(x2)+…+1/(xn)是个多变量函数,形式既整齐对称,又复杂不易计算。